宇田 毅 | アドバンスソフト株式会社第2部

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概要

• 同名の論文著者
• アドバンスソフト株式会社第2部の論文著者

関連著者

• 宇田 毅

  アドバンスソフト株式会社第2部

• 宇田 毅

  アドバンスソフト

• 宇田 毅

  (株)ASMS

• 籾田 浩義

  物質・材料研究機構

• 濱田 智之

  東大生研

• 大野 隆央

  物材機構:東大生研

• 籾田 浩義

  物質・材料研究機構計算科学センター

• 籾田 浩義

  東京大学生産技術研究所

• 山本 武範

  東大生研:東邦大理

• 山本 武範

  東邦大理:東大生研

• 大野 隆央

  物材機構(NIMS)計算材料セ

• 大野 隆央

  物材機構

• 山本 武範

  アドバンスソフト

• 籾田 浩義

  東大生研

• 山本 武範

  東大生研

• 加藤 弘一

  (株)東芝研究開発センター新機能材料・デバイスラボラトリー

• 山崎 隆浩

  富士通研究所

• 山本 武範

  東邦大理

• 加藤 弘一

  東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 大野 隆央

  金属材料技術研究所

• 高木 祥光

  筑波大計科セ:crest

• 大野 隆央

  独立行政法人 物質･材料研究機構計算材料科学研究センタｰ

• 加藤 弘一

  東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボ

• 籾田 浩義

  物材機構

• 籾田 浩義

  東大生産研

• 濱田 智之

  東大生産研

• 高木 祥光

  東大生産研

• 濱田 智之

  東京大学生産技術研究所

• 山崎 隆浩

  富士通研究所基盤技術研究所

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著作論文

• 第一原理シミュレータAdvance/PHASEの応用(製品開発とシミュレーション)
• Si(100)表面初期酸化における層状成長とP_欠陥生成
• 21pWA-12 第一原理手法による圧電物性解析(電子系,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 29pXJ-8 Si(001)/SrTiO_3界面のバンド不連続に関する研究(29pXJ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30pYA-2 第一原理計算によるアモルファスHfAlOの誘電応答解析(30pYA 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• ゲート絶縁膜材料の誘電率の第一原理計算 : 電子系及び格子系の誘電応答解析(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• 12aTJ-7 立方晶 Ce_2O_3 の格子誘電率の第一原理計算(フォノン物性, 領域 10)

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