Deng Dongmel | 理研
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概要
関連著者
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鈴木 隆則
理研
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鈴木 隆則
防衛大
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Deng Dongmel
理研
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田中 正俊
横浜国立大学大学院工学府物理情報工学
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井上 大輔
東大宇宙線研
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田中 正俊
横浜国大工
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井上 大輔
理研
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唐木 陽一
理研
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唐木 陽一
理研:横国大工
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Deng Dongmei
理研
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田中 正俊
横浜国立大学工学部知能物理工学科
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田中 正俊
横国大工
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首藤 健一
横浜国立大学工学部知能物理工学科
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Deng Dongmel
理研:埼玉大
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沼田 光徳
理研
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沼田 光徳
理研:横浜国立大
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首藤 健一
横浜国立大学工学部
著作論文
- 30aPS-31 カリウム原子吸着で誘起されるSi(111)-7×7表面構造変化の第二高調波による研究(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pXF-3 カリウム原子で誘起されるSi(111)-7×7表面構造相転移の第二高調波発生による研究(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aPS-30 Cs原子吸着で誘起されるSi(111)-7×7表面構造変化の第二高調波による研究(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 14aXG-2 銀原子蒸着が引き起こす Si(111)-√×√-Ag 表面からの SHG 応答変化 : 温度依存性と波長依存性(表面界面電子物性, 領域 9)