24aPS-162 水素終端Si薄膜における電子輸送特性の第一原理的研究(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2005-03-04

著者

• 山内 淳

  慶大理工

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