内山 登志弘 | 松下技研

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概要

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著作論文

• 24a-PS-34 FI-STMによるSi(111)7x7ドメイン境界とステップの研究
• 28a-ZS-5 Si(001)ステップ表面の電子状態とSTM/STSの理論シミュレーション
• 15a-DJ-10 Si(001)表面のC型原子状欠陥とSTM像
• 1a-H-8 Si(001)面の水素吸着系とSTM像
• 28a-Y-2 水素終端化Si(001)面の電子状態とSTM像

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