ゾルゲル法による五酸化タンタル膜の合成と性質
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概要
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ゾルゲル法による五酸化タンタル薄膜の合成を検討した.ピンホールやクラック発生の無い平滑な膜を作製するための成膜条件,特に,ゾル溶液作製における塩酸の添加効果を明らかにした.得られた膜について,膜の分光特性および電気的性質を調べた.合成した膜は非晶質であり,720℃で結晶化する.膜の比誘電率は,熱処理温度と共に上昇するが,耐電圧特性は,600℃以上の熱処理により急激に低下する.高比誘電率と高耐電圧の両立する最適熱処理温度は,400℃である.耐電圧特性の急激な低下は,TEM観察の結果より,膜の結晶化によるピンホールの発生に基づくと推定される.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-03-25
著者
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