14pXG-5 反射高速陽電子回折による Si(111)-√<3>×√<3>-Ag 表面構造相転移の研究(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2004-08-25
著者
-
林 和彦
原研先端基礎研
-
深谷 有喜
原子力機構先端基礎研
-
一宮 彪彦
原子力機構先端基礎研
-
河裾 厚男
原研先端基礎研
-
一宮 彪彦
原研先端基礎研
-
深谷 有喜
原研先端基礎研
-
一宮 彪彦
名古屋大学大学院工学研究科
-
河裾 厚男
日本原子力研究開発機構
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