24aWX-9 モンテカルロシミュレーションによるSrTiO_3(001)表面緩和過程の研究(24aWX 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2010-08-18
著者
-
上羽 牧夫
名大院理
-
上羽 牧夫
名大理
-
入澤 寿美
学習院大計算機セ
-
入澤 寿美
学習院大計セ
-
須藤 孝一
阪大工
-
勝野 喜以子
成蹊大
-
岡野 正和
阪大工
-
上羽 牧夫
名大・理
-
勝野 喜以子
成蹊大学
-
上羽 牧夫
名古屋大学理学研究科物理学教室
-
入澤 寿美
学習院大学計算機センター
-
入沢 寿美
学習院大・理
関連論文
- 21pGL-10 Ga吸着中のSi(111)面でのステップパターン生成のモデルI(21pGL 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pGL-9 結晶粉砕によるカイラリティ転換の条件 : 反応率,開放系(21pGL 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- Si(111)表面上に孤立したシリコンナノピラミッドの崩壊過程のスケール則 : 成長界面IV
- 25pT-3 Si(111)7×7表面上のSiピラミッドの崩壊過程名
- 27aYH-6 インクルージョンを含むエピタキシャル成長の島状構造変化(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aXK-9 荒れた微斜面の平坦化I-SrTiO_3のSTM観察(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aXK-10 荒れた微斜面の平坦化II : MCシミュレーション(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24aWX-9 モンテカルロシミュレーションによるSrTiO_3(001)表面緩和過程の研究(24aWX 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- Motion of Isotropic Superfluid Bubbles in Solid ^4He(Condensed Matter: Structure, Mechanical and Thermal Properties)
- 21pYC-2 上下段テラスの構造の違いによるステップの不安定化 V
- 上下段テラスの構造の違いによるステップの蛇行II(結晶成長理論I)
- 上下段テラスの構造の違いによるステップの蛇行 : 結晶成長理論シンポジウム
- 17pTF-10 上下段テラスの構造の違いによるステップの不安定化II
- 27aTA-9 上下段テラスの構造の違いによるステップの不安定化I
- 結晶成長とパターン形成(第53回物性若手夏の学校(2008年度),講義ノート)
- 20pXA-10 ヘテロエピタキシャル系における吸着物結晶の成長様式(II)(20pXA 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 結晶化におけるカイラル対称性の破れ(結晶成長とキラリティ)
- キラルな考え(特集序文)
- 24pPSA-2 長距離相互作用する粒子の1次元核生成(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pXK-2 エピタキシャル系における核生成初期過程(結晶成長,表面局所光学現象,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 19pTG-8 エピタキシャル系における転位を含む吸着層上での核生成(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 02aC07 ヘテロエピタキシャル系における吸着物結晶のミスフィット転位を含む平衡状態(結晶成長理論(2),第36回結晶成長国内会議)
- 24pYH-9 ヘテロエピタキシャル系における吸着物結晶の成長様式(24pYH 結晶成長,微粒子,クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 「結晶成長の基礎 : 多様な展開」序文(結晶成長の基礎-多様な展開)
- 20pXF-5 2つの拡散係数がある微斜面上におけるドリフト流によるステップの不安定化(結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pXF-4 シリコン(001)微斜面でのステップ束の2次元パターンと成長則(結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pXF-1 エピタキシャル系におけるミスフィット転位(III)(結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 17pC07 完全なカイラル結晶化を実現する簡単なモデル(結晶成長理論,第35回結晶成長国内会議)
- 17pC10 ミスフィット転位間の弾性相互作用(I)(結晶成長理論,第35回結晶成長国内会議)
- 17pC11 シリコン(001)微斜面でのステップ束の2次元パターンと成長則(結晶成長理論,第35回結晶成長国内会議)
- 27aXC-9 エピタキシャル系におけるミスフィット転位(II)(結晶成長・微粒子,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- A Model for Complete Chiral Crystallization(Condensed Matter : Structure, Mechanical and Thermal Properties)
- 26aC04 エピタキシャル系における格子不整合と転位(結晶成長基礎,第34回結晶成長国内会議)
- 12pXG-10 エピタキシャル系におけるミスフィット転位 (I)(結晶成長, 領域 9)
- 12pXG-9 拡散係数のギャップがある系での吸着原子の流れによるステップの不安定化(結晶成長, 領域 9)
- 吸着原子の流れによるSi(001)微斜面上でのステップのパターン形成
- 29pWP-4 Si(001)微斜面でのドリフト流によるステップ束の成長則(結晶成長)(領域9)
- 21pYC-5 ヘテロエピタキシャル系における島の平衡形 (5)
- 21pYC-1 通電時の Si(001) 微斜面でのバンチングにおける拡散係数とカイネティク係数の効果
- 通電時のSi(001)微斜面でのバンチング : 表面拡散の効果とカイネティクスの効果(結晶成長理論I)
- Si(001)微斜面での通電加熱時のステップ束の形成と成長則(結晶成長理論I)
- ヘテロエピタキシャル系の表面の平衡形(2)(結晶成長理論I)
- 28aZE-12 ドリフト流によるシリコン (001) 微斜面でのステップ列の蛇行 II
- 28aZE-11 ヘテロエピタキシャル系における島の平衡形 (4)
- Repulsion-mediated step wandering on a Si(001)vicinal face
- 吸着原子の流れによるステップのバンチングと蛇行の理論について
- ヘテロエピタキシャル系における表面の平衡形 : 結晶成長理論シンポジウム
- Si(001)微斜面上の吸着原子の流れによるステップバンチング : 結晶成長理論シンポジウム
- 吸着原子の流れと拡散係数の異方性によるステップの蛇行 : 結晶成長理論シンポジウム
- 表面拡散の異方性と吸着原子のドリフトによるステップバンチング(結晶成長理論の最近の動向)
- 歪みを考慮した二次元弾性格子模型(結晶成長理論の最近の動向)
- 微結晶形の緩和のダイナミクス : 平衡形の実現と島の崩壊
- 結晶成長基礎理論 : 理論・実験(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))
- 17pTF-11 拡散係数の異方性とドリフトによるバンチング
- 17pTF-9 ヘテロエピタキシャル系における島の平衡形
- 27aTA-10 ドリフト流による成長時のステップの不安定化
- 22pTD-3 微斜面におけるステップのパターン形成
- 25aTA-12 離散格子系における弾性相互作用II
- 23pWA-7 透過性ステップのバンチングでの束の成長則
- 22pTD-3 微斜面におけるステップのパターン形成
- 吸着原子のドリフトによるバンチングとステップの透過性 : 成長界面IV
- 吸着原子のドリフトによる蛇行とステップの透過性 : 成長界面IV
- 離散格子系における吸着原子間、ステップ間の弾性相互作用 : 成長成長I
- 25pT-2 吸着原子のドリフトによる透過性ステップのバンチング
- 23pW-3 離散格子系における弾性相互作用
- 23pT-7 吸着原子のドリフトによる透過性ステップの蛇行
- 表面原子のドリフトによるステップのバンチング
- 24pZ-12 ステップ・カイネティクスの非対称性によるバンチングでの東の成長則
- 25aT-1 吸着原子のドリフトによる微斜面の不安定化II
- 22aC8 吸着原子のドリフト流による不安定化での微斜面のパターン(成長界面II)
- 22aC3 通電加熱によるバンチングのでステップの束の成長則II(成長界面I)
- 22aC2 Schwoebel効果によるバンチングでの束の成長則(成長界面I)
- 平面界面の不安定化への結晶の異方性の効果(西岡一水先生追悼号)
- 30p-S-10 通電によるステップバンチングでの束の成長則III
- ICCG-12に参加して : 基礎および表面・界面
- Hierarchical Bunching of Steps in a Conserved System
- 西岡先生の思い出
- 原子ステップによるメゾスコピック・パターン形成
- 28p-YM-3 通電によるステップバンチングでの束の成長則II
- 26a-P-10 銀樹の成長過程とそのまわりの濃度分布の観察
- 25p-P-1 吸着原子のドリフト流による微斜面の不安定化
- ^4He固液界面の流れによる不安定化への結晶異方性の効果 : 成長界面II
- ステップカイネティクスの異方性によるステップの蛇行パターンの変化 : 成長界面II
- 通電加熱によるハンチングのでステップの束の成長則 : 成長界面II
- 30p-YE-10 溶液成長における流れによるステップの不安定化と非線形効果
- 30p-YE-9 融液成長での結晶の異方性の効果
- 5p-B-12 通電によるステップバンチングでの束の成長則
- Effect of two-dimensionality on step bunching on a Si(001) vicinal face
- Growth of step bunches on a Si(001) vicinal face with drift of adatoms
- Step bunching with alternation of structural parameters
- 24aWX-8 粉砕による結晶カイラリティの転換メカニズムII(24aWX 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pTE-10 粉砕による結晶カイラリティの転換メカニズム(28pTE 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pXA-9 粉砕過程を持つクラスタ形成の分析(20pXA 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 5p-G-11 Quantum Lattice Modelの高温展開
- 計算機シミュレーションによる表面構造の緩和過程
- ヘテロエピタキシャル成長におけるミスフィット転位と島状構造(どのように結晶成長現象をモデル化するか?)
- 02aC01 Becker-Doringモデルでの結晶化の時間発展とカイラリティ制御I(結晶成長理論(1),第36回結晶成長国内会議)
- 25pTH-2 移動する粒子源によるステップ蛇行パターンの粗大化と新状態への緩和(25pTH 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- Equilibrium Morphology in Two-Dimensional Heteroepitaxy on an Elastic Substrate
- 領域6,領域9「ランダム媒質と微小重力下の固体^4He結晶成長」(招待講演,2012年秋季大会招待・企画・チュートリアル講演の報告,学会報告)