3052 原子間力顕微鏡のプローブを用いた通電試験(S81-3 トライボロジーの基礎と応用(3),S81 トライボロジーの基礎と応用)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
The reliability of probes used in atomic force microscopes (AFM) must be increased. Here we report our examination of the electric reliability of two types of scanning microprobes under a small contact weight. One probe was platinum (Pt) coated and the other was made entirely from platinum. After the electric test, the current had melted the Pt-coated probes, but the prototype probe made entirely of platinum was not damaged. This study shows that a probe made of Pt is stronger than those only coated with Pt.
- 一般社団法人日本機械学会の論文
- 2007-09-07
著者
関連論文
- 22aTB-8 第一原理計算による絶縁膜・有機半導体界面の単分子膜の研究(22aTB 有機FET1,領域7(分子性固体・有機導体))
- SPMを用いた卓上微細加工装置とその応用(SPMを用いた微細加工)
- 分子ナノチューブを用いた分子被覆導線
- STMナノファブリケーションを用いたSi(111)表面電気伝導度の測定
- シリコン表面におけるGa細線の形成とその特性
- シリコン表面の未結合ボンドでの初期酸化反応
- Feナノワイヤーアレイの作製と磁気抵抗効果
- 走査プローブ顕微鏡を用いた10ナノメータレベルリソグラフィー
- 原子間力顕微鏡のカンチレバーを用いた摩耗試験(S51-4 トライボロジーの基礎と応用(IV),S51 トライボロジーの基礎と応用)
- パターンドメディアの作製および磁気特性の評価
- 21aRB-12 第一原理計算による金属・有機半導体界面の機能性単分子膜の研究(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21pRJ-3 第一原理計算による金属・有機半導体界面の自己組織化単分子膜の研究(有機FET2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21pYE-13 水素終端Si表面上の導電性高分子の電子状態(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 走査型トンネル顕微鏡が捉えるナノメータスケール構造の時間変化
- 交換バイアス型スピンバルブ素子のスピントルク磁化反転
- 28pWP-4 第一原理計算による水素終端Si(100)面のダイハイドライド鎖の研究(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 走査プローブ微細加工法による極微細電極の調整と高分子ナノワイヤの電気伝導度測定
- 31aWD-5 水素終端 Si 表面におけるドーバントペア構造の量子効果
- 23pWA-13 第一原理電荷解析によるシリコン表面異常拡散現象の研究
- 30p-S-5 水素終端シリコン表面上のガリウム原子拡散
- 25a-YM-4 Si(100)2×1-H上に作製したダングリングボンド構造のパイエルス変形
- 30a-YF-12 Si(100)-2X1-H上に作製したダングリングボンド構造のSTM/STS測定
- 25a-YM-2 Si(100)2×n表面上のFeクラスター列の作製
- 水素終端シリコン表面における初期酸素吸着の原子レベル観察
- 水素終端シリコン表面における初期酸素吸着の原子レベル観察
- 3052 原子間力顕微鏡のプローブを用いた通電試験(S81-3 トライボロジーの基礎と応用(3),S81 トライボロジーの基礎と応用)
- 5205 原子間力顕微鏡のカンチレバーを用いた摩耗試験(第3報)(S65-2 摩耗,S65 トライボロジーの基礎と応用)
- 2921 原子間力顕微鏡のカンチレバーを用いた摩耗試験(第2報)(S64-2 トライボロジーの基礎と応用(2),S64 トライボロジーの基礎と応用)
- 29p-R-8 ナノ構造を用いた表面準位電気伝導度の直接測定
- 1p-YA-4 原子プロキシミティー場の実現に向けて
- 23pGE-6 半導体、金属、誘電体界面の顕微評価の重要性(23pGE 領域10,領域8合同シンポジウム:超低速ミュオン顕微鏡:その限りない可能性を探る,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 23pGE-6 半導体、金属、誘電体界面の顕微評価の重要性(23pGE 領域10,領域8合同シンポジウム:超低速ミュオン顕微鏡:その限りない可能性を探る,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))