27pVE-1 第一原理計算によるシリコン超薄膜の電界発光の研究(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2009-03-03

著者

• 諏訪 雄二

  日立基礎研

• 斎藤 慎一

  日立中研

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