小林 功佳 | お茶の水大・理

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概要

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• 小林 功佳

  お茶の水大理

• 小林 功佳

  お茶の水大・理

• 小林 功佳

  お茶の水女子大学理学部物理学科

• 小林 功佳

  お茶の水大物理

• 内橋 隆

  物材機構

• 中山 知信

  物材機構

• 長谷川 幸雄

  東大物性研

• 小野 雅紀

  東大物性研

• 江口 豊明

  東大物性研

• 小野 雅紀

  理研

• 岡嶋 孝治

  北大電子研

• 長谷川 幸雄

  東京大学物性研究所

• 小野 雅紀

  理化学研究所

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著作論文

• 23pGL-4 双晶超格子ナノワイヤーの電子状態(23pGL ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20pGQ-9 銀ストライプ表面における一次元的定在波のSTM観察II(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aXA-7 Si(111)√×√表面の吸着子周囲に誘起される定在波(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aWX-9 Bi_2Te_3およびBi_2Se_3表面ステップの電子状態(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 第14回SPM国際コロキウム(ICSPM14)報告
• 27aYG-2 銀ストライプ表面における一次元的定在波のSTM観察(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27aYG-3 積層欠陥を含むAg(111)ストライプ薄膜の電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 30pRD-9 表面定在波のエネルギー依存性と次元性(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pXJ-3 相補的半導体界面の電子透過(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26aTH-4 トポロジカル絶縁体表面ステップの電子透過(26aTH 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aHA-1 Bi_2Te_3およびBi_2Se_3表面ステップの電子透過特性(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pCK-6 Sb表面ステップの電子透過特性(25pCK トポロジカル絶縁体,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 18pFE-5 Bi-Bi_2Te_3界面の電子透過の計算(18pFE 表面界面電子物性・トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aXK-5 Bi_2Te_3基板上の1BL-Biのエッジ状態(26aXK 表面界面電子物性・トポロジカル,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aJA-11 Sb_2Te_3基板上のSb薄膜の電子状態計算(トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))

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