古家 真之介 | 東大工

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概要

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• 渡邉 聡

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• 戸塚 英臣

  日本大学理工学部物理学科

• 渡邊 聡

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  北陸先端大材料

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• 合田 義弘

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• 新井 豊子

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著作論文

• 22pPSB-16 第一原理計算によるAlポイントコンタクトの電気伝導特性(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20aPS-59 原子点接触構造のキャパシタンスとコンダクタンス(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 29pXJ-10 局所トンネル障壁高さへのNaクラスタの影響(29pXJ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30aPS-8 Al原子鎖の電気特性に不純物原子が与える影響(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30aPS-6 第一原理計算による電極表面ナノ構造の静電容量(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-9 ジェリウム電極に働く力の電極間距離およびバイアス電圧依存性の第一原理計算による解析(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-8 Al原子鎖の有限バイアスでの電気特性III : 不純物による効果(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-7 NC-AFM探針-試料間に誘起する変位電流によるジュール熱の第一原理計算(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aWB-3 Al表面上のトンネル障壁高さ像の解析(表面・界面電子物性(理論・シミュレーション),領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 24aPS-121 Al原子鎖の有限バイアスでの電気特性II : 原子鎖と電極の相互作用による効果(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15aPS-16 Al 表面上のトンネル障壁高さの理論解析 : 測定法の違いについて(領域 9)
• 13aXG-4 ナノスケールコンデンサの静電容量の原子レベル計算 IV(表面ナノ構造量子物性・表面局所光学現象, 領域 9)
• 30aYE-8 ナノスケールコンデンサの静電容量の原子レベル計算III(表面界面電子物性(金属・有機))(領域9)
• 20aPS-9 ナノスケールコンデンサの静電容量の原子レベル計算 II : 電極表面原子構造依存性
• 28pPSB-11 ナノスケールコンデンサの静電容量の原子レベル計算
• 19pPSB-6 Al原子鎖の電気特性の第一原理計算 : バイアス電圧と構造の影響
• 30aYE-7 トンネル障壁高さへの探針原子種の影響 : バイアス電圧依存性について(表面界面電子物性(金属・有機))(領域9)
• 20aPS-10 トンネル障壁高さへの探針原子種の影響
• 28pPSB-8 Al 表面のトンネル障壁高さのバイアス電圧依存性
• 31pZE-9 Al 原子鎖の有限バイアスでの電気特性
• 27pPSA-3 Na原子鎖コンダクタンスへの電極間距離と構造最適化の影響(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 6pPSB-10 Al(100)面上の欠陥位置でのトンネル障壁高さの理論解祈(表面界面結晶成長,領域9)
• 25pPSB-2 第一原理計算に基づいた局所仕事関数の解析(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))

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