21aGL-6 Al原子とSiON/SiC(0001)表面のSchottky接合に関する電子状態計算(21aGL 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))

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概要

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• 2010-03-01

著者

• 安藤 康伸

  東大院理

• 常行 真司

  東大院理

• 合田 義弘

  東大院理

• 常行 真司

  東京大学大学院理学系研究科物理学専攻

• 常行 真司

  東大院理:物性研

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