鈴木 隆則 | 理研
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概要
関連著者
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鈴木 隆則
理研
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青野 正和
物材機構mana
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青野 正和
理研
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粕谷 敬宏
理研
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塚越 幹郎
東理大
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粕谷 敬宏
東理大理
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塚越 幹郎
東京理科大理
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鈴木 隆則
防衛大
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青野 正和
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
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塚越 幹郎
東理大・理:理研
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野口 一能
理研:東理大
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田中 義人
理研播磨
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塚越 幹郎
東理大理
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古後 将司
東理大理
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田中 義人
理研
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田中 正俊
横浜国立大学大学院工学府物理情報工学
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井上 大輔
東大宇宙線研
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田中 義人
理化学研究所X線自由電子レーザー計画推進本部
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加藤 博
理研
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三須 明
東理大理
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上原 喜代治
慶大理工
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唐木 陽一
理研
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野口 一能
理研
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関口 宏
東洋大工
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田中 義人
(独)理化学研究所播磨研究所 放射光科学総合研究センター
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唐木 陽一
理研:横国大工
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井上 大輔
理研
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Deng Dongmei
理研
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増山 昭夫
理研
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平林 祐輔
東理大理
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鈴木 元
理研
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木村 祐樹
東理大
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鈴木 元
理研:東理大
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Shklyaev A.a.
理研
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立川 真樹
東大理
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蟹江 一郎
東理大理
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牧野 佐平
東理大理
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立川 真樹
東大 理
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Deng Dongmel
理研
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牧野 佐平
東工大
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増山 昭夫
東洋大工
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Venkataramanan V.
理研
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三上 朗
慶大理工
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水谷 五郎
北陸先端大マテリアル
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鯉沼 秀臣
東工大応セラ研
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鯉沼 秀臣
東京大学工学部工業化学科
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Shklyaev A.A
理研
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瀬川 勇三郎
理研CMRG
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瀬川 勇三郎
理研フォトダイナミクス研究センター
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山本 雄一
東工大応セラ研
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Lin Shujie
理研
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田中 正俊
横浜国大工
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八幡 佳成
北陸先端大マテリアル
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瀬川 勇三郎
理研
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松本 祐司
東京工大 応用セラミックス研
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足立 幸男
東北大資源研
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深澤 輝一郎
東理大
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平 洋一
電通大
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小西 憲俊
理研
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水谷 五郎
北陸先端大:jst-crest
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青野 正和
阪大工
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桜井 康智
東理大
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山田 興一
慶大理工
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田中 正俊
横国大工
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雨宮 宏
中央大学大学院理工学部
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雨宮 宏
理研
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三須 明
東理大 理
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松本 祐司
東工大フロンティア
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塚田 捷
東大理
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Maung S.
北陸先端大材料
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小林 功佳
東大理
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小林 功佳
お茶大理
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雨宮 宏
理化学研究所
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沼田 光徳
理研
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山田 興一
慶大 理工 物理
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雨宮 宏
The Institute of Physical and Chemical Research
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富澤 功
東理大理
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沼田 光徳
理研:横浜国立大
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柿本 政雄
小松技術研
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平 洋一
理研
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足立 幸男
理研
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平野 義昭
慶大工
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三須 明
東理大
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関口 宏
東洋大
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小林 孝嘉
東大理
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宅間 宏
電通大レーザー研
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宅間 宏
電通大
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清水 和子
電通大
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田中 正俊
横浜国立大学工学部知能物理工学科
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塚越 幹郎
理研
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清水 和子
電通大レーザー 量子・物質
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野口 一能
東理大
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Ma Shihong
理研
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野口 一能
東理大理
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井上 春恵
東理大理
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木村 祐樹
理研
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青野 正和
東理大理
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鈴木 隆則
東理大理
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藪崎 努
京大工
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清水 忠雄
東大理
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瀬川 勇三郎
理化学研究所フォトダイナミクス研究センター
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定本 嘉郎
理研
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木村 祐樹
東理大理
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中山 茂
京大・工
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清水 富士夫
東大工
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高木 光司郎
富山大理
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松本 祐司
東工大応セラ研
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松本 祐司
東京工業大学応用セラミックス研究所
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渡邊 亮輔
北陸先端大マテリアル
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榊原 剛
中央大理工
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清水 忠雄
山口東京理科大学
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首藤 健一
横浜国立大学工学部知能物理工学科
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堤井 信力
武蔵工大
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湯浅 真擁
北陸先端大マテリアル
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Maung S
北陸先端大材料
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荒川 泰彦
東大生研
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Deng Dongmel
理研:埼玉大
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大谷 仁美
中央大理工
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花村 榮一
Department Of Applied Physics University Of Tokyo
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花村 栄一
東大工・物工
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横山 幸生
中央大理工
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鯉沼 秀臣
東京大学新領域創成科学研究科
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三須 明
理研
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平 洋一
電通大新形レーザー
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小川 かおり
中央大理工
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加藤 寛
理科大理
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古後 将司
理科大理
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三須 明
理科大理
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野口 一能
理科大
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青野 正和
理科大
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川地 哲也
東理大理
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大出 寿
上智大理工
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川地 哲矢
東理大理
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平林 裕輔
東理大理
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豊田 康二
東理大理
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佐々木 成樹
東理大理
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中山 茂
京工繊大
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野宮 芳雄
理研
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Dongmei Deng
理研
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Deng Dongmei
理研:埼玉大
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深沢 輝一郎
東理大
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笠原 健生
東洋大
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定木 嘉郎
理研
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雨宮 .宏
理研
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安田 登
中央大理工
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遠藤 正雄
中央大理工
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Shigeoka Y.
理研
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神保 修一
武蔵工大
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清水 忠雄
東大理・物理
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清水 忠雄
理科大理
-
村上 達郎
理研
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田中 正俊
横国工
-
Venkataraghavan R.
理研
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佐々木 基伸
理科大理
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林 樹傑
理研
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吉田 有沙
理研:横浜国立大
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足立 幸男
東工大
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Volcker M.
Max Planck研
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Krieger W.
Max Planck研
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Walther H.
Max Planck研
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柿本 政雄
理研
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村上 達郎
理研:横国工
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首藤 健一
横浜国立大学工学部
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小泉 充
東理大理
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Heinz T.F.
IBM Watson研
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花村 栄一
東大工
著作論文
- 23aWA-8 Si(111)-7×7 表面における磁化誘起 SHG の波長依存性
- 29aWD-3 Si(111)-7x7 表面における磁化誘起表面 SHG と表面スピン寿命
- 20aRH-3 Si(111)-7×7における磁化誘起SHGの位相測定
- 24pPSA-35 光照射に伴うシリコン表面第二高調波発生の変化
- 28a-Q-8 Si(111)-7x7 および"1x1"表面構造の非線形分光スペクトル II
- 31p-YF-6 Si(111)-7×7および"1×1"表面構造の非線形分光スペクトル
- 7a-PS-13 Si(111)-7x7 表面準位の非線形分光測定とスペクトル解析
- 29a-PS-22 Si(111)-7x7表面準位の非線形分光測定II
- 31p-PSB-39 Si(111)面7×7⇔"1×1"相転移過渡応答の表面SHG法による研究III
- 30a-PS-16 SI(111)7×7⟺"1×1"相転移過渡応答の表面SHG法による研究II
- 29a-J-2 Si(111)7×7⇔"1×1"相転移過度応答の表面SHG法による研究
- 2p-PSA-43 Si(111)7×7⇔"1×1"相転移における過渡応答の応答解析
- 28p-YA-3 和周波発生法を用いた表面吸着分子における振動スペクトルのピコ秒時間分解測定
- ピコ秒赤外コヒ-レント光を用いた表面和周波発生法による吸着分子の振動分光
- 31p-S-7 ピコ秒赤外コヒーレント光を用いた表面吸着分子における和周波発生の観測
- ピコ秒赤外コヒ-レント光を用いた表面吸着分子における和周波発生の観測
- 28p-YS-15 光誘起衝突エネルギー移行に伴う遷移スペクトルの諸特性
- 4a-K-4 SrとCaの励起状態における光誘起衝突遷移の観測
- 28a-ZF-5 表面の第二次高調波発生法によるSi(111)表面の相転移の観測
- 30aPS-65 磁化誘起SHG法によるCoを添加したルチルTiO_2(110)の表面磁性の研究(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 14aXD-11 磁化誘起 SHG 法を用いた Co・TiO_2 表面の磁性の研究(表面・界面磁性, 領域 3)
- 14aXD-11 磁化誘起 SHG 法を用いた Co : TiO_2 表面の磁性の研究(表面・界面磁性, 領域 9)
- 第15回国際量子エレクトロニクス会議(IQEC)
- 28p-YS-15 光誘起衝突エネルギー移行に伴う遷移スペクトルの諸特性
- 4a-K-4 SrとCaの励起状態における光誘起衝突遷移の観測
- 22pPSA-100 原子吸着で誘起される表面第二高調波光強度のアルカリ金属原子種(K,Cs)依存性(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30aPS-31 カリウム原子吸着で誘起されるSi(111)-7×7表面構造変化の第二高調波による研究(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pXF-3 カリウム原子で誘起されるSi(111)-7×7表面構造相転移の第二高調波発生による研究(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aWA-8 Si(111)-7×7 表面における磁化誘起 SHG の波長依存性
- 29aWD-3 Si(111)-7x7 表面における磁化誘起表面 SHG と表面スピン寿命
- 28p-ZE-2 負イオンによる光ガルバノ効果のプローブ計測
- 20aPS-30 Cs原子吸着で誘起されるSi(111)-7×7表面構造変化の第二高調波による研究(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 光パラメトリック増幅による高出力ピコ秒赤外コヒ-レント光の発生
- 14aXG-2 銀原子蒸着が引き起こす Si(111)-√×√-Ag 表面からの SHG 応答変化 : 温度依存性と波長依存性(表面界面電子物性, 領域 9)
- 2a-RG-9 光ガルバノ信号発生機構の研究
- 31a-K-1 Si(111)表面準位の表面SHG法による分光測定
- 18aPS-15 磁化誘起SHG測定に用いる超高真空チェンバー窓の光学歪みの評価
- 31p-F-8 Si(111)表面の酸化反応における核形成、成長モデル
- Si(111)-7x7表面準位の非線形分光測定
- 29p-WC-2 Si (111) 7X7 ⇔"1X1"相転移における過冷却および過熱状態の観測
- 15a-DJ-1 Si(111)7×7→1×1相転移におけるsuperheating状態の表面SHG法による観測
- 13a-PS-13 Si(111)7×7→1×1相転移速度の表面SHG法による測定
- 29p-G-8 Si(111)7×7→1×1相転移ダイナミクスの表面SHG法による研究
- 第7回レーザー分光学国際会議
- 3p-P-3 ナノ秒螢光寿命測定によるICl前期解離の研究
- 2p-NP-3 IClにおける前期解離課程の研究
- 5p-N-8 光ガルバノ信号発生機構の研究II
- 2a-RG-8 火炎中の光ガルバノ効果のマイクロ波による検出法
- 11a-M-9 マイクロ波放電による光ガルバノ効果
- 27a-G-5 マイクロ波放電による光ガルバノ効果
- 30p-ZH-5 負イオン含有プラズマのレーザーアシストプロープ測定(放電)
- 3a-TC-5 光ガルバノ法による酸素ホロー陰極型放電中の負イオン測定
- 25pPSB-69 配向成長させたカーボンナノチューブからの第二高調波発生の研究(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25p-Z-8 表面第二高調波発生法によるSi(111)7×7→1×1相転移の観測
- 27p-ZL-10 表面第2高調波発生における表面非線形感受率の導出
- 29p-BPS-43 Si(111)表面での第二高調波発生(SHG)
- 3a-T-8 火災中の光ガルバノ効果(LEI)のマイクロ波による検出法
- 21aPS-15 Si(111)-√×√-Ag構造転移のSHGによる観測(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pWD-3 Si(111)-7x7 表面における磁化誘起 SHG
- 19pPSB-31 Temperature and flux dependence of the nucleation of Si (111)-√x√-Ag phase on clean Si surface studied by SHG
- 22aWA-3 Enhancement of surface magnetization in Si(111)-7×7 observed by surface SHG
- 22pW-4 Si(111)-"1×1"構造の表面SHGスペクトル
- 22pW-2 SHGによる表面磁気光学効果(SMOKE)の感度特性
- 22pW-1 Si(111)-7x7表面の磁気光学効果の表面SHG法による測定
- 25pW-9 Si(111)-7x7の表面準位間還移
- Kinetics of Submonolayer Oxide Decomposition on Si(111)Studied with SHG
- 29a-YB-4 単一パルス自己相関器の製作およびピコ秒パルス幅測定
- 25pPSB-21 カリウム原子で誘起されるSi(111)-3×1表面構造変化の第二高調波発生による研究(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 15aPS-19 SHG 応答の温度依存性に反映される Si(111)-3×1-Ag 表面構造(領域 9)
- 1a-T-4 広域波長可変色素レーザー分光システム
- 3a-W-10 広帯域波長可変色素レーザー分光システム II : 分光制御システム
- 3a-W-9 広帯域波長可変色素レーザー分光システム (I) : 色素レーザーの検討, 製作
- 5p-TB-8 ナノ秒蛍光寿命測定によるICl前期解離の研究
- 1a-T-3 Injection Locking法による色素レーザーの狭帯域化
- 5a-PS-10 レーザー差周波放射光強度から得られるSTM像の理論
- 2a-T-2 レーザー差周波放射光強度から得られるSTM像の解析
- 31a-N-3 0ptogalvanic法によるN_2 Rydberg状態の高分解能分光
- 30a-U-5 rf放電を用いたoptogalvanic分光
- 30a-K-2 表面第2高調波発生における表面非線形感受率の導出II
- 8aSM-14 Si(111)-7×7表面における磁化誘起SHGの温度依存性(表面界面構造・電子物性,領域9)
- 8pPSA-45 シリコン単結晶で観測された表面磁性(薄膜・人工格子磁性,微小領域磁性,表面・界面磁性講演,領域3)
- 29a-CC -11 酸素の光ガルバノ信号(29a CC 量子エレクトロニクス)
- 3a-B1-3 マイクロ波共振器を利用したLEI検出法の解析(3a B1 量子エレクトロニクス,表面・界面)
- 25aYF-9 水素及び酸素吸着Si(111)-7×7表面における磁化誘起SHG(25aYF 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 31p-SB-6 変調を加えた固体表面での第2高調波発生(31pSB 量子エレクトロニクス)