25aCK-2 Si上のSiO_2膜中の穴の広がり : モンテカルロ・シミュレーション(25aCK 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
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概要
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- 2012-03-05
著者
-
齋藤 幸夫
慶大理工
-
斎藤 幸夫
慶應義塾大学理工学部
-
斎藤 弥八
名大院工
-
齋藤 弥八
名大院工
-
Saito Y
Faculty Of Engineering Yamanashi University
-
斎藤 弥八
三重大学
-
Saito Y
Department Of Applied Physics Osaka University
-
Saito Y
Synchrotron Radiation Research Center Japan Atomic Energy Agency
-
Saitoh Yuji
Department Of Material Physics Osaka University
-
Saito Yahachi
Faculty Of Engineering Mie University
-
斎藤 幸夫
慶応大学理工学部物理
-
Saito Yoshihiko
Toshiba Corp. Semiconductor Materials Engineering Dept.
-
Saito Y
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Mie University
-
Saito Y
Toyota Central Res. And Dev. Lab. Inc. Aichi Jpn
-
Shigeta Yukichi
Institute Of Plasma Physics Nagoya University:department Of Physics Yokohama City University
-
Saito Yoshiaki
Hatano Research Institute (hri) Food And Drug Safety Center (fdsc)
-
Leroy Frederic
マルセイユ大CINaM
-
Cheynis Fabien
マルセイユ大CINaM
-
Muller Pierre
マルセイユ大CINaM
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