小林 功佳 | お茶の水大物理
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概要
関連著者
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小林 功佳
お茶の水大理
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小林 功佳
お茶の水大物理
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小林 功佳
お茶の水女子大学理学部物理学科
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小林 功佳
お茶の水大・理
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内橋 隆
物材機構
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中山 知信
物材機構
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長谷川 幸雄
東大物性研
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小野 雅紀
東大物性研
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江口 豊明
東大物性研
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小野 雅紀
理研
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岡嶋 孝治
北大電子研
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長谷川 幸雄
東京大学物性研究所
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小野 雅紀
理化学研究所
著作論文
- 23pGL-4 双晶超格子ナノワイヤーの電子状態(23pGL ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pGQ-9 銀ストライプ表面における一次元的定在波のSTM観察II(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aXA-7 Si(111)√×√表面の吸着子周囲に誘起される定在波(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pXJ-6 グラファイト格子の相補媒質(29pXJ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pWN-2 グラファイト蜂の巣結晶のエッジ状態(グラファイト・クラスター・クラスレート)(領域7)
- 25aWX-9 Bi_2Te_3およびBi_2Se_3表面ステップの電子状態(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 第14回SPM国際コロキウム(ICSPM14)報告
- 27aYG-2 銀ストライプ表面における一次元的定在波のSTM観察(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27aYG-3 積層欠陥を含むAg(111)ストライプ薄膜の電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30pRD-9 表面定在波のエネルギー依存性と次元性(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pXJ-3 相補的半導体界面の電子透過(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18pTG-8 エバネッセント波による界面状態の励起について(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24aYC-7 相補媒質系における波束の運動(24aYC 領域9,領域10,領域11合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pYE-12 電子の相補媒質(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aWB-6 Cu(111)表面ステップエッジでの表面状態電子の散乱(表面・界面電子物性(理論・シミュレーション),領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 14aXG-8 Si(111)√×√-Ag 表面ステップでの電気抵抗(表面界面電子物性, 領域 9)
- 20pYE-8 半導体ナノワイヤーの表面伝導
- 28aWD-9 IV 族半導体表面の二探針電気伝導度の計算
- 26aTH-4 トポロジカル絶縁体表面ステップの電子透過(26aTH 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aHA-1 Bi_2Te_3およびBi_2Se_3表面ステップの電子透過特性(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aRH-8 ショックレー表面状態による電気伝導
- 28aYQ-13 表面状態を経由する電気伝導の計算
- 森田清三, 走査型プローブ顕微鏡; 基礎と未来予測, 丸善, 東京, 2000, xii+182p., 21×14.5cm, 本体3,000円, [専門書]
- 25pWD-8 弾性散乱計算による非弾性散乱の平均自由行程
- 27pE-3 グラファイト・シート中の5員環欠陥のSTM像
- 29p-R-1 原子スケールのバリスティクな系としてのSTM
- A. Liebsch Electronic Excitations at Metal Surface Splenum Press, New York, 1997, xi+336p., 23.6×15.6cm, 18,560円 [専門書]
- 6p-B-4 BEEMにおけるトンネル電流と境界条件
- STMと表面内部構造
- 25pCK-6 Sb表面ステップの電子透過特性(25pCK トポロジカル絶縁体,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 18pFE-5 Bi-Bi_2Te_3界面の電子透過の計算(18pFE 表面界面電子物性・トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))