23pXA-11 第一原理k・p摂動法によるSi薄膜電子状態の膜厚依存性研究(23pXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2008-08-25

著者

• 山内 淳

  慶大理工

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