常行 真司 | 東大理
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概要
関連著者
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常行 真司
東大理
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常行 真司
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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常行 真司
東大院理
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常行 真司
東大院理:物性研
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合田 義弘
東大院理
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合田 義弘
東大理
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吉本 芳英
東大物性研
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塚田 捷
東大理
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青木 秀夫
東大理
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吉本 芳英
東京大学物性研究所
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松井 義人
岡山大地内研
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島 信幸
東大理
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松井 義人
岡山大地球研
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島 信幸
東大・理・物理
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中村 和磨
東大工
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中村 和磨
東大院工
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有田 亮太郎
東大理
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白石 賢二
筑波大物理
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中村 和磨
東大理
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河村 光晶
東大理
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常行 真司
東大理:東大物性研
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中村 和磨
東大工:JST-CREST
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押山 淳
東大院工
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秋山 亨
三重大工
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梅澤 直人
物質材料研究機構(NIMS)
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小林 孝嘉
東大理
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影島 博之
NTT物性基礎研
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中辻 寛
東大物性研
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小森 文夫
東大物性研
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上村 洸
東京理科大学総合研究機構
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赤木 和人
東北大WPI
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常行 真司
東京大学大学院理学系研究科
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小杉 太一
東大院理
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秋山 亨
三重大学大学院工学研究科
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大野 隆央
物材機構計算科学セ
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押山 淳
東大物工
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大野 隆央
物材機構(NIMS)計算材料セ
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白石 賢二
NTT物性科学基礎研究所
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植松 真司
NTT物性科学基礎研究所
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白石 賢二
筑波大学物理学系
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土浦 宏紀
東北大工
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高木 康多
東大物性研
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上村 洸
東大理
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赤木 和人
東大院理
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大野 隆央
物材機構
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上村 洸
東大理物理
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梅澤 直人
南カリフォルニア大
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島 信幸
姫路工大理
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白石 賢二
筑波大学数理物質科学研究科物質創成先端科学専攻
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赤木 和人
東北大
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梅澤 直人
物材機構
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赤木 和人
東大理
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押山 淳
筑波大物理
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岩井 順一
東大理
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小杉 太一
東大理
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植松 真司
慶応義塾大学大学院理工学研究科
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池田 秀嗣
出光興産中研
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塚田 健
東大理
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合田 義弘
東大物性研
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池田 秀嗣
出光中研
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小高 忠勇
阪大理
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岩崎 健男
東大理
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影島 博之
東大理
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見澤 英樹
東大理
著作論文
- 25pRA-4 窒化物半導体/ホウ素化合物界面の第一原理計算(表面磁性,領域3,領域9合同,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26aQL-2 第一原理電子状態計算のフロンティア(第一原理電子状態計算のフロンティアと次世代計算機への期待,領域11,領域4,領域8,領域9,領域12合同シンポジウム,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26aQL-2 第一原理電子状態計算のフロンティア(領域11,領域4,領域8,領域9,領域12合同シンポジウム:第一原理電子状態計算のフロンティアと次世代計算機への期待,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 25pRA-4 窒化物半導体/ホウ素化合物界面の第一原理計算(領域3,領域9合同 表面磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
- 26aQL-2 第一原理電子状態計算のフロンティア(領域11,領域4,領域8,領域9,領域12合同シンポジウム:第一原理電子状態計算のフロンティアと次世代計算機への期待,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 15aTB-2 TC-VMC 法による He 原子の励起状態計算(電子系 : 第一原理計算, 領域 11)
- 27pRC-12 三次元重合フラーレンの第一原理計算(27pRC フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 15aPS-29 SiO_2/Si(100) での格子間 Si の研究(領域 9)
- 26p-M-13 SiO_2の圧力誘起原子拡散のシミュレーション
- 5a-X-12 分子動力学法で見た石英(水晶)のα-β構造相転移
- 4a-B1-4 第一原理的対ポテンシャルによるSiO_2系のMD
- 27a-S-1 分子動力学法のためのSiO_2系原子間力の非経験的導出
- 31aWD-7 STM による Ge(001) 清浄面の超構造制御
- 25aXD-1 N/Cu(001)の表面歪みの理解におけるsurface stiffnessの必要性(表面・界面構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 27aPS-14 3d遷移金属のオンサイト有効クーロン相互作用の第一原理計算(領域11,領域12合同ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 15aTB-4 遍歴電子系及び強相関電子系のハバード U の第一原理計算(電子系 : 第一原理計算, 領域 11)
- 15aPS-42 N/Cu(001) 自己組織化表面での狭い島間ギャップの生成理由(領域 9)
- 20aPS-24 第一原理計算による吸着子の Cu(001) 表面の表面張力への影響の研究
- 29aWJ-12 前処理による金属等の電子状態計算の SCF iteration の加速
- 第20回半導体物理国際会議
- 5a-TC-17 可溶性ポリジアセチレンの過渡吸収スペクトル
- 28pTG-3 第一原理計算による窒化物/ホウ化物界面のスピン物性(28pTG 表面界面電子物性(シミュレーション),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pGT-7 超伝導密度汎関数理論による超伝導転移温度の第一原理的予測(21pGT 電子系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 23pHA-8 非磁性元素界面における磁性の可能性(23pHA 表面界面電子物性(シミュレーション),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aPS-32 定圧定温のレプリカ交換分子動力学法(領域11,領域12合同ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 26pCJ-2 第一原理計算による希薄窒化物GaNPの光学伝導度(26pCJ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19aEC-12 GaN結晶成長に伴うグラフェンの構造相転移(19aEC 領域7,領域9合同 グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))
- 領域8,領域3,領域4,領域7,領域9,領域10「元素戦略が促進する分野融合と物理」(第68回年次大会シンポジウムの報告,学会報告)
- 26pPSA-40 Nd_2Fe_B焼結磁石における主相-Nd酸化物相界面構造の第一原理計算(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aKH-8 線形応答計算に現れるBrillouin領域積分のための改良テトラヘドロン法の開発(電子系1,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 29p-H-13 (CO_2)Nクラスターの電子付着機構(表面・界面)
- 1a-BG-2 低速イオン散乱における再イオン化機構(1a BG 表面・界面)
- 3a-A1-8 低速イオン散乱における再イオン化率とエネルギー損失の理論(3a A1 表面・界面,量子エレクトロニクス)