佐藤 正英 | 金沢大IMC

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  金沢大学総合メディア基盤センター

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著作論文

• 21pGL-10 Ga吸着中のSi(111)面でのステップパターン生成のモデルI(21pGL 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pTH-2 移動する粒子源によるステップ蛇行パターンの粗大化と新状態への緩和(25pTH 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aCK-4 移動する粒子源によるステップのパターン形成 : 粗大化と新状態への緩和(25aCK 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 19aFN-13 移動する粒子源によるステップのパターン形成 : フェーズフィールドシミュレーション(1)(19aFN 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長)
• 27pXK-7 移動する粒子源によるステップのパターン形成 : フェーズフィールドシミュレーション(2)(27pXK 領域9,領域6合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aJB-2 移動する粒子源によるステップのパターン形成 : フェーズフィールドシミュレーション(3)(結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))

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