27pPSA-37 2層シリセンの電子透過特性の計算(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2013-08-26

著者

• 小林 功佳

  お茶の水大理

• 小林 功佳

  お茶大理

• 野上 陽加里

  お茶大理

• 中尾 裕美

  お茶大理

関連論文

• 23pGL-4 双晶超格子ナノワイヤーの電子状態(23pGL ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20pGQ-9 銀ストライプ表面における一次元的定在波のSTM観察II(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aXA-7 Si(111)√×√表面の吸着子周囲に誘起される定在波(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pXJ-6 グラファイト格子の相補媒質(29pXJ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pWN-2 グラファイト蜂の巣結晶のエッジ状態(グラファイト・クラスター・クラスレート)(領域7)
• 27p-E-9 走査トンネル顕微鏡からの発光の微視的理論
• 5a-PS-11 STM探針・表面間の電子移動とAFMのシミュレーション
• 28aYB-3 半導体表面上2次元貴金属合金相のフェルミ面研究(28aYB 表面界面電子物性,表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
• グラフェンと負の屈折・スーパーレンズ : 2次元ディラック・フェルミオンの電子光学
• 26aWS-8 Si表面√×√相の擬ポテンシャルモデルによるエネルギーの安定性と位相シフトの考察(26aWS 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aWX-9 Bi_2Te_3およびBi_2Se_3表面ステップの電子状態(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28a-Y-1 Rh(111)表面に共吸着したC_6H_6とCO分子の電子状態とSTM像のシミュレーション
• 27a-ZF-1 遷移金属表面の吸着分子のSTMのシミュレーション
• 29p-BPS-41 グラファイト表面の吸着分子のSTMのシミュレーション
• 29p-BPS-40 遷移金属上の単原子グラファイトのSTM像の理論
• 25p-PS-57 Si(111)√×√-B/defect表面のSTSにおける負性微分抵抗の理論
• 25a-R-10 Si(100)再配列構造表面のSTM/STSの理論シミュレーション
• 5p-E-8 Si(111)√3×√3-B/defect表面のSTSにおける負微分抵抗の理論
• 5a-PS-12 探針構造を考慮したSi(100)表面のSTM/STSの理論
• 2a-T-3 STM/STSにおける探針の組成の効果
• 30p-TA-4 Si表面に吸着したホウ素サイトのSTSシミュレーション
• 電子状態理論による走査トンネル顕微鏡/分光のシミュレ-ション
• 6a-T-9 グラファイトのSTM像の非経験的計算
• 6a-T-8 探針のクラスター模型によるSTSの理論
• 第14回SPM国際コロキウム(ICSPM14)報告
• 2a-T-5 クーロンブロッケードの数値シミュレーション
• 27aYG-2 銀ストライプ表面における一次元的定在波のSTM観察(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27aYG-3 積層欠陥を含むAg(111)ストライプ薄膜の電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 31P-T-2 グラファイトへき開面上の原子スケール摩擦現象の理論解析
• 3p-K-5 FFMによるグラファイトの原子スケール摩擦像の計算
• 31p-PSB-13 STMにおけるモアレ・パターン : 表面内部ナノ構造観察のメカニズム
• H. J. Guntherodt and R. Wiesendanger, ed., Scanning Tunneling Microscopy I, Springer-Verlag, Berlin and Heidelberg, 1994, xii+280p., 23.6×15.6cm, 7,590円, Springer Series in Surface Science Vol. 20 2nd edition
• 29p-S-2 MoS_2表面のSTM像
• 29a-WB-4 MoS_2およびMoSe_2表面のSTM像
• 12p-DH-5 単原子層グラファイトのSTMにおけるモアレ像のシミュレーション
• 29a-H-9 グラファイトのステップでのSTM/STS
• 26a-Z-7 TiC(111)表面上の単原子層グラファイトの理論
• 26a-Z-6 Ni(111)面上の単原子層グラファイトの電子状態
• 28a-ZS-5 Si(001)ステップ表面の電子状態とSTM/STSの理論シミュレーション
• 27a-ZF-2 TiC(111)表面上の単原子層グラファイトの電子状態とSTM像
• 表面ステップの電気抵抗 (走査プローブ顕微鏡で見る固体物理 特集号) -- (理論)
• 30pRD-9 表面定在波のエネルギー依存性と次元性(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pXJ-3 相補的半導体界面の電子透過(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 18pTG-8 エバネッセント波による界面状態の励起について(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 24aYC-7 相補媒質系における波束の運動(24aYC 領域9,領域10,領域11合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pYE-12 電子の相補媒質(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aWB-6 Cu(111)表面ステップエッジでの表面状態電子の散乱(表面・界面電子物性(理論・シミュレーション),領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 14aXG-8 Si(111)√×√-Ag 表面ステップでの電気抵抗(表面界面電子物性, 領域 9)
• 20pYE-8 半導体ナノワイヤーの表面伝導
• 28aWD-9 IV 族半導体表面の二探針電気伝導度の計算
• 26aTH-4 トポロジカル絶縁体表面ステップの電子透過(26aTH 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 5a-PS-10 レーザー差周波放射光強度から得られるSTM像の理論
• 2a-T-2 レーザー差周波放射光強度から得られるSTM像の解析
• 27pPSA-5 低温型独立駆動4探針STMによるSi(111)4×1-In上Ag薄膜の輸送特性測定II(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pPSB-3 低温型独立駆動4探針STMによるSi(111)4×1-In上Ag薄膜の輸送特性測定III(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aHA-1 Bi_2Te_3およびBi_2Se_3表面ステップの電子透過特性(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20aRH-8 ショックレー表面状態による電気伝導
• 28aYQ-13 表面状態を経由する電気伝導の計算
• 森田清三, 走査型プローブ顕微鏡; 基礎と未来予測, 丸善, 東京, 2000, xii+182p., 21×14.5cm, 本体3,000円, [専門書]
• 25pWD-8 弾性散乱計算による非弾性散乱の平均自由行程
• 27pE-3 グラファイト・シート中の5員環欠陥のSTM像
• 29p-R-1 原子スケールのバリスティクな系としてのSTM
• 25a-YM-13 STM探針からブロッホ状態へのトンネル
• A. Liebsch Electronic Excitations at Metal Surface Splenum Press, New York, 1997, xi+336p., 23.6×15.6cm, 18,560円 [専門書]
• 6p-B-4 BEEMにおけるトンネル電流と境界条件
• STMと表面内部構造
• 25pCK-6 Sb表面ステップの電子透過特性(25pCK トポロジカル絶縁体,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pCK-4 Bi_2Te_3上のBi超薄膜の電子状態と表面構造解析(25pCK トポロジカル絶縁体,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pCK-3 Bi_2Te_3超薄膜および1BL BiのLEED-IV構造解析(25pCK トポロジカル絶縁体,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 18pFE-5 Bi-Bi_2Te_3界面の電子透過の計算(18pFE 表面界面電子物性・トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aXK-5 Bi_2Te_3基板上の1BL-Biのエッジ状態(26aXK 表面界面電子物性・トポロジカル,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aJA-10 ビスマス超薄膜における半金属半導体転移の検証(トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pPSA-37 2層シリセンの電子透過特性の計算(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aJA-11 Sb_2Te_3基板上のSb薄膜の電子状態計算(トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク