赤木 和人 | 東大理

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概要

• 同名の論文著者
• 東大理の論文著者

関連著者

• 赤木 和人

  東大理

• 塚田 捷

  東大理

• 赤木 和人

  東京大学物性研究所

• 田村 了

  東大理

• 秋山 亨

  三重大工

• 影島 博之

  NTT物性基礎研

• 赤木 和人

  東北大WPI

• 秋山 亨

  三重大学大学院工学研究科

• 植松 真司

  NTT物性科学基礎研究所

• 塚田 捷

  東北大学原子分子材料科学高等研究機構

• 白石 賢二

  筑波大学物理学系

• 赤木 和人

  東大院理

• 白石 賢二

  筑波大物理

• 赤木 和人

  東北大

• 井原 茂男

  日立中研

• 伊藤 智

  日立中研

• 植松 真司

  慶応義塾大学大学院理工学研究科

• 朝倉 清高

  北海道大学触媒化学研究センター

• 常行 真司

  東京大学大学院理学系研究科物理学専攻

• 常行 真司

  東大理

• 朝倉 清高

  東大理

• 朝倉 清高

  北大触媒セ

• 朝倉 清高

  北海道大学

• 朝倉 清高

  北大触媒化学研究センター

• 赤木 和人

  東大・理

• 塚田 捷

  東京大学理学部物理学科

• 常行 真司

  NTT物性基礎研

• 赤木 和人

  東北大学原子分子材料科学高等研究機構

• 吉本 芳英

  東大理

• 朝倉 清高

  北海道大学大学院工学院量子理工学専攻

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著作論文

• 30a-J-12 フラーレンにおける多角形構造II : 多角形欠陥を含む極小曲面
• 30a-J-11 フラーレンにおける多角形構造I : 多角形欠陥およびらせん転位
• 先端追跡
• 15aPS-29 SiO_2/Si(100) での格子間 Si の研究(領域 9)
• 21pXA-9 SiO_2/Si(100) 界面近傍における余剰 Si 点欠陥の安定性
• 31a-S-9 Si(001)修飾面における水分子の移動と解離吸着
• 26p-YM-5 Si(001)清浄表面における水の協調的相互作用
• 5a-B-3 Si(001)水素終端面での水の吸着状態の第一原理計算
• 4a-R-4 コイル状カーボンナノチューブの電子状態

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