21aRB-12 Si/SiO_2界画における炭素欠陥の第一原理的研究(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2008-08-25

著者

• 山内 淳

  慶大理工

• 伊集院 明

  慶大理工

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