25a-YM-3 水素終端シリコン表面上のガリウム原子拡散の理論的研究
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1998-09-05
著者
-
諏訪 雄二
日立基礎研
-
橋詰 富博
日立基礎研
-
一杉 太郎
東北大WPI-AIMR
-
橋詰 富博
東北大WPI-AIMR
-
渡邉 聡
東大工
-
渡邊 聡
東大工
-
小野木 敏之
日立基礎研
-
一杉 太郎
東大工
関連論文
- TiO2系透明導電体に含まれるドーパント-酸素欠陥複合構造の第一原理計算 (第29回表面科学学術講演会特集号(1))
- 21aGE-3 STM/STSを用いたSrTiO_3薄膜の電子状態評価(21aGE Ti・V酸化物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 22aTB-8 第一原理計算による絶縁膜・有機半導体界面の単分子膜の研究(22aTB 有機FET1,領域7(分子性固体・有機導体))
- SPMを用いた卓上微細加工装置とその応用(SPMを用いた微細加工)
- 超分子構造を用いた分子被覆導線
- 分子ナノチューブを用いた分子被覆導線
- APS会議報告
- 21pRA-6 ナノスケール構造のキャパシタンスの第一原理計算
- 24aPS-2 実空間第一原理計算によるナノスケール系の電界
- 25aYG-6 ナノチューブ、ナノワイヤの多端子伝導に表れる量子干渉効果の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 29pPSB-17 密度汎関数強束縛法を用いた4端子測定のシミュレーションIII(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSA-37 密度汎関数強束縛法を用いた4端子測定のシミュレーションII(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSA-19 固体酸化物中のイオン伝導における表面/界面効果の第一原理シミュレーション(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-136 面状欠陥が存在する高温超伝導体における磁束ダイナミクスの分子動力学シミュレーションII(21aPS 領域8ポスターセッション(f電子系等および低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- STMナノファブリケーションを用いたSi(111)表面電気伝導度の測定
- 半導体表面上の原子サイズ細線における強磁性の可能性
- シリコン表面におけるGa細線の形成とその特性
- 22pPSB-16 第一原理計算によるAlポイントコンタクトの電気伝導特性(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-59 原子点接触構造のキャパシタンスとコンダクタンス(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 29pXJ-10 局所トンネル障壁高さへのNaクラスタの影響(29pXJ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30aPS-8 Al原子鎖の電気特性に不純物原子が与える影響(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30aPS-6 第一原理計算による電極表面ナノ構造の静電容量(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-9 ジェリウム電極に働く力の電極間距離およびバイアス電圧依存性の第一原理計算による解析(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-8 Al原子鎖の有限バイアスでの電気特性III : 不純物による効果(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-7 NC-AFM探針-試料間に誘起する変位電流によるジュール熱の第一原理計算(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aWB-3 Al表面上のトンネル障壁高さ像の解析(表面・界面電子物性(理論・シミュレーション),領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 24aPS-121 Al原子鎖の有限バイアスでの電気特性II : 原子鎖と電極の相互作用による効果(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15aPS-16 Al 表面上のトンネル障壁高さの理論解析 : 測定法の違いについて(領域 9)
- 13aXG-4 ナノスケールコンデンサの静電容量の原子レベル計算 IV(表面ナノ構造量子物性・表面局所光学現象, 領域 9)
- 31p-YF-9 Si(111)7×7表面に供給したSi単原子位置の解析
- 二酸化チタン系透明電極材料の開発
- シリコン表面の未結合ボンドでの初期酸化反応
- Feナノワイヤーアレイの作製と磁気抵抗効果
- 30p-S-4 水素終端Si(100)表面上でのSi island形成に関する理論的研究
- 30p-S-3 水素終端Si(100)2x1表面でのSiの吸着拡散過程
- 走査プローブ顕微鏡を用いた10ナノメータレベルリソグラフィー
- 3403 熱式浮上量調整スライダの浮上面電位測定(S70-1 情報機器コンピュータメカニクス(1),S70 情報機器コンピュータメカニクス)
- 30pTL-1 アナターゼ型Ti_W_xO_2エピタキシャル薄膜の電気輸送特性と電子状態(30pTL Ti酸化物他,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 26pTD-12 超伝導Nb探針を用いたFI(Field Ion)-STM(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30aYE-8 ナノスケールコンデンサの静電容量の原子レベル計算III(表面界面電子物性(金属・有機))(領域9)
- 20aPS-9 ナノスケールコンデンサの静電容量の原子レベル計算 II : 電極表面原子構造依存性
- 28pPSB-11 ナノスケールコンデンサの静電容量の原子レベル計算
- 30p-S-2 水素終端Si(100)2x1表面のダングリングボンドでの酸化構造(実験)
- 30p-S-1 水素終端シリコン表面のダングリングボンドでの酸化構造(理論)
- 23aTD-3 ケルビン力顕微鏡の探針に働く力の第一原理計算(表面ナノ構造量子物性,微粒子クラスタ,領域9,表面・界面,結晶成長)
- professional report 走査プローブ顕微鏡による評価技術--ナノの世界を視る,操る,探る
- 21aRB-12 第一原理計算による金属・有機半導体界面の機能性単分子膜の研究(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21pRJ-3 第一原理計算による金属・有機半導体界面の自己組織化単分子膜の研究(有機FET2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 有機半導体の界面に期待するもの
- 21pYE-13 水素終端Si表面上の導電性高分子の電子状態(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 走査型トンネル顕微鏡が捉えるナノメータスケール構造の時間変化
- 交換バイアス型スピンバルブ素子のスピントルク磁化反転
- 28pWP-4 第一原理計算による水素終端Si(100)面のダイハイドライド鎖の研究(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 走査プローブ微細加工法による極微細電極の調整と高分子ナノワイヤの電気伝導度測定
- 水素終端シリコン表面における原子細線の構造緩和
- 水素終端シリコン表面における原子細線の構造緩和
- 21pRA-7 単分子の電気伝導 : 期待と現状
- 31aWD-5 水素終端 Si 表面におけるドーバントペア構造の量子効果
- 研究ニュース
- 23pWA-13 第一原理電荷解析によるシリコン表面異常拡散現象の研究
- 30p-S-5 水素終端シリコン表面上のガリウム原子拡散
- 25a-YM-4 Si(100)2×1-H上に作製したダングリングボンド構造のパイエルス変形
- 25a-YM-3 水素終端シリコン表面上のガリウム原子拡散の理論的研究
- 30a-YF-12 Si(100)-2X1-H上に作製したダングリングボンド構造のSTM/STS測定
- 25pWB-12 SrTiO_3(001)-(√×√)再構成表面の作製と評価(25pWB Ru酸化物・Ti酸化物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 28pRC-12 金属・有機半導体界面の自己組織化単分子膜の電子状態(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26aXD-7 歪みによるシリコン薄膜発光の効率化の理論(量子井戸・超格子・光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 27pVE-1 第一原理計算によるシリコン超薄膜の電界発光の研究(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 18aRG-3 ジメチルアミノピロールオリゴマー薄膜の構造および電子状態(分子磁性・高圧物性,領域7,分子性固体・有機導体)
- 平坦バンド強磁性体として分子設計されたオリゴ[1-(ジメチルアミノ)ピロール]の電気化学及び磁気特性
- 有機強磁性高分子の物質設計
- 31aZA-13 5 員環高分子の結晶における平坦バンド強磁性の可能性
- 7p-F-2 第一原理計算による水素結合の同位体効果の研究
- TiO_2系透明導電体に含まれるドーパント-酸素欠陥複合構造の第一原理計算
- さらなる発展を期して
- 30p-YF-11 拡張Δ鎖上のHubbardモデルの強磁性
- 23pTA-5 水素終端シリコン表面における原子構造と特性
- 水素終端シリコン表面における初期酸素吸着の原子レベル観察
- 水素終端シリコン表面における初期酸素吸着の原子レベル観察
- 29p-R-8 ナノ構造を用いた表面準位電気伝導度の直接測定
- 1p-YA-4 原子プロキシミティー場の実現に向けて
- 25p-B-9 偶数員環鎖上の平坦バンド強磁性
- 30p-N-7 原子細線におけるフラットバンド磁性の可能性
- Si 表面上の Ga 原子細線における強磁性の可能性
- 5a-B-6 水素終端シリコン表面上のガリウム原子細線の理論計算 : 強磁性発現の可能性
- 5a-B-2 水素終端シリコン(100)表面上の原子細線の電子状態
- 水素終端シリコン表面上の未結合ボンド細線におけるガリウム原子吸着の安定構造と電子状態の理論計算
- 31p-PSB-32 水素終端シリコン表面上の原子サイズ細線の電子状態の理論計算II
- 30a-PS-7 水素終端シリコン表面上の原子サイズ細線の電子状態の理論計算
- 30a-YF-13 水素終端シリコン(100)2X1表面上の原子細線の電子状態II
- 原子を並べて磁石を創る--フラットバンド強磁性の実現の可能性
- 水素終端シリコン表面における原子レベル構造
- 究極の微粒子(原子)を並べる(微粒子の化学)
- 24aGM-2 STM/STSによるSrO終端SrTiO_3(001)表面の局所電子状態の観察(24aGM 表面・界面現象,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24aGM-1 STM/STSによるTiO_2終端SrTiO_3(001)表面の局所電子状態の観察(24aGM 表面・界面現象,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 23pGE-6 半導体、金属、誘電体界面の顕微評価の重要性(23pGE 領域10,領域8合同シンポジウム:超低速ミュオン顕微鏡:その限りない可能性を探る,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 23pGE-6 半導体、金属、誘電体界面の顕微評価の重要性(23pGE 領域10,領域8合同シンポジウム:超低速ミュオン顕微鏡:その限りない可能性を探る,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27aZC-4 5員環高分子FETにおける平坦バンド強磁性の可能性(27aZC 導電性高分子,領域7(分子性固体・有機導体分野))
- 25pWD-7 水素終端Si(100)表面のドーパントダイマー構造の第一原理計算(25pWD 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))