塚越 幹郎 | 東理大
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概要
関連著者
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塚越 幹郎
東理大
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塚越 幹郎
東京理科大理
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鈴木 隆則
理研
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青野 正和
理研
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青野 正和
物材機構mana
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塚越 幹郎
東理大理
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塚越 幹郎
東理大・理:理研
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野口 一能
理研:東理大
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野口 一能
理研
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鈴木 元
理研
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古後 将司
東理大理
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木村 祐樹
東理大
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鈴木 元
理研:東理大
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青野 正和
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
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青柳 克信
理研
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唐木 陽一
理研
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青野 正和
阪大工
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坂下 武
東理大理
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中村 淳子
理研
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桜井 康智
東理大
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安藤 剛三
理研
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原 民夫
理研
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青山 誠
日本原子力研究開発機構
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青山 誠
理研
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宗像 利明
阪大院理
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唐木 陽一
理研:横国大工
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上田 寛
東大物性研
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志村 努
東大生研
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黒田 和男
東大生研
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磯部 正彦
東大物性研
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斎藤 伸吾
情通機構
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末元 徹
東大物性研
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志村 努
Optics & Photonics Japan 2006 推進委員会
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山口 悟史
東京理科大理
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斎藤 伸吾
通総研関西
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塚越 幹郎
理研
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塚越 幹郎
東大理
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野口 一能
東理大
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Ma Shihong
理研
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野口 一能
東理大理
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井上 春恵
東理大理
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Shklyaev A.A
理研
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宗像 利明
東理大理
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宗像 利明
理研
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志村 努
東京大学生産技術研究所第1部
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本田 澄典
東京理科大学
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黒田 和男
東京大学生産技術研究所第1部
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木村 祐樹
理研
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青野 正和
東理大理
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鈴木 隆則
東理大理
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青山 誠
東理大理
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小林 駿介
理研
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Shklyaev A.a.
理研
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木村 祐樹
東理大理
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志村 努
東大 生産技研
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志村 努
東京大学生産技術研究所
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黒田 和男
東京大学生産技術研究所
著作論文
- 28pZH-6 低次元スピン系 NaV_2O_5 におけるコヒーレント磁気励起の観測
- 23aWA-8 Si(111)-7×7 表面における磁化誘起 SHG の波長依存性
- 29aWD-3 Si(111)-7x7 表面における磁化誘起表面 SHG と表面スピン寿命
- 20aRH-3 Si(111)-7×7における磁化誘起SHGの位相測定
- 24pPSA-35 光照射に伴うシリコン表面第二高調波発生の変化
- 28a-Q-8 Si(111)-7x7 および"1x1"表面構造の非線形分光スペクトル II
- 31p-YF-6 Si(111)-7×7および"1×1"表面構造の非線形分光スペクトル
- 7a-PS-13 Si(111)-7x7 表面準位の非線形分光測定とスペクトル解析
- 29a-PS-22 Si(111)-7x7表面準位の非線形分光測定II
- Si(111)-7×7表面準位の非線形分光測定
- 吸着ベンゼンの2光子光電子分光
- 31p-PSB-39 Si(111)面7×7⇔"1×1"相転移過渡応答の表面SHG法による研究III
- 31a-J-13 高分解能2光子光電子分光法による吸着分子の電子励起状態の測定
- 吸着分子の高分解能2光子光電子分光
- 30a-PS-16 SI(111)7×7⟺"1×1"相転移過渡応答の表面SHG法による研究II
- 高温でのGaPのフォトリフラクティブ効果における電子正孔の競合効果
- 29a-J-2 Si(111)7×7⇔"1×1"相転移過度応答の表面SHG法による研究
- 30p-YP-10 波形制御パルス列レーザー生成Alプラズマ中の軟X線の往復増幅
- 波形制御パルス列レーザー生成A1プラズマ中の軟X線の往復増幅
- 2p-PSA-43 Si(111)7×7⇔"1×1"相転移における過渡応答の応答解析
- レーザーを用いたイオン結晶の分光学
- 23aWA-8 Si(111)-7×7 表面における磁化誘起 SHG の波長依存性
- 29aWD-3 Si(111)-7x7 表面における磁化誘起表面 SHG と表面スピン寿命
- 8aSM-14 Si(111)-7×7表面における磁化誘起SHGの温度依存性(表面界面構造・電子物性,領域9)
- 8pPSA-45 シリコン単結晶で観測された表面磁性(薄膜・人工格子磁性,微小領域磁性,表面・界面磁性講演,領域3)
- 25aYF-9 水素及び酸素吸着Si(111)-7×7表面における磁化誘起SHG(25aYF 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))