26aWZ-9 Si中不純物Bの第一原理計算XPSスペクトルにおけるモデルサイズ依存性(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2010-08-18

著者

• 山内 淳

  慶大理工

関連論文

• 30p-PSA-25 有機反強磁性体TPVの中性子回折
• 26aYL-3 第一原理計算によるSi結晶中のB_2クラスターの振動モード解析
• 31a-ZA-13 Si中の不純物による共鳴振動モードの第一原理的研究
• 8a-S-10 第一原理計算によるSi中のBクラスターのRaman及びIRスペクトルの研究
• 31a-E-2 第一原理計算によるSi中のB_クラスターの研究III
• 第一原理計算によるSi中のB_クラスターの研究II
• 3a-M-9 第一原理計算によるSi中のB_クラスターの研究
• 21pPSB-12 S=1/2ボンド交替鎖反強磁性体F_5PNNの重水素化単結晶の合成と磁性(領域3ポスターセッション,量子スピン系(一次元系),量子スピン系(二次元系),量子スピン系(クラスター系,および一般),フラストレーション系,磁気共鳴一般,実験技術開発,磁性一般,領域3(磁性,磁気共鳴))
• PB12 強誘電性を示す常磁性キラル有機ラジカル液晶の合成と磁場・電場応答性(2004年日本液晶学会討論会)
• 21aRB-12 Si/SiO_2界画における炭素欠陥の第一原理的研究(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 26aWZ-9 Si中不純物Bの第一原理計算XPSスペクトルにおけるモデルサイズ依存性(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• PB04 キラル有機ラジカル液晶の相転移挙動とバルク状態における磁性(トピカルセッション-液晶物性計測の最前線-, 2005年日本液晶学会討論会)
• PA10 電子スピン共鳴による常磁性キラル有機ラジカル液晶の分子配向に関する研究(トピカルセッション-液晶物性計測の最前線-, 2005年日本液晶学会討論会)
• 14a-S-4 有機ラジカル反強磁性体の加圧効果
• 29p-S-2 MoS_2表面のSTM像
• 29a-WB-4 MoS_2およびMoSe_2表面のSTM像
• 25pYK-14 Si中の多面体Bクラスターの第一原理的研究(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 28pRF-2 Siへの高濃度Bドーピング : 理論からのアプローチ(28pRF 領域10,領域4,領域8合同シンポジウム:高濃度ドープへの挑戦とそれに伴う格子欠陥の解決,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28pRF-2 Siへの高濃度Bドーピング : 理論からのアプローチ(28pRF 領域10,領域4,領域8合同シンポジウム:高濃度ドープへの挑戦とそれに伴う格子欠陥の解決,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 23pXA-11 第一原理k・p摂動法によるSi薄膜電子状態の膜厚依存性研究(23pXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 領域9「探針型プローブ-表面間相互作用の新展開」(第62回年次大会シンポジウムの報告)
• 24pXJ-4 歪みSi薄膜における有効質量異常の物理的起源 : 第一原理的研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 18aWH-10 歪みSi薄膜における有効質量異常 : 第一原理的研究(ナノ構造量子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 学会誌の記事を広く楽しく読むために : 第一原理計算を理解するために(「学会誌の記事を広く楽しく読むために」[第5回])
• 30aPS-14 歪Si薄膜における電子輸送特性に関する第一原理的研究(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pYE-8 水素終端Ge薄膜の電子輸送特性に関する第一原理的研究(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-162 水素終端Si薄膜における電子輸送特性の第一原理的研究(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 14pYB-6 Si 薄膜の電子状態と輸送特性 : 固体から sub-nm 厚膜まで(量子ドット・量子閉じ込め : 実験, 領域 4)
• 27aYG-6 第一原理計算によるSi中のNのAs活性化への影響予測(化合物・輸送・アモルファス・不純物)(領域4)
• 29aZK-1 第一原理計算による Si 結晶中の In 不活性化機構解析と制御
• 31a-XA-15 ポリピロールのESR研究
• シリコンナノ構造の第一原理計算--有効質量異常の発現
• 30a-PS-7 水素終端シリコン表面上の原子サイズ細線の電子状態の理論計算
• 2p-YX-2 ポリピロールの電子スピン緩和に関する研究
• 3a-K-5 Si(001)表面におけるハロゲン(塩素、臭素)吸着過程の理論解析
• 2p-PSA-7 SrTiO_3(001)表面の電子状態におけるO空格子の影響
• 29p-WC-9 Al表面上での塩素分子の解離吸着過程の理論解析
• 29a-WB-9 Ultrasoft 擬ポテンシャルによる c-BN(001)表面のEnergetics
• 28a-WC-10 Ultrasoft擬ポテンシャルによるSrTiO_3表面の電子状態
• 14a-DJ-3 第一原理分子動力学法によるc-BNの再構成表面構造
• 26a-Z-1 ノルム非保存型擬ポテンシャルを用いた電子構造計算
• 25a-R-2 第一原理的分子動力学法によるSi(100)/Cの安定構造
• 27pTJ-12 第一原理XPS計算によるSi結晶の不純物B形態の同定(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 領域10・領域4「格子欠陥・ナノ構造の3次元実空間解析」(2011年秋季大会シンポジウムの報告,学会報告)
• 24aCD-3 コア電子XPSによるSi結晶中不純物クラスターの第一原理的研究(24aCD 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27pXS-3 格子欠陥用第一原理XPS計算擬ポテンシャルの元素依存性(27pXS 格子欠陥・ナノ構造(招待・理論・電子論・金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27pXS-5 化合物半導体中不純物の第一原理XPS計算(27pXS 格子欠陥・ナノ構造(招待・理論・電子論・金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27pXS-4 第一原理XPS計算によるSi結晶中Asクラスターの構造予測(27pXS 格子欠陥・ナノ構造(招待・理論・電子論・金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 25aKA-7 SiC中不純物の第一原理XPS計算(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク