中村 史一 | 東大理
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概要
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長谷川 修司
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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お茶の水女子大学理学部物理学科
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Taskin Alexy
阪大産研
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近藤 寛
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小林 功佳
お茶の水理
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近藤 寛
慶應義塾大学
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D'angelo Marie
Insp Paris
著作論文
- 26pPSB-22 Si(111)-3×1-Ag表面上Au吸着に伴う√×√超構造の形成(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25aWX-7 Bi_Sb_xにおけるバンドのSbドープ量依存性(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aWS-8 Si表面√×√相の擬ポテンシャルモデルによるエネルギーの安定性と位相シフトの考察(26aWS 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))