24a-PS-34 FI-STMによるSi(111)7x7ドメイン境界とステップの研究
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1991-03-11
著者
-
横塚 達男
松下技研
-
伊藤 信
松下技研
-
田中 英行
松下技研
-
宇田川 昌治
松下技研
-
宇田川 昌治
松下技研(株)新素材研究所
-
内山 登志弘
松下技研
-
渡辺 由雄
松下技研
-
住田 勳勇
松下技研
-
田中 英行
松下技研株式会社
-
内山 登志弘
松下技研(株)
関連論文
- 27a-N-7 角度分解UPSによる黒リンのバンド構造の研究
- 3a-E-2 SORによる銅の角度分解光電子スペクトル
- 吸着系における走査トンネル顕微鏡/分光の理論
- 30a-ZF-3 Si(111)7x7表面におけるステップの再構造化とステップ成長
- 4p-E-2 S1(111)√×√-Alの角度分解UPS
- 3p-RJ-10 Sm/Ge(111)表面の角度分解UPS,II
- 30a-A-8 YbとSrの初期酸化過程の光電子スペクトル
- Si (001) 表面の酸化初期過程の走査型トンネル顕微鏡観察
- 29a-H-6 Si(111)表面再構成の力学的機構
- 24a-PS-34 FI-STMによるSi(111)7x7ドメイン境界とステップの研究
- 4p-NM-7 Sm,Eu,Gd,Ybの表面4f準位-I;SOR,UPS
- 4p-NM-6 光電子の運動量不確認性と1T-TaS_2のバンド構造
- 28p-PSB-26 Ge(111) 結晶成長の動画による解析
- 5)レーザイオン化法によるPDP保護膜材料の二次電子放出比(γ)の測定(情報ディスプレイ研究会)
- 12a-Y-8 Sn/Ge(111)表面の角度分解UPS
- 27a-Y-5 Si(111)(1×1), (7×7)表面電子状態の温度変化
- 28a-ZS-5 Si(001)ステップ表面の電子状態とSTM/STSの理論シミュレーション
- 29a-G-12 メタステーブル原子電子分光によるLaCoO_3の電子状態 : サテライトバンドの強調現象
- 29a-D-1 分子動力学法による表面加工のシミュレーション
- 30a-BE-4 Si(111)-√×√Agの角度分解UPS
- 1p-A-1 Si(111)1×1表面電子状態のUPS
- 31a-J-3 Si(111)7×7表面の角度分解UPS
- 6a-T-2 FI-STMによるSi表面の水素吸着の研究
- Si(001)面における酸素吸着の先駆状態
- シリコン表面における酸素吸着の理論
- 31p-PSB-19 Si(001)表面における酸素原子吸着のSTM像
- 31a-J-2 Si(001)表面における酸素原子の吸着構造の第一原理計算
- 15a-DJ-10 Si(001)表面のC型原子状欠陥とSTM像
- 1a-H-8 Si(001)面の水素吸着系とSTM像
- 28a-Y-2 水素終端化Si(001)面の電子状態とSTM像
- 6a-T-1 多目的FI-STM(電界イオン-走査トンネル複合顕微鏡)の開発
- 6p-F-14 薄膜ガーネット中のNd^3+イオン効果
- 走査トンネル顕微鏡による高温Si(111)上のCuの成長過程
- 29a-WB-2 Cu/Si(111)"5x5"成長過程のSTMによる観察
- 30a-H-9 高温で成長させたCu/Si(111)のSTMによる観察
- 25p-Y-9 Cu/Si(111)の成長過程のSTMによる観察
- 29p-BPS-34 微傾斜Si(111)における(331)6x3ファセット
- 7)DC型PDP用新カソード材料の特性(情報ディスプレイ研究会)
- DC型PDP用新カソード材料の特性 : 情報ディスプレイ