水素終端シリコン表面における原子細線の構造緩和
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概要
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原子を自在に操り原子スケールの構造を作ることは,将来のエレクトロニクスにとっても重要な技術である.しかし,構造緩和と電子状態の緩和のため,思い通りの構造になるとは限らない.走査トンネル顕微鏡を用いて,様々な長さを持った一原子幅の人工原子構造を作製して,その緩和について調べた.原子数の偶奇や原子細線の端の影響など,長さに依存する構造緩和について,第一原理計算から得られた結果を併せて報告する.
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2003-09-05
著者
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一杉 太郎
東北大WPI-AIMR
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橋詰 富博
東北大WPI-AIMR
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橋詰 富博
(株)日立製作所基礎研究所
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一杉 太郎
ソニー(株)マイクロシステムズネットワークカンパニーコアテクノロジ開発本部テラバイトメモリー開発部
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橋詰 富博
(株)日立製作所中央研究所
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