小林 功佳 | お茶の水女子大学理学部物理学科
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概要
関連著者
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小林 功佳
お茶の水女子大学理学部物理学科
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小林 功佳
お茶の水大理
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小林 功佳
お茶の水大・理
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小林 功佳
お茶の水大物理
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長谷川 修司
東大理
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平原 徹
東大理
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松田 巌
東大理
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内橋 隆
物材機構
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長谷川 修司
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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小林 功佳
お茶大理
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松田 巌
東大物性研
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保原 麗
東大理
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白澤 徹郎
東大物性研
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高橋 敏男
東大物性研
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中山 知信
物材機構
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永村 直佳
東大理
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保原 麗
東京大学大学院理学系研究科物理学教室
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植竹 智哉
東大理
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松田 巌
東大物性研究所
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福居 直哉
東大理
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小林 功佳
お茶の水女子大
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永村 直佳
東大院工:東大放射光機構
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野中 源一郎
九州大学薬学部
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木村 真一
分子研
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中村 史一
東大院理
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一宮 彪彦
原子力機構先端基礎研
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柿崎 明人
東大物性研
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奥田 太一
広大放射光セ
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奥田 太一
広大放セ
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長谷川 幸雄
東大物性研
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小野 雅紀
東大物性研
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江口 豊明
東大物性研
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小河 愛実
東京大学理学系研究科物理学専攻
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柿崎 明人
東京大学物性研究所
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松波 雅冶
神戸大院自然
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一宮 彪彦
名大工
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一宮 彪彦
名古屋大学大学院工学研究科
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小野 雅紀
理研
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岡嶋 孝治
北大電子研
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長谷川 幸雄
東京大学物性研究所
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松田 厳
東大物性研
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小野 雅紀
理化学研究所
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奥田 太一
広島大学放射光科学研究センター
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中村 史一
東大理
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何 珂
東京大学物性研究所
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小河 愛実
東大物性研
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小林 功佳
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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奥田 太一
広島大放セ
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小林 功佳
お茶の水理
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中村 史一
東大理:東大物性研
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中村 史一
東大物性研究所
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永村 直佳
東工大
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山田 学
東大理
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松波 雅治
分子研uvosr:総研大物理
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永村 直佳
東大工
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He Ke
中国科学院
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宮崎 秀俊
名工大工
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相谷 昌紀
東大理
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奥田 太一
広大放射光セ・先端計測
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奥田 太一
広大放射光
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松波 雅治
分子研
著作論文
- 23pGL-4 双晶超格子ナノワイヤーの電子状態(23pGL ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pGQ-9 銀ストライプ表面における一次元的定在波のSTM観察II(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aXA-7 Si(111)√×√表面の吸着子周囲に誘起される定在波(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- グラフェンと負の屈折・スーパーレンズ : 2次元ディラック・フェルミオンの電子光学
- ナノスケールの表面電気伝導
- 弾道電子放射顕微鏡の原子分解能のメカニズム
- 走査トンネル顕微鏡と表面内部構造
- 層状物質表面の理論計算 : STMを中心として
- 26aWS-8 Si表面√×√相の擬ポテンシャルモデルによるエネルギーの安定性と位相シフトの考察(26aWS 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aWX-9 Bi_2Te_3およびBi_2Se_3表面ステップの電子状態(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 第14回SPM国際コロキウム(ICSPM14)報告
- 27aYG-2 銀ストライプ表面における一次元的定在波のSTM観察(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27aYG-3 積層欠陥を含むAg(111)ストライプ薄膜の電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 表面ステップの電気抵抗 (走査プローブ顕微鏡で見る固体物理 特集号) -- (理論)
- 30pRD-9 表面定在波のエネルギー依存性と次元性(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pXJ-3 相補的半導体界面の電子透過(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26aTH-4 トポロジカル絶縁体表面ステップの電子透過(26aTH 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-5 低温型独立駆動4探針STMによるSi(111)4×1-In上Ag薄膜の輸送特性測定II(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pPSB-3 低温型独立駆動4探針STMによるSi(111)4×1-In上Ag薄膜の輸送特性測定III(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aHA-1 Bi_2Te_3およびBi_2Se_3表面ステップの電子透過特性(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pCK-6 Sb表面ステップの電子透過特性(25pCK トポロジカル絶縁体,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pCK-4 Bi_2Te_3上のBi超薄膜の電子状態と表面構造解析(25pCK トポロジカル絶縁体,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pCK-3 Bi_2Te_3超薄膜および1BL BiのLEED-IV構造解析(25pCK トポロジカル絶縁体,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 18pFE-5 Bi-Bi_2Te_3界面の電子透過の計算(18pFE 表面界面電子物性・トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aXK-5 Bi_2Te_3基板上の1BL-Biのエッジ状態(26aXK 表面界面電子物性・トポロジカル,領域9(表面・界面,結晶成長))