27pTJ-12 第一原理XPS計算によるSi結晶の不純物B形態の同定(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

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概要

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• 2011-03-03

著者

• 山内 淳

  慶大理工

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