古家 真之介 | 東大院工
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概要
関連著者
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古家 真之介
東大院工
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古家 真之介
東大工
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古家 真之介
東大院理
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渡邉 聡
東大工
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田中 倫子
日大理工
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田中 倫子
東大工
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合田 義弘
東大院理
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渡邉 聡
東大工:科技団crest
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Watanabe Satoshi
Graduate School Of Science And Technology Chiba University:japan International Research Center For A
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渡邉 聡
Takasaki Advanced Radiation Research Institute Japan Atomic Energy Agency
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戸塚 英臣
日大理工
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戸塚 英臣
日本大学理工学部物理学科
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合田 義弘
東大工
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押山 淳
東大院工
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常行 真司
東大院理
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常行 真司
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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古家 真之介
科学技術振興機構CREST
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渡邉 聡
科学技術振興機構CREST
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古家 真之介
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
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古家 真之介
東京大学大学院工学系研究科
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渡邉 聡
東大院工
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渡邊 聡
東大院工
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門平 卓也
科学技術振興機構CREST
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田中 倫子
科学技術振興機構CREST
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松下 雄一郎
東大院工
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門平 卓也
東大工:科学技術振興機構crest
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岩田 潤一
筑波大計科セ
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佐々木 成朗
成蹊大工
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常行 真司
東大院理:物性研
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渡邊 聡
東大工
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遠藤 良
東大院理
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中村 泰弘
東大工
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合田 義弘
ウルム大
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新井 豊子
北陸先端大材料
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富取 正彦
北陸先端大材料
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宋 応文
科学技術振興機構CREST
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胡 春平
物材機構MANA
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佐々木 成朗
東大工
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中村 泰弘
東大工:科学技術振興機crest
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渡邊 聰
東大 大学院
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Arai Takeshi
The Faculty Of Engineering Saitama University
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新井 豊子
金大院自然
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胡 春平
東大工
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富取 正彦
北陸先端科学技術大学院大
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富取 正彦
北陸先端大
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宋 応文
東京大学工学系研究科マテリアル工学専攻
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宋 応文
科学技術振興機構crest:東京大学大学院
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岩田 潤一
東京大学大学院工学系研究科
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新井 豊子
北陸先端大
著作論文
- 21pGP-2 微傾斜SiC(0001)表面上グラフェンの安定構造と電子状態(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aXB-9 N/Cu(001)表面の自己組織化構造の理論解析(表面界面構造,22aXB 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSA-25 AlおよびNaポイントコンタクトの電気伝導特性の第一原理計算(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pPSA-30 基板の歪みを考慮した表面自己組織化構造の理論解析(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSB-5 基板の歪みを考慮した表面吸着構造の理論解析(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSB-16 第一原理計算によるAlポイントコンタクトの電気伝導特性(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-59 原子点接触構造のキャパシタンスとコンダクタンス(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 29pXJ-10 局所トンネル障壁高さへのNaクラスタの影響(29pXJ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30aPS-8 Al原子鎖の電気特性に不純物原子が与える影響(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30aPS-6 第一原理計算による電極表面ナノ構造の静電容量(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-10 原子シートの電気伝導(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-9 ジェリウム電極に働く力の電極間距離およびバイアス電圧依存性の第一原理計算による解析(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-8 Al原子鎖の有限バイアスでの電気特性III : 不純物による効果(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-7 NC-AFM探針-試料間に誘起する変位電流によるジュール熱の第一原理計算(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aWB-3 Al表面上のトンネル障壁高さ像の解析(表面・界面電子物性(理論・シミュレーション),領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 24aPS-121 Al原子鎖の有限バイアスでの電気特性II : 原子鎖と電極の相互作用による効果(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 24aPS-120 ジェリウム薄膜における電気伝導の解析(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15aPS-16 Al 表面上のトンネル障壁高さの理論解析 : 測定法の違いについて(領域 9)
- 13aXG-4 ナノスケールコンデンサの静電容量の原子レベル計算 IV(表面ナノ構造量子物性・表面局所光学現象, 領域 9)
- ナノ物性計測シミュレータのための境界マッチング密度汎関数法プログラムの高速化とその性能評価(数値シミュレーション)
- 30aYE-8 ナノスケールコンデンサの静電容量の原子レベル計算III(表面界面電子物性(金属・有機))(領域9)
- 20aPS-9 ナノスケールコンデンサの静電容量の原子レベル計算 II : 電極表面原子構造依存性
- 28pPSB-11 ナノスケールコンデンサの静電容量の原子レベル計算
- 19pPSB-6 Al原子鎖の電気特性の第一原理計算 : バイアス電圧と構造の影響
- 30aYE-7 トンネル障壁高さへの探針原子種の影響 : バイアス電圧依存性について(表面界面電子物性(金属・有機))(領域9)
- 20aPS-10 トンネル障壁高さへの探針原子種の影響
- 28pPSB-8 Al 表面のトンネル障壁高さのバイアス電圧依存性
- 31pZE-9 Al 原子鎖の有限バイアスでの電気特性
- 27pPSA-3 Na原子鎖コンダクタンスへの電極間距離と構造最適化の影響(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 22aTM-11 sp^3ネットワークの積層構造とバンドギャップの関係の密度汎関数理論に基づく解明(22aTM 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pCJ-10 SiC超格子における電子閉じ込め効果の第一原理計算(26pCJ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))