内山 登志弘 | 松下技研(株)

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概要

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関連著者

• 内山 登志弘

  松下技研(株)

• 塚田 捷

  東大理

• 内山 登志弘

  松下技研

• 清水 達雄

  (株)東芝研究開発センター

• 横塚 達男

  松下技研

• 塚田 捷

  東京大学理学部

• 渡辺 聡

  新技術事業団青野原子制御表面プロジェクト

• 内山 登志弘

  Matsushita Research Institute Tokyo, Inc.

• 清水 達雄

  株式会社東芝研究開発センター

• 小林 功佳

  東大理

• 伊藤 信

  松下技研

• 田中 英行

  松下技研

• 宇田川 昌治

  松下技研

• 小林 功佳

  お茶大理

• 宇田川 昌治

  松下技研(株)新素材研究所

• 渡辺 由雄

  松下技研

• 住田 勳勇

  松下技研

• 田中 英行

  松下技研株式会社

• 内山 登志弘

  松下技研(株)新素材研究所

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著作論文

• 吸着系における走査トンネル顕微鏡/分光の理論
• 24a-PS-34 FI-STMによるSi(111)7x7ドメイン境界とステップの研究
• 28a-ZS-5 Si(001)ステップ表面の電子状態とSTM/STSの理論シミュレーション
• Si(001)面における酸素吸着の先駆状態
• シリコン表面における酸素吸着の理論
• 31p-PSB-19 Si(001)表面における酸素原子吸着のSTM像
• 31a-J-2 Si(001)表面における酸素原子の吸着構造の第一原理計算
• 15a-DJ-10 Si(001)表面のC型原子状欠陥とSTM像
• 1a-H-8 Si(001)面の水素吸着系とSTM像
• 28a-Y-2 水素終端化Si(001)面の電子状態とSTM像

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