21aPS-9 ジェリウム電極に働く力の電極間距離およびバイアス電圧依存性の第一原理計算による解析(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2005-08-19

著者

• 古家 真之介

  東大院工

• 合田 義弘

  東大院理

• 古家 真之介

  東大院理

• 田中 倫子

  日大理工

• 渡邉 聡

  東大工

• 田中 倫子

  東大工

• 渡邉 聡

  東大工:科技団crest

• 古家 真之介

  東大工

• 中村 泰弘

  東大工

• 合田 義弘

  ウルム大

• Watanabe Satoshi

  Graduate School Of Science And Technology Chiba University:japan International Research Center For A

• 中村 泰弘

  東大工:科学技術振興機crest

• 渡邉 聡

  Takasaki Advanced Radiation Research Institute Japan Atomic Energy Agency

関連論文

• 21aGL-6 Al原子とSiON/SiC(0001)表面のSchottky接合に関する電子状態計算(21aGL 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pGP-2 微傾斜SiC(0001)表面上グラフェンの安定構造と電子状態(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pHS-10 第一原理に基づく結晶の非調和格子振動のモデル化(22pHS 誘電体・フォノン(構造解析・フォノン),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 26aYG-3 Al原子を吸着させたSiON/SiC(0001)表面系の電子状態解析(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pRA-4 窒化物半導体/ホウ素化合物界面の第一原理計算(表面磁性,領域3,領域9合同,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pRA-4 窒化物半導体/ホウ素化合物界面の第一原理計算(領域3,領域9合同 表面磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
• 22aXB-9 N/Cu(001)表面の自己組織化構造の理論解析(表面界面構造,22aXB 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• ナノスケール構造の静電容量の第一原理計算(最近の研究から)
• 21pRA-6 ナノスケール構造のキャパシタンスの第一原理計算
• 24aPS-2 実空間第一原理計算によるナノスケール系の電界
• 25aYG-6 ナノチューブ、ナノワイヤの多端子伝導に表れる量子干渉効果の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 29pPSB-17 密度汎関数強束縛法を用いた4端子測定のシミュレーションIII(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSA-37 密度汎関数強束縛法を用いた4端子測定のシミュレーションII(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSA-25 AlおよびNaポイントコンタクトの電気伝導特性の第一原理計算(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSA-19 固体酸化物中のイオン伝導における表面/界面効果の第一原理シミュレーション(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-136 面状欠陥が存在する高温超伝導体における磁束ダイナミクスの分子動力学シミュレーションII(21aPS 領域8ポスターセッション(f電子系等および低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 24pPSA-30 基板の歪みを考慮した表面自己組織化構造の理論解析(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pPSB-5 基板の歪みを考慮した表面吸着構造の理論解析(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pPSB-16 第一原理計算によるAlポイントコンタクトの電気伝導特性(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20aPS-59 原子点接触構造のキャパシタンスとコンダクタンス(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 29pXJ-10 局所トンネル障壁高さへのNaクラスタの影響(29pXJ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30aPS-8 Al原子鎖の電気特性に不純物原子が与える影響(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30aPS-6 第一原理計算による電極表面ナノ構造の静電容量(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-10 原子シートの電気伝導(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-9 ジェリウム電極に働く力の電極間距離およびバイアス電圧依存性の第一原理計算による解析(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-8 Al原子鎖の有限バイアスでの電気特性III : 不純物による効果(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-7 NC-AFM探針-試料間に誘起する変位電流によるジュール熱の第一原理計算(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aWB-3 Al表面上のトンネル障壁高さ像の解析(表面・界面電子物性(理論・シミュレーション),領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 24aPS-121 Al原子鎖の有限バイアスでの電気特性II : 原子鎖と電極の相互作用による効果(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 24aPS-120 ジェリウム薄膜における電気伝導の解析(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15aPS-16 Al 表面上のトンネル障壁高さの理論解析 : 測定法の違いについて(領域 9)
• 13aXG-4 ナノスケールコンデンサの静電容量の原子レベル計算 IV(表面ナノ構造量子物性・表面局所光学現象, 領域 9)
• ナノ物性計測シミュレータのための境界マッチング密度汎関数法プログラムの高速化とその性能評価(数値シミュレーション)
• 31p-YF-9 Si(111)7×7表面に供給したSi単原子位置の解析
• 30aYE-8 ナノスケールコンデンサの静電容量の原子レベル計算III(表面界面電子物性(金属・有機))(領域9)
• 20aPS-9 ナノスケールコンデンサの静電容量の原子レベル計算 II : 電極表面原子構造依存性
• 28pPSB-11 ナノスケールコンデンサの静電容量の原子レベル計算
• 23aTD-3 ケルビン力顕微鏡の探針に働く力の第一原理計算(表面ナノ構造量子物性,微粒子クラスタ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pTD-9 密度汎関数強束縛法を用いた四端子測定のシミュレーション(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pPSA-12 ナノスケール間隔の電極に働く力のバイアス電圧依存性に関する第一原理計算(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pPSB-17 密度汎関数強束縛法を用いた多端子伝導シミュレータの開発(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 30aPS-7 ジェリウム電極に働く力の電極間距離およびバイアス電圧依存性の第一原理計算による解析II(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-1 金属表面からの電界電子放出電流の第一原理計算
• 26pWY-3 第一原理非調和格子モデルによる格子熱伝導率計算(26pWY フォノン,領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 30aVE-4 窒化ガリウム複空孔におけるスピン分極と構造緩和の第一原理計算(30aVE 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 30p-S-5 水素終端シリコン表面上のガリウム原子拡散
• 25a-YM-4 Si(100)2×1-H上に作製したダングリングボンド構造のパイエルス変形
• 25a-YM-3 水素終端シリコン表面上のガリウム原子拡散の理論的研究
• 27pPSA-34 cBN薄膜成長過程の第一原理計算による研究(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 30aPS-21 強束縛法による多探針STM電気伝導のシミュレーションII(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29a-PS-21 水素終端Si(100)表面上水素欠陥周辺の吸着原子の振舞い : 理論計算による検討
• 24pPSA-25 計算機シミュレーションによるDihydride-Si(001)表面の非接触原子間力顕微鏡像(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pPSA-96 Si(111)DAS構造の原子間力顕微鏡像のシミュレーション(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20pTG-2 強束縛近似による水素終端Si表面の原子間力顕微鏡像のシミュレーション(水素ダイナミクス,微粒子・クラスタ,表面磁性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26aYC-7 メチル終端Si表面のAFMシミュレーション(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pYB-4 メチル基不純物を含む水素終端Si表面のAFMシミュレーション(29pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-45 DFTB法による有機分子/Si表面のSPMシミュレーション(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 19pPSB-11 金属表面上のナノ構造からの電界電子放出電流スペクトルの理論解析
• 19pPSB-6 Al原子鎖の電気特性の第一原理計算 : バイアス電圧と構造の影響
• 30aYE-7 トンネル障壁高さへの探針原子種の影響 : バイアス電圧依存性について(表面界面電子物性(金属・有機))(領域9)
• 20aPS-10 トンネル障壁高さへの探針原子種の影響
• 28pPSB-8 Al 表面のトンネル障壁高さのバイアス電圧依存性
• 21aYK-9 窒化物半導体における陽イオン空孔による磁性(21aYK 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 31pZE-9 Al 原子鎖の有限バイアスでの電気特性
• 31pZE-8 Si(100) 表面からの電界電子放出の理論解析
• 30aYQ-9 金属表面からの電界電子放出電流の第一原理計算 III
• 25pWD-3 金属表面からの電界電子放出電流の第一原理計算II
• 電界電子放射の第一原理計算
• 27pPSA-3 Na原子鎖コンダクタンスへの電極間距離と構造最適化の影響(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 28aPS-67 第一原理に基づく非調和格子モデルの開発と熱伝導率計算への応用(28aPS ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 磁性元素が関与しない磁性? 界面・点欠陥の役割を予測
• 28pTG-1 固液界面の電気二重層に関する第一原理計算(28pTG 表面界面電子物性(シミュレーション),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pTG-3 第一原理計算による窒化物/ホウ化物界面のスピン物性(28pTG 表面界面電子物性(シミュレーション),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aTM-11 sp^3ネットワークの積層構造とバンドギャップの関係の密度汎関数理論に基づく解明(22aTM 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pGT-7 超伝導密度汎関数理論による超伝導転移温度の第一原理的予測(21pGT 電子系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 22aHA-11 水-金属界面系の電気二重層キャパシタンスに関する第一原理計算(22aHA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pHA-8 非磁性元素界面における磁性の可能性(23pHA 表面界面電子物性(シミュレーション),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pHA-11 第一原理非調和格子モデルを用いたナノワイヤの熱伝導率計算(24pHA ナノチューブ・ナノワイヤ・表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 磁性元素が関与しない磁性? : 界面・点欠陥の役割を予測(最近の研究から)
• 磁性元素が関与しない磁性? : 界面・点欠陥の役割を予測
• 26pCJ-2 第一原理計算による希薄窒化物GaNPの光学伝導度(26pCJ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aBG-5 超伝導密度汎関数計算における電子-フォノン結合の軌道依存性からの寄与(27aBG 電子系(第一原理計算・非平衡系・電子相関),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 26pCJ-10 SiC超格子における電子閉じ込め効果の第一原理計算(26pCJ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 18pAD-3 超伝導密度汎関数理論による軽元素超伝導体の第一原理計算(18pAD 電子系2,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 19aPSB-22 超球面探索法と力場反転法による構造探索(19aPSB 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 19aPSB-19 Hybrid密度汎関数理論に基づく擬ポテンシャルの開発(19aPSB 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 19aAG-12 熱電変換材料におけるフォノン伝導特性の第一原理計算(フォノン,19aAG 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 20aFF-5 固液界面の電気二重層キャパシタンスに関する第一原理計算(20aFF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長)
• 19aEC-12 GaN結晶成長に伴うグラフェンの構造相転移(19aEC 領域7,領域9合同 グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pPSA-40 Nd_2Fe_B焼結磁石における主相-Nd酸化物相界面構造の第一原理計算(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pPSA-20 ポテンシャルエネルギー曲面の非調和性を用いた物質構造探索手法の開発(27pPSA 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 27pPSA-17 ハイブリッド密度汎関数理論に基づく擬ポテンシャルの開発とその応用(27pPSA 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 26aXS-6 ルチルTiO_2の酸素欠陥と不純物水素の第一原理計算(26aXS 格子欠陥・ナノ構造(水素・炭素系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 26aXS-4 I型クラスレート化合物におけるフォノン伝導特性の第一原理計算(26aXS フォノン,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27aKA-10 ルチル型酸化物半導体中の不純物水素の電子状態とその起源(格子欠陥・ナノ構造(炭素系・金属・水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 25pPSA-17 酸化物中の不純物水素の荷電状態とNMR化学シフトの第一原理計算(領域10ポスターセッション(格子欠陥・ナノ構造・誘電体・中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27aKH-10 分割統治法に基づく全系-電子エネルギースペクトルの第一原理計算手法(電子系2,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 28aPS-46 半導体における高次フォノン散乱効果の理論解析(領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 27aKH-8 修正ポテンシャルエネルギー曲面による物質構造探索手法の開発(電子系2,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 30aAL-6 NMR化学シフトの第一原理計算によるBaTiO_H_x中の水素の理論解析(30aAL 格子欠陥・ナノ構造(水素・炭素系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク