5a-B-2 水素終端シリコン(100)表面上の原子細線の電子状態
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1997-09-16
著者
-
橋詰 富博
日立基礎研
-
橋詰 富博
東北大WPI-AIMR
-
渡邊 聡
東大工
-
市村 雅彦
日立基礎研
-
小野木 敏之
日立基礎研
-
小野 義正
日立
-
塚田 捷
東大理
-
渡邊 聡
新技団青野プロジェクト
-
和田 恭雄
日立基礎研 Crest
-
渡邊 聰
東大工
-
渡邊 聰
東大 大学院
-
市村 雅彦
東北大金研:日立基礎研
-
矢島 章雄
東大理
-
小野 義正
日立基礎研
-
小野木 敏行
日立基礎研
関連論文
- 21aGE-3 STM/STSを用いたSrTiO_3薄膜の電子状態評価(21aGE Ti・V酸化物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 22aTB-8 第一原理計算による絶縁膜・有機半導体界面の単分子膜の研究(22aTB 有機FET1,領域7(分子性固体・有機導体))
- SPMを用いた卓上微細加工装置とその応用(SPMを用いた微細加工)
- 超分子構造を用いた分子被覆導線
- 分子ナノチューブを用いた分子被覆導線
- APS会議報告
- 25pWD-1 空間分割第一原理計算の原理と応用
- STMナノファブリケーションを用いたSi(111)表面電気伝導度の測定
- 半導体表面上の原子サイズ細線における強磁性の可能性
- シリコン表面におけるGa細線の形成とその特性
- 18PWA-3 強磁性トンネル接合系の磁気抵抗効果 : 絶縁層の及ぼす影響
- Co/Al-oxide/Coのトンネル磁気抵抗効果の理論
- 超薄膜Feの構造と磁性
- 酸化物超伝導体の熱ゆらぎの効果:c-軸方向のカップリングについて
- Fe(n)/Au(4)系におけるFe, Au層のスピン分極の計算
- Fe/Au積層膜の電子状態と磁気構造
- 31a-PS-35 ボルテックスダイナミックスとdisorderの次元性
- 29a-PS-18 Fe/Au(n)系におけるAu層のスピン分極の計算
- 12p-PSB-28 酸化物超伝導体の非線型抵抗状態 : 磁場効果
- 14a-PS-5 金属人工格子における電気抵抗の温度依存性
- 1p-PS-12 2次元ボソン系の局在と超伝導:量子モンテカルロ法による研究
- 1p-PS-11 酸化物超伝導体の非線型抵抗状態:異方性効果
- シリコン表面の未結合ボンドでの初期酸化反応
- Feナノワイヤーアレイの作製と磁気抵抗効果
- 30p-S-4 水素終端Si(100)表面上でのSi island形成に関する理論的研究
- 30p-S-3 水素終端Si(100)2x1表面でのSiの吸着拡散過程
- 走査プローブ顕微鏡を用いた10ナノメータレベルリソグラフィー
- 3403 熱式浮上量調整スライダの浮上面電位測定(S70-1 情報機器コンピュータメカニクス(1),S70 情報機器コンピュータメカニクス)
- 23aSC-11 点欠陥を導入したBi_2Sr_2CaCu_2O_の渦糸ダイナミックス
- 22aZM-9 点欠陥を有するBi_2Sr_2CaCu_2O_のユニバーサルな渦糸相図
- 26aYP-4 強い点欠陥を導入したBi_2Sr_2CaCu_2O_の磁束状態
- 柱状欠陥を導入したBi2Sr2CaCu2O8+δのボルテックス状態--磁場誘起型カップリング転移
- 30p-R-5 柱状欠陥を導入したBi_2Sr_2CaCu_2O_での磁束ダイナミックス:コンピュータ・シミュレーション
- 6a-M-5 柱状欠陥を導入したBi_2Sr_2CaCu_2O_の磁束状態 : コンピュータ・シミュレーション
- 28p-PS-75 酸化物超伝導体の非線型抵抗状態II : 3次元効果
- 25a-PS-64 酸化物超伝導体の非線型抵抗状態II : 磁場効果
- 酸化物超伝導体の非線型抵抗状態 : ベキ乗則とイオン照射効果
- 26pTD-12 超伝導Nb探針を用いたFI(Field Ion)-STM(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30p-S-2 水素終端Si(100)2x1表面のダングリングボンドでの酸化構造(実験)
- 30p-S-1 水素終端シリコン表面のダングリングボンドでの酸化構造(理論)
- 27pYQ-3 Si(111)-(√×√)-Ag表面の相転移とSTM像のシミュレーション
- 24pPSA-20 Si(111)√×√表面の構造秩序化 : 第一原理計算結果に基づくモンテカルロシミュレーション
- professional report 走査プローブ顕微鏡による評価技術--ナノの世界を視る,操る,探る
- 21aRB-12 第一原理計算による金属・有機半導体界面の機能性単分子膜の研究(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21pRJ-3 第一原理計算による金属・有機半導体界面の自己組織化単分子膜の研究(有機FET2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 有機半導体の界面に期待するもの
- 21pYE-13 水素終端Si表面上の導電性高分子の電子状態(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 走査型トンネル顕微鏡が捉えるナノメータスケール構造の時間変化
- 交換バイアス型スピンバルブ素子のスピントルク磁化反転
- 28pWP-4 第一原理計算による水素終端Si(100)面のダイハイドライド鎖の研究(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 走査プローブ微細加工法による極微細電極の調整と高分子ナノワイヤの電気伝導度測定
- 水素終端シリコン表面における原子細線の構造緩和
- 水素終端シリコン表面における原子細線の構造緩和
- 21pRA-7 単分子の電気伝導 : 期待と現状
- 31aWD-5 水素終端 Si 表面におけるドーバントペア構造の量子効果
- 23pWA-13 第一原理電荷解析によるシリコン表面異常拡散現象の研究
- 30p-S-5 水素終端シリコン表面上のガリウム原子拡散
- 25a-YM-4 Si(100)2×1-H上に作製したダングリングボンド構造のパイエルス変形
- 25a-YM-3 水素終端シリコン表面上のガリウム原子拡散の理論的研究
- 30a-YF-12 Si(100)-2X1-H上に作製したダングリングボンド構造のSTM/STS測定
- 25pWB-12 SrTiO_3(001)-(√×√)再構成表面の作製と評価(25pWB Ru酸化物・Ti酸化物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 28pRC-12 金属・有機半導体界面の自己組織化単分子膜の電子状態(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pWA-3 磁性ナノ構造におけるスピン電流の空間分布
- 19pPSB-11 金属表面上のナノ構造からの電界電子放出電流スペクトルの理論解析
- 19pPSB-6 Al原子鎖の電気特性の第一原理計算 : バイアス電圧と構造の影響
- 18pWD-1 イントロダクトリートーク
- 25pWB-7 ジグザグ金原子鋼の双安定性
- さらなる発展を期して
- 30p-YF-11 拡張Δ鎖上のHubbardモデルの強磁性
- 23pTA-5 水素終端シリコン表面における原子構造と特性
- 水素終端シリコン表面における初期酸素吸着の原子レベル観察
- 水素終端シリコン表面における初期酸素吸着の原子レベル観察
- 29p-R-8 ナノ構造を用いた表面準位電気伝導度の直接測定
- 1p-YA-4 原子プロキシミティー場の実現に向けて
- 25p-B-9 偶数員環鎖上の平坦バンド強磁性
- 30p-N-7 原子細線におけるフラットバンド磁性の可能性
- Si 表面上の Ga 原子細線における強磁性の可能性
- 5a-B-6 水素終端シリコン表面上のガリウム原子細線の理論計算 : 強磁性発現の可能性
- 5a-B-2 水素終端シリコン(100)表面上の原子細線の電子状態
- 水素終端シリコン表面上の未結合ボンド細線におけるガリウム原子吸着の安定構造と電子状態の理論計算
- 31p-PSB-32 水素終端シリコン表面上の原子サイズ細線の電子状態の理論計算II
- 30a-PS-7 水素終端シリコン表面上の原子サイズ細線の電子状態の理論計算
- 17pYH-2 CrAS/GaAsの電子状態 : バンド計算
- 23pYB-4 CO/Al_2O_3/Coの磁気抵抗効果に関する理論的研究
- 23pYB-3 Co/Al_2O_3/Coの界面電子状態 : バンド計算
- 30a-YF-13 水素終端シリコン(100)2X1表面上の原子細線の電子状態II
- 原子を並べて磁石を創る--フラットバンド強磁性の実現の可能性
- 24aXH-4 ねじれたスピン構造を持つ磁性多層膜におけるCPP-GMRの理論的研究(24aXH 薄膜,微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 28a-WC-10 Ultrasoft擬ポテンシャルによるSrTiO_3表面の電子状態
- 26a-Z-1 ノルム非保存型擬ポテンシャルを用いた電子構造計算
- ハーフメタル強磁性体を用いたスピントンネル素子とその応用
- ハーフメタル強磁性トンネル接合の磁気抵抗効果とその伝導物性
- 水素終端シリコン表面における原子レベル構造
- 究極の微粒子(原子)を並べる(微粒子の化学)
- 23pGE-6 半導体、金属、誘電体界面の顕微評価の重要性(23pGE 領域10,領域8合同シンポジウム:超低速ミュオン顕微鏡:その限りない可能性を探る,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 23pGE-6 半導体、金属、誘電体界面の顕微評価の重要性(23pGE 領域10,領域8合同シンポジウム:超低速ミュオン顕微鏡:その限りない可能性を探る,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 8aWA-6 Fe_3O_4を用いたGMR膜の磁気抵抗効果と電気伝導(トンネル磁気抵抗・メゾスコピック伝導,領域3)
- 25pWD-7 水素終端Si(100)表面のドーパントダイマー構造の第一原理計算(25pWD 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 25pPSB-2 第一原理計算に基づいた局所仕事関数の解析(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))