Low Temperature Gate Oxidation MOS Transistor Produced by Kr/O_2 Microwave Excited High-Density Plasma
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概要
- 論文の詳細を見る
- 2000-08-28
著者
-
斎藤 弥八
名大院工
-
OHMI Tadahiro
New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University
-
Saito Yahachi
Department Of Applied Physics Faculty Of Engineering Nagoya Universtiy
-
Saito Yuji
Department Of Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Tohoku University
-
AHARONI Herzl
New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University
-
HAMADA Tatsufumi
Department of Electronic Engineering, Graduate school of Engineering, Tohoku University
-
SEKINE Katsuyuki
Department of Electronic Engineering, Graduate school of Engineering, Tohoku University
-
Saito Y
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Mie University
-
Ohmi Tadahiro
New Industry Creation Hatchery Center Future Information Industry Creation Center Tohoku University
-
Aharoni Herzl
New Industry Creation Hatchery Center Tohoku University
-
Saito Yuji
Department Of Anesthesiology Gunma Prefectural Cardiovascular Center
-
Hamada Tatsufumi
Graduate School Of Engineering Tohoku University
-
Sekine K
Japan Aviation Electronics Ind. Ltd. Tokyo Jpn
-
Sekine Katsuyuki
Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering Tohoku University
-
Ohmi Tadahiro
New Industry Creation Hatchery Center (niche) Tohoku University
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