3403 熱式浮上量調整スライダの浮上面電位測定(S70-1 情報機器コンピュータメカニクス(1),S70 情報機器コンピュータメカニクス)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
To achieve an ultra-low flying height in magnetic head sliders for next-generation hard disk drives, we are developing an individual and in-situ technique to adjust flying height by using a built-in thermal actuator to compensate for flying-height deviations and variations. A reliability-related issue associated with the actuator is the electric discharge between the head and the disk. We evaluated the surface potential on the air bearing of the slider by using an atomic force microscope with a conductive tip developed for scanning probe lithography. If the heater is sufficiently isolated, less than 1% of the applied voltage can be measured on the air-bearing surface. However, the sample with an electrical shortage between the heater and another metal structure exhibited high potential on the air-bearing surface, which suggests that isolating the heater is important.
- 社団法人日本機械学会の論文
- 2007-09-07
著者
-
平家 誠嗣
日立基礎研
-
橋詰 富博
日立基礎研
-
橋詰 富博
東北大WPI-AIMR
-
栗田 昌幸
(株)日立製作所中央研究所
-
三宅 晃司
(株)日立グローバルストレージテクノロジーズ
-
三宅 晃司
日立グローバルストレージテクノロジーズ
-
SUK Mike
日立グローバルストレージテクノロジーズ
-
加藤 篤
日立グローバルストレージテクノロジーズ
-
栗田 昌幸
日立グローバルストレージテクノロジーズ
-
白松 利也
日立グローバルストレージテクノロジーズ
-
栗田 昌幸
日立製作所 中央研究所
-
スク マイク
日立グローバルストレージテクノロジーズ
-
白松 利也
(株)日立グローバルストレージテクノロジーズ
-
栗田 昌幸
(株)日立グローバルストレージテクノロジーズ
関連論文
- 21aGE-3 STM/STSを用いたSrTiO_3薄膜の電子状態評価(21aGE Ti・V酸化物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 22aTB-8 第一原理計算による絶縁膜・有機半導体界面の単分子膜の研究(22aTB 有機FET1,領域7(分子性固体・有機導体))
- SPMを用いた卓上微細加工装置とその応用(SPMを用いた微細加工)
- 超分子構造を用いた分子被覆導線
- 分子ナノチューブを用いた分子被覆導線
- APS会議報告
- STMナノファブリケーションを用いたSi(111)表面電気伝導度の測定
- 半導体表面上の原子サイズ細線における強磁性の可能性
- シリコン表面におけるGa細線の形成とその特性
- マイクロ熱アクチュエータによる浮上量調整スライダを搭載した磁気ディスク装置の開発(機械要素,潤滑,工作,生産管理など)
- 2532 マイクロ熱アクチュエータを搭載した浮上量調整スライダの開発(第2報)(S79-3 情報機器コンピュータメカニクス(3),S79 情報機器コンピュータメカニクス)
- シリコン表面の未結合ボンドでの初期酸化反応
- Feナノワイヤーアレイの作製と磁気抵抗効果
- 30p-S-4 水素終端Si(100)表面上でのSi island形成に関する理論的研究
- 30p-S-3 水素終端Si(100)2x1表面でのSiの吸着拡散過程
- 走査プローブ顕微鏡を用いた10ナノメータレベルリソグラフィー
- 3403 熱式浮上量調整スライダの浮上面電位測定(S70-1 情報機器コンピュータメカニクス(1),S70 情報機器コンピュータメカニクス)
- (3)マイクロ熱アクチュエータによる磁気ヘッドスライダ浮上量の制御技術(技術,日本機械学会賞〔2006年度(平成18年度)審査経過報告〕)
- 2305 熱式浮上量調整スライダの浮上面温度測定(要旨講演,情報機器コンピュータメカニクス)
- 5720 磁気ディスク装置のロード・アンロード機構動作時におけるフェムトスライダの挙動(S84-2 情報機器コンピュータメカニクス(2),S84 情報機器コンピュータメカニクス)
- 5718 磁気ヘッドの熱突出による浮上姿勢変化の光学的測定(S84-2 情報機器コンピュータメカニクス(2),S84 情報機器コンピュータメカニクス)
- 磁気ヘッドの熱突出による浮上量低減を緩和する補償効果 : 浮上量制御スライダを用いた光学的測定と数値シミュレーションとの比較
- マイクロ熱アクチュエータを搭載した浮上量調整スライダの開発(機械要素, 潤滑, 工作, 生産管理など)
- 2531 マイクロ熱アクチュエータを搭載した浮上量調整スライダの開発(第1報)(S79-3 情報機器コンピュータメカニクス(3),S79 情報機器コンピュータメカニクス)
- 26pTD-12 超伝導Nb探針を用いたFI(Field Ion)-STM(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30p-S-2 水素終端Si(100)2x1表面のダングリングボンドでの酸化構造(実験)
- 30p-S-1 水素終端シリコン表面のダングリングボンドでの酸化構造(理論)
- パターンドメディアの作製および磁気特性の評価
- 圧電マイクロアクチュエータを備えた浮上量調整スライダの開発(機械要素,潤滑,工作,生産管理など)
- 219 マイクロ圧電アクチュエータによる磁気ヘッドスライダ摩擦制御および浮上量調整
- professional report 走査プローブ顕微鏡による評価技術--ナノの世界を視る,操る,探る
- 21aRB-12 第一原理計算による金属・有機半導体界面の機能性単分子膜の研究(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21pRJ-3 第一原理計算による金属・有機半導体界面の自己組織化単分子膜の研究(有機FET2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 有機半導体の界面に期待するもの
- 21pYE-13 水素終端Si表面上の導電性高分子の電子状態(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 走査型トンネル顕微鏡が捉えるナノメータスケール構造の時間変化
- 交換バイアス型スピンバルブ素子のスピントルク磁化反転
- 28pWP-4 第一原理計算による水素終端Si(100)面のダイハイドライド鎖の研究(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 走査プローブ微細加工法による極微細電極の調整と高分子ナノワイヤの電気伝導度測定
- 水素終端シリコン表面における原子細線の構造緩和
- 水素終端シリコン表面における原子細線の構造緩和
- 21pRA-7 単分子の電気伝導 : 期待と現状
- 31aWD-5 水素終端 Si 表面におけるドーバントペア構造の量子効果
- 2102 磁気ヘッド素子突出低減のための熱変形解析(第3報)(要旨講演,情報機器コンピュータメカニクス1)
- 2637 磁気ヘッド素子突出低減のための熱変形解析
- 3228 圧電マイクロアクチュエータによる浮上量制御スライダの開発(第 2 報)
- 137 圧電マイクロアクチュエータによる浮上量制御スライダの開発
- 23pWA-13 第一原理電荷解析によるシリコン表面異常拡散現象の研究
- 30p-S-5 水素終端シリコン表面上のガリウム原子拡散
- 25a-YM-4 Si(100)2×1-H上に作製したダングリングボンド構造のパイエルス変形
- 25a-YM-3 水素終端シリコン表面上のガリウム原子拡散の理論的研究
- 30a-YF-12 Si(100)-2X1-H上に作製したダングリングボンド構造のSTM/STS測定
- 25pWB-12 SrTiO_3(001)-(√×√)再構成表面の作製と評価(25pWB Ru酸化物・Ti酸化物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 28pRC-12 金属・有機半導体界面の自己組織化単分子膜の電子状態(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 3401 HDD用ヘッド浮上時の突き出し量測定の高精度化(S70-1 情報機器コンピュータメカニクス(1),S70 情報機器コンピュータメカニクス)
- 潤滑剤回転飛散を低減するための高速回転磁気ディスク上の空気せん断力解析(機械要素,潤滑,工作,生産管理など)
- ガソリン潤滑ジャーナル軸受材料の摩擦摩耗特性
- 1111 熱式浮上量調整スライダの動的制御に関する検討(要旨講演,一般セッション:情報機器コンピュータメカニクス)
- さらなる発展を期して
- 30p-YF-11 拡張Δ鎖上のHubbardモデルの強磁性
- 23pTA-5 水素終端シリコン表面における原子構造と特性
- 121 アクティブヘッドスライダの構造および浮上面の設計
- 低粘性流体用高効率シールブロック式ギヤポンプ
- 低粘性流体用ギヤポンプに関する研究
- 25a-YM-2 Si(100)2×n表面上のFeクラスター列の作製
- 26pPSB-47 横振動摩擦力顕微鏡を用いた有機薄膜の粘弾性評価(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 1110 熱式浮上量調整スライダにおける浮上変化効率の考察(要旨講演,一般セッション:情報機器コンピュータメカニクス)
- 水素終端シリコン表面における初期酸素吸着の原子レベル観察
- 水素終端シリコン表面における初期酸素吸着の原子レベル観察
- 29p-R-8 ナノ構造を用いた表面準位電気伝導度の直接測定
- 1p-YA-4 原子プロキシミティー場の実現に向けて
- 有機薄膜界面での電圧プロファイルの可視化 (走査プローブ顕微鏡で見る固体物理 特集号) -- (輸送現象)
- 25p-B-9 偶数員環鎖上の平坦バンド強磁性
- 30p-N-7 原子細線におけるフラットバンド磁性の可能性
- Si 表面上の Ga 原子細線における強磁性の可能性
- 5a-B-6 水素終端シリコン表面上のガリウム原子細線の理論計算 : 強磁性発現の可能性
- 5a-B-2 水素終端シリコン(100)表面上の原子細線の電子状態
- 水素終端シリコン表面上の未結合ボンド細線におけるガリウム原子吸着の安定構造と電子状態の理論計算
- 31p-PSB-32 水素終端シリコン表面上の原子サイズ細線の電子状態の理論計算II
- 30a-PS-7 水素終端シリコン表面上の原子サイズ細線の電子状態の理論計算
- 磁気ヘッド素子突出低減のための熱変形解析 : 第2報(S51-4 トライボロジーの基礎と応用(IV),S51 トライボロジーの基礎と応用)
- 30a-YF-13 水素終端シリコン(100)2X1表面上の原子細線の電子状態II
- 原子を並べて磁石を創る--フラットバンド強磁性の実現の可能性
- 振動法による薄膜のヤング率測定
- P02(5) マイクロ熱アクチュエータによる磁気ヘッドスライダ浮上量の制御技術(学会賞(技術)受賞,【P02】技術フォーラム 日本機械学会賞(技術)受賞および優秀製品賞受賞グループによる講演とフォーラム)
- 高信頼性を目的としたフェムトスライダのロード・アンロード挙動の研究(機械要素,潤滑,工作,生産管理)
- 高記録密度ハードディスクのためのナノトライボロジー : ナノしゅう動すきまのアクティブ制御
- ガソリン用オイルシールの密封性に関する研究
- (4)磁気ディスク装置用浮上量制御スライダの開発(技術奨励)(日本機械学会賞〔2002年度(平成14年度)審査経過報告〕)
- 23pYJ-4 ケルビンプローブによる表面界面ポテンシャルマッピング(領域9シンポジウム主題:探針型プローブ-表面間相互作用の新展開,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 水素終端シリコン表面における原子レベル構造
- 究極の微粒子(原子)を並べる(微粒子の化学)
- 23pGE-6 半導体、金属、誘電体界面の顕微評価の重要性(23pGE 領域10,領域8合同シンポジウム:超低速ミュオン顕微鏡:その限りない可能性を探る,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 23pGE-6 半導体、金属、誘電体界面の顕微評価の重要性(23pGE 領域10,領域8合同シンポジウム:超低速ミュオン顕微鏡:その限りない可能性を探る,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- マイクロ熱アクチュエータによる磁気ヘッドスライダ浮上量の制御技術とその新展開(トピックス)
- 25pWD-7 水素終端Si(100)表面のドーパントダイマー構造の第一原理計算(25pWD 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))