走査トンネル顕微鏡と表面内部構造

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 日本表面科学会の論文
• 1998-05-10

著者

• 小林 功佳

  お茶の水女子大学理学部物理学科

関連論文

• 23pGL-4 双晶超格子ナノワイヤーの電子状態(23pGL ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20pGQ-9 銀ストライプ表面における一次元的定在波のSTM観察II(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aXA-7 Si(111)√×√表面の吸着子周囲に誘起される定在波(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• グラフェンと負の屈折・スーパーレンズ : 2次元ディラック・フェルミオンの電子光学
• ナノスケールの表面電気伝導
• 弾道電子放射顕微鏡の原子分解能のメカニズム
• 走査トンネル顕微鏡と表面内部構造
• 層状物質表面の理論計算 : STMを中心として
• 26aWS-8 Si表面√×√相の擬ポテンシャルモデルによるエネルギーの安定性と位相シフトの考察(26aWS 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aWX-9 Bi_2Te_3およびBi_2Se_3表面ステップの電子状態(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 第14回SPM国際コロキウム(ICSPM14)報告
• 27aYG-2 銀ストライプ表面における一次元的定在波のSTM観察(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27aYG-3 積層欠陥を含むAg(111)ストライプ薄膜の電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 表面ステップの電気抵抗 (走査プローブ顕微鏡で見る固体物理 特集号) -- (理論)
• 30pRD-9 表面定在波のエネルギー依存性と次元性(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pXJ-3 相補的半導体界面の電子透過(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26aTH-4 トポロジカル絶縁体表面ステップの電子透過(26aTH 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pPSA-5 低温型独立駆動4探針STMによるSi(111)4×1-In上Ag薄膜の輸送特性測定II(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pPSB-3 低温型独立駆動4探針STMによるSi(111)4×1-In上Ag薄膜の輸送特性測定III(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aHA-1 Bi_2Te_3およびBi_2Se_3表面ステップの電子透過特性(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pCK-6 Sb表面ステップの電子透過特性(25pCK トポロジカル絶縁体,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pCK-4 Bi_2Te_3上のBi超薄膜の電子状態と表面構造解析(25pCK トポロジカル絶縁体,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pCK-3 Bi_2Te_3超薄膜および1BL BiのLEED-IV構造解析(25pCK トポロジカル絶縁体,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 18pFE-5 Bi-Bi_2Te_3界面の電子透過の計算(18pFE 表面界面電子物性・トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aXK-5 Bi_2Te_3基板上の1BL-Biのエッジ状態(26aXK 表面界面電子物性・トポロジカル,領域9(表面・界面,結晶成長))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク