28pWN-2 グラファイト蜂の巣結晶のエッジ状態(グラファイト・クラスター・クラスレート)(領域7)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2004-03-03

著者

• 小林 功佳

  お茶の水大理

• 小林 功佳

  お茶の水大物理

関連論文

• 23pGL-4 双晶超格子ナノワイヤーの電子状態(23pGL ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20pGQ-9 銀ストライプ表面における一次元的定在波のSTM観察II(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aXA-7 Si(111)√×√表面の吸着子周囲に誘起される定在波(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pXJ-6 グラファイト格子の相補媒質(29pXJ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pWN-2 グラファイト蜂の巣結晶のエッジ状態(グラファイト・クラスター・クラスレート)(領域7)
• 28aYB-3 半導体表面上2次元貴金属合金相のフェルミ面研究(28aYB 表面界面電子物性,表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
• グラフェンと負の屈折・スーパーレンズ : 2次元ディラック・フェルミオンの電子光学
• 26aWS-8 Si表面√×√相の擬ポテンシャルモデルによるエネルギーの安定性と位相シフトの考察(26aWS 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aWX-9 Bi_2Te_3およびBi_2Se_3表面ステップの電子状態(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 第14回SPM国際コロキウム(ICSPM14)報告
• 27aYG-2 銀ストライプ表面における一次元的定在波のSTM観察(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27aYG-3 積層欠陥を含むAg(111)ストライプ薄膜の電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 表面ステップの電気抵抗 (走査プローブ顕微鏡で見る固体物理 特集号) -- (理論)
• 30pRD-9 表面定在波のエネルギー依存性と次元性(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pXJ-3 相補的半導体界面の電子透過(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 18pTG-8 エバネッセント波による界面状態の励起について(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 24aYC-7 相補媒質系における波束の運動(24aYC 領域9,領域10,領域11合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pYE-12 電子の相補媒質(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aWB-6 Cu(111)表面ステップエッジでの表面状態電子の散乱(表面・界面電子物性(理論・シミュレーション),領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 14aXG-8 Si(111)√×√-Ag 表面ステップでの電気抵抗(表面界面電子物性, 領域 9)
• 20pYE-8 半導体ナノワイヤーの表面伝導
• 28aWD-9 IV 族半導体表面の二探針電気伝導度の計算
• 26aTH-4 トポロジカル絶縁体表面ステップの電子透過(26aTH 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pPSA-5 低温型独立駆動4探針STMによるSi(111)4×1-In上Ag薄膜の輸送特性測定II(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pPSB-3 低温型独立駆動4探針STMによるSi(111)4×1-In上Ag薄膜の輸送特性測定III(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aHA-1 Bi_2Te_3およびBi_2Se_3表面ステップの電子透過特性(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20aRH-8 ショックレー表面状態による電気伝導
• 28aYQ-13 表面状態を経由する電気伝導の計算
• 森田清三, 走査型プローブ顕微鏡; 基礎と未来予測, 丸善, 東京, 2000, xii+182p., 21×14.5cm, 本体3,000円, [専門書]
• 25pWD-8 弾性散乱計算による非弾性散乱の平均自由行程
• 27pE-3 グラファイト・シート中の5員環欠陥のSTM像
• 29p-R-1 原子スケールのバリスティクな系としてのSTM
• 25a-YM-13 STM探針からブロッホ状態へのトンネル
• A. Liebsch Electronic Excitations at Metal Surface Splenum Press, New York, 1997, xi+336p., 23.6×15.6cm, 18,560円 [専門書]
• 6p-B-4 BEEMにおけるトンネル電流と境界条件
• STMと表面内部構造
• 25pCK-6 Sb表面ステップの電子透過特性(25pCK トポロジカル絶縁体,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pCK-4 Bi_2Te_3上のBi超薄膜の電子状態と表面構造解析(25pCK トポロジカル絶縁体,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pCK-3 Bi_2Te_3超薄膜および1BL BiのLEED-IV構造解析(25pCK トポロジカル絶縁体,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 18pFE-5 Bi-Bi_2Te_3界面の電子透過の計算(18pFE 表面界面電子物性・トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aXK-5 Bi_2Te_3基板上の1BL-Biのエッジ状態(26aXK 表面界面電子物性・トポロジカル,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aJA-10 ビスマス超薄膜における半金属半導体転移の検証(トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pPSA-37 2層シリセンの電子透過特性の計算(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aJA-11 Sb_2Te_3基板上のSb薄膜の電子状態計算(トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク