20pVC-5 複雑な結晶構造を持つ絶縁体C_<60>ポリマーのフォノン分散の第一原理計算(20pVC 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2008-08-25

著者

• 常行 真司

  東大院理

• 常行 真司

  東京大学大学院理学系研究科物理学専攻

• 常行 真司

  東大院理:物性研

• 小杉 太一

  東大院理

関連論文

• 21aGL-6 Al原子とSiON/SiC(0001)表面のSchottky接合に関する電子状態計算(21aGL 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aPS-23 GPUによる拡散モンテカルロ法の高速化(領域11ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 20pEL-7 第一原理トランスコリレイティッド法の励起状態への適用(20pEL 電子系(密度汎関数理論),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 22pHS-1 ペロブスカイト酸化物中にドープされた3d遷移金属の第一原理計算(22pHS 誘電体・フォノン(酸化物・第一原理計算),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22pHS-10 第一原理に基づく結晶の非調和格子振動のモデル化(22pHS 誘電体・フォノン(構造解析・フォノン),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 13aXF-6 不飽和結合・水酸基・アミノ基を持つ有機分子の Si(001) 表面での拡散 : プロセスへの第一原理的アプローチ(表面界面ダイナミクス : シリコン・ダイヤモンド, 領域 9)
• 26aYG-3 Al原子を吸着させたSiON/SiC(0001)表面系の電子状態解析(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 四面体分子の大きな構造変化
• 25pRA-4 窒化物半導体/ホウ素化合物界面の第一原理計算(表面磁性,領域3,領域9合同,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26aQL-2 第一原理電子状態計算のフロンティア(第一原理電子状態計算のフロンティアと次世代計算機への期待,領域11,領域4,領域8,領域9,領域12合同シンポジウム,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26aQL-2 第一原理電子状態計算のフロンティア(領域11,領域4,領域8,領域9,領域12合同シンポジウム:第一原理電子状態計算のフロンティアと次世代計算機への期待,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
• 25pRA-4 窒化物半導体/ホウ素化合物界面の第一原理計算(領域3,領域9合同 表面磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
• 26aQE-1 FMO-LCMO法に基づく巨大分子系の電子状態解析(電子状態・振動子・エネルギー移動と緩和,領域12,ソフトマター物理,化学物理,生物物理)
• 26aQL-2 第一原理電子状態計算のフロンティア(領域11,領域4,領域8,領域9,領域12合同シンポジウム:第一原理電子状態計算のフロンティアと次世代計算機への期待,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 28pRB-6 チタン酸バリウム中の酸素欠陥による水素価数変化の第一原理計算(28pRB 誘電体(シミュレーション・理論),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 23aXA-9 SiON/SiC(0001)表面での電子状態の深さ依存性とその起源(23aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aXB-9 N/Cu(001)表面の自己組織化構造の理論解析(表面界面構造,22aXB 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aWB-9 FMO法に基づくタンパク質のハミルトニアンの解析(23aWB 光応答・光散乱・化学物理一般・シミュレーション手法・量子系・電子状態,領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理))
• 20pVC-5 複雑な結晶構造を持つ絶縁体C_ポリマーのフォノン分散の第一原理計算(20pVC 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 20pVC-4 絶縁体電子状態のPseudo SICを施した第一原理計算(20pVC 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 20pVC-3 トランスコリレイティッド法のSCF効果に対する数値的検討(20pVC 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 次世代ナノ複合材料グループ--次世代デバイスに向けたシミュレーション手法開発 (特集 次世代ナノ統合シミュレーションソフトウェアの研究開発--ペタフロップスで拓くナノサイエンスの活用に向けて)
• 24pPSA-30 基板の歪みを考慮した表面自己組織化構造の理論解析(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pPSB-5 基板の歪みを考慮した表面吸着構造の理論解析(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pTD-15 SO_2/Ni(100)における軟X線発光スペクトルの第一原理計算(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 29pXE-13 YH_3の圧力誘起絶縁体金属転移 : 準粒子self-consistent GW近似による第一原理計算(29pXE 液体金属(単元素),領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 22aTE-13 Ba_Ca_xTiO_3単結晶の第一原理計算(誘電体(量子誘電体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 28pXH-2 第一原理からのCNDOモデルハミルトニアンの構築 : グラファイトへの応用(28pXH 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 次世代ナノ複合材料グループ : 次世代デバイスに向けたシミュレーション手法開発
• 25pTD-6 SiON/SiC(0001)表面系における電子状態の理論的解析(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• トピックス
• 21pWA-8 トランスコリレイティッド法の固体への応用 : バンドギャップと全エネルギー(電子系,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 19pWB-6 トランスコリレイティッド法を用いた固体全エネルギー計算(電子系,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 20pWB-7 平面波基底によるハイブリット法HSEの実装と希土類水素化物への適用(電子系(密度汎関数法),領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 21aPS-22 双直交形式を用いたトランスコリレイティッド法の開発とハバードモデルへの応用(ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 27aYF-3 TC法による固体の第一原理計算(密度汎関数法,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 29pPSA-18 トランスコリレイティッド法による固体の電子状態計算(領域11ポスターセッション)
• 31aPS-17 Transcorrelated 法による多成分量子系の取り扱い
• 30pZB-9 ジグザグ端改質法による磁気的ナノグラファイトと高スピン炭化水素の理論予測
• 26pWY-3 第一原理非調和格子モデルによる格子熱伝導率計算(26pWY フォノン,領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 31aZE-9 NO/Pt(111) の振動スペクトルの理論的解析
• Pt(111)表面上のNO分子の吸着構造
• Pt(111)表面に吸着したNO分子の振動スペクトル : 第一原理計算による解析
• シリコン表面における環化付加反応
• 次世代ナノ情報機能・材料
• 水素-境界領域の物質科学(第48回物性若手夏の学校(2003年度),講義ノート)
• 高圧下の物質構造と計算機シミュレーション
• 15pXE-9 Cu(100) 表面電子状態の応力依存性(表面界面電子物性, 領域 9)
• 25pYE-2 Ba_Ca_xTiO_3におけるフォノン分散の第一原理計算(誘電体(酸化物系),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 23pTE-4 誘電体点欠陥の電子状態計算におけるPseudo SICの効果(電子系(密度汎関数法),領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 23pTK-10 SrTiO_3におけるMn微量添加元素の第一原理電子状態計算(誘電体,領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24aXD-5 Single CI計算による固体の光学吸収スペクトル(24aXD 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 24aPS-83 拡張アンサンブル法で見る一次相転移(領域11ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 21aPS-62 マルチカノニカルアンサンブル分子動力学法で見る結晶構造相転移(ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 24aYC-8 吸着子・表面間の軌道混成への電場の影響の第一原理計算による評価(24aYC 領域9,領域10,領域11合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pXJ-3 「不飽和炭化水素/Si(001)」吸着系への電場の影響の第一原理計算による評価(29pXJ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30aPS-39 SrTiO_3における格子欠陥と光キャリアの相互作用に関する第一原理計算(領域5ポスターセッション)(領域5)
• 21pRK-13 アミノ酸集合体として見たタンパク質電子状態のモデル化(生物物理,領域12,ソフトマター物理,化学物理,生物物理)
• 25pTE-5 Si(100)表面における1,4-シクロヘキサジエンの吸着状態と温度依存性(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22aXJ-9 Si(001)表面におけるエチレン・アセチレンの反応経路の詳細(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21aWH-2 アルケン分子/Si(001)表面系の化学吸着における「マルコフニコフ則」(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pXD-9 Si(001)表面に化学吸着したアルケン/アルキン分子の配向性の差異の起源(表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 23aYD-14 シリコン酸化物中の余剰原子および欠陥の拡散挙動 : 第一原理分子動力学計算からのアプローチ
• 29aZE-12 低速電子を入射された低温氷中での CO の化学反応 : 第一原理計算からのアプローチ
• 23pQA-5 相関波動関数を用いた固体の電子状態計算(23pQA 領域1シンポジウム:精密電子状態計算の現状と展望,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 28aTE-6 トランスコリレイティッド法による固体の第一原理計算 : 擬分散最小化に基づくジャストロウ因子の最適化(28aTE 電子系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 28aPS-67 第一原理に基づく非調和格子モデルの開発と熱伝導率計算への応用(28aPS ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 戦略分野2:新物質・エネルギー創成をめざす計算物質科学イニシアティブ(次世代スーパーコンピュータ「京」:動き出した大型プロジェクトの全体像)
• 29aWJ-13 Transcorrelated 法による非局所密度汎関数の作成
• 28pTG-1 固液界面の電気二重層に関する第一原理計算(28pTG 表面界面電子物性(シミュレーション),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pTG-5 分子動力学シミュレーションによるC_ハイドレート構造の理論予測(クラスレート1,領域7,分子性固体・有機導体)
• 28pTG-3 第一原理計算による窒化物/ホウ化物界面のスピン物性(28pTG 表面界面電子物性(シミュレーション),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pGT-7 超伝導密度汎関数理論による超伝導転移温度の第一原理的予測(21pGT 電子系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 22aHA-11 水-金属界面系の電気二重層キャパシタンスに関する第一原理計算(22aHA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pGT-6 トランスコリレイティッド法による固体の第一原理計算 : ジャストロウ因子の最適化の新手法とその効果(21pGT 電子系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 23pHA-8 非磁性元素界面における磁性の可能性(23pHA 表面界面電子物性(シミュレーション),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pHA-11 第一原理非調和格子モデルを用いたナノワイヤの熱伝導率計算(24pHA ナノチューブ・ナノワイヤ・表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aBG-5 超伝導密度汎関数計算における電子-フォノン結合の軌道依存性からの寄与(27aBG 電子系(第一原理計算・非平衡系・電子相関),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 25pPSB-10 トランスコリレイティッド法による固体の第一原理計算 : ジャストロウ因子の最適化の新手法とその計算量(25pPSB 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 18pAD-3 超伝導密度汎関数理論による軽元素超伝導体の第一原理計算(18pAD 電子系2,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 19aPSB-22 超球面探索法と力場反転法による構造探索(19aPSB 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 19aPSB-19 Hybrid密度汎関数理論に基づく擬ポテンシャルの開発(19aPSB 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 19aAG-12 熱電変換材料におけるフォノン伝導特性の第一原理計算(フォノン,19aAG 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 20aFF-5 固液界面の電気二重層キャパシタンスに関する第一原理計算(20aFF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長)
• 14pTM-6 極限条件下の量子シミュレーション(主題 : 計算機ナノマテリアルデザイン・量子シミュレーション手法の開発と応用, 領域 3)
• 14pTM-6 極限条件下の量子シミュレーション(主題 : 計算機ナノマテリアルデザイン・量子シミュレーション手法の開発と応用, 領域 11)
• 14pTM-6 極限条件下の量子シミュレーション(主題 : 計算機ナノマテリアルデザイン・量子シミュレーション手法の開発と応用, 領域 4)
• 領域8,領域3,領域4,領域7,領域9,領域10「元素戦略が促進する分野融合と物理」(第68回年次大会シンポジウムの報告,学会報告)
• 27pPSA-20 ポテンシャルエネルギー曲面の非調和性を用いた物質構造探索手法の開発(27pPSA 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 27pPSA-17 ハイブリッド密度汎関数理論に基づく擬ポテンシャルの開発とその応用(27pPSA 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 26aXM-7 RPAとトランスコリレイティッド法に基づく固体のジャストロウ因子の最適化(26aXM 電子系1,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 26aXS-4 I型クラスレート化合物におけるフォノン伝導特性の第一原理計算(26aXS フォノン,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 28aPS-20 トランスコリレイティッド法の試行波動関数を用いた拡散量子モンテカルロ法(領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 6aSM-8 遷移金属表面上COおよびNOの振動スペクトルに関する理論的研究(表面界面構造・電子物性,領域9)
• 26aKH-12 第一原理トランスコリレイティッド法に基づく固体の光吸収スペクトルの計算(電子系1,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 25pPSA-17 酸化物中の不純物水素の荷電状態とNMR化学シフトの第一原理計算(領域10ポスターセッション(格子欠陥・ナノ構造・誘電体・中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27aKH-10 分割統治法に基づく全系-電子エネルギースペクトルの第一原理計算手法(電子系2,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 28aPS-46 半導体における高次フォノン散乱効果の理論解析(領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 27aKH-8 修正ポテンシャルエネルギー曲面による物質構造探索手法の開発(電子系2,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 30aAL-6 NMR化学シフトの第一原理計算によるBaTiO_H_x中の水素の理論解析(30aAL 格子欠陥・ナノ構造(水素・炭素系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク