28aRD-3 Si(111)表面上のAgエピタキシャル成長の基板温度依存性(28aRD 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2009-03-03

著者

• 一宮 彪彦

  原子力機構先端基礎研

• 一宮 彪彦

  日本女子大学理学部

• 炭屋 亜美

  東工大院総合理工

• 炭屋 亜美

  日本女子大理

• 一宮 彪彦

  日本女子大理

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