小林 功佳 | お茶大理
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概要
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小林 功佳
お茶大理
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植竹 智哉
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東京大学理学系研究科物理学専攻
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野上 陽加里
お茶大理
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中尾 裕美
お茶大理
著作論文
- 27p-E-9 走査トンネル顕微鏡からの発光の微視的理論
- 5a-PS-11 STM探針・表面間の電子移動とAFMのシミュレーション
- 28aYB-3 半導体表面上2次元貴金属合金相のフェルミ面研究(28aYB 表面界面電子物性,表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28a-Y-1 Rh(111)表面に共吸着したC_6H_6とCO分子の電子状態とSTM像のシミュレーション
- 27a-ZF-1 遷移金属表面の吸着分子のSTMのシミュレーション
- 29p-BPS-41 グラファイト表面の吸着分子のSTMのシミュレーション
- 29p-BPS-40 遷移金属上の単原子グラファイトのSTM像の理論
- 25p-PS-57 Si(111)√×√-B/defect表面のSTSにおける負性微分抵抗の理論
- 25a-R-10 Si(100)再配列構造表面のSTM/STSの理論シミュレーション
- 5p-E-8 Si(111)√3×√3-B/defect表面のSTSにおける負微分抵抗の理論
- 5a-PS-12 探針構造を考慮したSi(100)表面のSTM/STSの理論
- 2a-T-3 STM/STSにおける探針の組成の効果
- 30p-TA-4 Si表面に吸着したホウ素サイトのSTSシミュレーション
- 電子状態理論による走査トンネル顕微鏡/分光のシミュレ-ション
- 6a-T-9 グラファイトのSTM像の非経験的計算
- 6a-T-8 探針のクラスター模型によるSTSの理論
- 2a-T-5 クーロンブロッケードの数値シミュレーション
- 31P-T-2 グラファイトへき開面上の原子スケール摩擦現象の理論解析
- 3p-K-5 FFMによるグラファイトの原子スケール摩擦像の計算
- 31p-PSB-13 STMにおけるモアレ・パターン : 表面内部ナノ構造観察のメカニズム
- H. J. Guntherodt and R. Wiesendanger, ed., Scanning Tunneling Microscopy I, Springer-Verlag, Berlin and Heidelberg, 1994, xii+280p., 23.6×15.6cm, 7,590円, Springer Series in Surface Science Vol. 20 2nd edition
- 29p-S-2 MoS_2表面のSTM像
- 29a-WB-4 MoS_2およびMoSe_2表面のSTM像
- 12p-DH-5 単原子層グラファイトのSTMにおけるモアレ像のシミュレーション
- 29a-H-9 グラファイトのステップでのSTM/STS
- 26a-Z-7 TiC(111)表面上の単原子層グラファイトの理論
- 26a-Z-6 Ni(111)面上の単原子層グラファイトの電子状態
- 28a-ZS-5 Si(001)ステップ表面の電子状態とSTM/STSの理論シミュレーション
- 27a-ZF-2 TiC(111)表面上の単原子層グラファイトの電子状態とSTM像
- 5a-PS-10 レーザー差周波放射光強度から得られるSTM像の理論
- 2a-T-2 レーザー差周波放射光強度から得られるSTM像の解析
- 27pPSA-5 低温型独立駆動4探針STMによるSi(111)4×1-In上Ag薄膜の輸送特性測定II(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pPSB-3 低温型独立駆動4探針STMによるSi(111)4×1-In上Ag薄膜の輸送特性測定III(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pCK-4 Bi_2Te_3上のBi超薄膜の電子状態と表面構造解析(25pCK トポロジカル絶縁体,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aJA-10 ビスマス超薄膜における半金属半導体転移の検証(トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-37 2層シリセンの電子透過特性の計算(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))