通電加熱によるハンチングのでステップの束の成長則 : 成長界面II
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概要
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In the vicinal face of Si(111) drift of adatoms causes step bunching. The terrace size increases in power of time as t^<1/2> which cannot be explained by the theory derived near the critical point of instability. We carry out numerical calculations of a discrete step model. When THC evaporation of adatoms is neglected, the time dependence of the average terrace size agrees with the experimental result.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1998-07-01
著者
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