大野 隆央 | 物材機構(NIMS)計算材料セ
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概要
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大野 隆央
物材機構(NIMS)計算材料セ
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大野 隆央
物材機構
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大野 隆央
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宮下 精二
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物材機構:jst-crest
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尾崎 泰助
北陸先端大融合院
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宇田 毅
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宇田 毅
(株)ASMS
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宇田 毅
アドバンスソフト株式会社第2部
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産総研計算科学
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物質・材料研究機構
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東大生研
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籾田 浩義
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籾田 浩義
東京大学生産技術研究所
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古賀 裕明
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山本 武範
東大生研:東邦大理
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山本 武範
東邦大理:東大生研
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産総研RICS
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檜貝 信一
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檜貝 信一
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宮下 精二
京都大学・人間環境学研究科
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熊谷 雅美
Ntt物性研
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矢久保 考介
北大工
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小西 優祐
東大理
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宮下 精二
東大理:crest-jst
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物材機構MANA
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館山 佳尚
物材機構mana:物材機構環境拠点:jstさきがけ:jst-crest
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藤本 義隆
東工大理
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小山 紀久
物材機構
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中村 美道
東大生研
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山本 武範
アドバンスソフト
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籾田 浩義
東大生研
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高河原 俊秀
京都工繊大電情
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高河原 俊秀
京都工繊大
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館山 佳尚
物材機構 計算材料科学研究センター
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押山 淳
東大院工
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山本 武範
東大生研
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梅澤 直人
物質材料研究機構(NIMS)
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常行 真司
東大院理
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常行 真司
東京大学大学院理学系研究科
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常行 真司
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物材機構計算科学セ
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押山 淳
東大物工
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宮本 良之
NEC基礎・環境研CNT応用研究センター
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NTT物性基礎研
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宮崎 剛
物質・材料研究機構
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産経研
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NTT物性科学基礎研究所
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日立基礎研
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山本 武範
東邦大理
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梅澤 直人
南カリフォルニア大
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白石 賢二
筑波大学数理物質科学研究科物質創成先端科学専攻
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白石 賢二
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高木 祥光
筑波大計科セ:crest
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梅澤 直人
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相澤 秀昭
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相澤 秀昭
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NEC(株)ナノエレクトロニクス研究所 新概念デバイスTG
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宮本 良之
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産総研ナノテク
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東大工
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籾田 浩義
物材機構
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籾田 浩義
東大生産研
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東大生産研
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高木 祥光
東大生産研
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宮崎 剛
物材機構
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近藤 恒
物材機構
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浅利 裕介
物材機構
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中村 美道
物材機構
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藤本 義隆
東大生研
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耿 文通
物材機構
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宮本 良之
NEC 基礎研究所
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藤本 義隆
物材機構(NIMS)
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Boukheddaden K.
Vbrsailles大
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Vbrsailles大
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宮崎 剛
東理大理工:物材機構
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小林 伸彦
筑波大学物理工学系
著作論文
- 12aXF-3 Au(111) 表面上のチオレート分子吸着のテール分子依存性 : 理論的研究(表面界面構造 : 金属・有機化合物, 領域 9)
- 20aPS-43 Au(111) 表面におけるベンゼンチオールの吸着状態に関する第一原理計算 II
- 31pWD-7 Au(111) 表面におけるベンゼンチオールの吸着状態に関する第一原理計算
- 30aPS-61 第一原理計算による鉄ポルフィリン分子の伝導特性(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-68 金属電極に挟まれた単分子の伝導の第一原理計算(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aXD-8 金電極に挟まれたポリフェニルジチオール分子の伝導特性(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 30aXH-2 実時間発展TDDFTを用いた分子の光励起状態の電子-核ダイナミクス(30aXH 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 27pPSA-38 水素終端Si(001)表面における水素原子の反応性散乱過程の量子論(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 15aTB-2 TC-VMC 法による He 原子の励起状態計算(電子系 : 第一原理計算, 領域 11)
- 21pXA-4 シリコン中 30 度部分転位のダイナミクス
- 24aPS-106 金属電極に挟まれた1次元分子列の電気伝導特性(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 31aZE-9 NO/Pt(111) の振動スペクトルの理論的解析
- 22pPSB-19 金クラスターのCO酸化触媒活性に関する密度汎関数計算(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-57 自己形成ビスマスナノライン上に成長する銀ナノ構造に関する第一原理計算(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pPSB-45 ビスマスナノライン上銀吸着構造の第一原理計算(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-34 cBN薄膜成長過程の第一原理計算による研究(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 21pWA-12 第一原理手法による圧電物性解析(電子系,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 29pXJ-8 Si(001)/SrTiO_3界面のバンド不連続に関する研究(29pXJ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30pYA-2 第一原理計算によるアモルファスHfAlOの誘電応答解析(30pYA 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 12aTJ-7 立方晶 Ce_2O_3 の格子誘電率の第一原理計算(フォノン物性, 領域 10)
- 26aYH-12 分子架橋系の伝導特性に対する分子電極間相互作用の役割(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 29pPSB-15 第一原理計算によるビフェニル分子架橋系の伝導特性(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pXA-12 金電極に挟まれたビフェニル分子の伝導特性 : 分子電極間相互作用の役割(21pXA 領域9,領域7合同 ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pRJ-5 金電極に挟まれたビフェニル分子の伝導特性 : 接続原子依存性(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20pXB-1 κアルミナ中の水素の存在状態に関する理論的研究(領域10,領域9合同 格子欠陥・ナノ構造(水素ダイナミクス),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 30aPS-51 Si(001)表面上ダイハイドライドの振動計算(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 15aPS-71 第一原理計算による有機分子の電気伝導特性(領域 9)
- 25pWB-1 半導体ナノチューブ構造における励起子の光過程(25pWB 励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
- 27pRE-2 半導体ナノチューブ構造の励起子過程における誘電率効果(27pRE 励起子・ポラリトン・高密度励起現象・局在中心・新物質,領域5(光物性))
- 21aXF-14 半導体ナノチューブ構造における励起子過程(表面・微粒子・ナノ結晶・低次元,領域5(光物性))
- 24aRA-13 カーボンナノチューブ内の強誘電的液体状の水(24aRA ナノチューブ2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aPS-61 第一原理計算による単分子架橋系の伝導特性 : 非弾性過程(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22aXF-13 フラーレンを内包したカーボンナノチューブの伝導特性
- 23aYH-5 光誘起相転移現象を示すスピンクロスオーバー系の弾性相互作用モデルによる緩和現象の解析(光誘起相転移,他,領域5,領域7合同講演,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 22pTQ-7 光誘起相転移現象を示すスピンクロスオーバー系の弾性的相互作用による協力現象の解析(光誘起相転移,領域5,光物性)
- 24pXK-10 電極に挟まれた単分子の伝導特性 : 電子・フォノン相互作用の効果(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27pPSA-56 金電極に挟まれた分子の伝導特性(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 27pPSA-57 金属電極に挟まれたベンゼンジチオールの伝導特性に関する理論的研究(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 15aPS-15 電極に挟まれたナノ構造の電気伝導特性の第一原理計算 (II)(領域 9)
- 20aPS-54 第一原理に基づく金原子細線の電気伝導特性計算
- 20aZB-3 光誘起相転移を示すスピンクロスオーバー化合物の二次元弾性体モデルによる体積および圧力変化の解析(光誘起相転移,領域5,光物性)
- 23aRA-4 光誘起相転移を示すスピンクロスオーバー系の弾性体モデルの解析(23aRA 光誘起相転移,領域5(光物性))
- 27aRE-8 弾性体モデルによるスピンクロスオーバー現象の解析と光励起状態からの緩和過程の考察(27aRE 光誘起相転移,領域5(光物性))
- 19aXB-5 光照射により誘起される磁気秩序及びスピンクロスオーバー現象の非平衡ダイナミクス(光誘起相転移・磁性・新物質・顕微,領域5(光物性))