イオンプレーティング法で作製したMgO薄膜の二次電子放出特性
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概要
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イオンプレーティング(IP)法により作製したMgO薄膜の二次電子放出係数(γ)は従来の電子ビーム(EB)膜よりも大きな値を示した。IP法で作製したMgO薄膜では、緻密な柱状組織が基板界面から成長しており、最表面では結晶面が明瞭に形成されていた。このような結晶の特徴がMgO薄膜からのγ向上に寄与していると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-01-22
著者
-
加藤 明
(株)日立製作所日立研究所
-
鬼沢 賢一
日立
-
鬼沢 賢一
(株)日立製作所日立研究所
-
峯村 哲郎
株式会社日立製作所日立研究所
-
梶山 博司
株式会社日立製作所日立研究所
-
床本 勲
新明和工業株式会社開発センタ
-
梶山 博司
(株)日立製作所基礎研究所
-
加藤 明
(株)日立製作所
-
峯村 哲郎
(株)日立製作所日立研究所
-
上谷 一夫
新明和工業(株)開発センター
-
井原 靖
新明和工業(株)開発センター
-
小泉 康浩
新明和工業(株) 開発センタ
-
能勢 功一
新明和工業(株) 開発センタ
-
能勢 功一
新明和工業(株)開発センタ
-
小泉 康浩
新明和工業(株)開発センタ
-
能勢 功一
新明和工業
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