広沢 一郎 | Necデバイス評価技術研究所

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概要

• 小田 清雄の詳細を見る
• 同名の論文著者
• Necデバイス評価技術研究所の論文著者

関連著者

• 廣沢 一郎

  Japan Synchrotron Radiation Research Institute (JASRI)

• 広沢 一郎

  NEC

• 広沢 一郎

  Nec分析評価センター

• 広沢 一郎

  Jasri

• 廣沢 一郎

  高輝度光科学研究センター(spring-8)

• 廣沢 一郎

  (財)高輝度光科学研究センター利用研究促進部門i

• 広沢 一郎

  Necデバイス評価技術研究所

• 廣沢 一郎

  財団法人高輝度光科学研究センター

• 広沢 一郎

  高輝度光科学研究センター

• 水木 純一郎

  Nec基礎研

• 廣沢 一郎

  NEC基礎研究所

• 谷垣 勝己

  Nec基礎研究所

• 谷垣 勝己

  Nec基礎研

• 谷垣 勝巳

  東北大理

• 水木 純一郎

  Nec基礎研究所

• 谷垣 勝巳

  NEC基礎研

• 伊藤 聡

  Nec・評価技術開発本部

• 広沢 一郎

  NEC基礎研

• 田ノ岡 大輔

  (株) モリテックス

• 廣沢 一郎

  Nec分析評価センター

• 佐藤 真直

  Sping-8

• 佐藤 眞直

  高輝度光科学研究センター

• 佐藤 真直

  高輝度光科学研究センター

• 田ノ岡 大輔

  日本レーザ電子

• 廣沢 一郎

  高輝度光科学研究センター

• 黒島 貞則

  Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation

• 秋本 晃一

  Necマイクロエレ研

• 廣沢 一郎

  NEC材料部品分析評価センター

• 谷山 明

  住友金属工業株式会社総合技術研究所

• 橘 勝

  横浜市大国際総合

• 真庭 豊

  都立大理

• 小島 謙一

  横浜創英短大:横浜市大国際総合

• エプソン トーマス

  NEC基礎研究所

• 久米 潔

  都立大理

• 谷山 明

  住金・総研

• 高山 透

  住金・総研

• 高山 透

  住友金属工業(株)総合技術研究所

• 川田 光

  住友金属工業(株)総合技術研究所

• 吉村 博史

  横浜市大国際総合

• 谷山 明

  住友金属工業株式会社 総合技術研究所

• 谷山 明

  住友金属工業(株)総合研究開発センタ

• 廣沢 一郎

  JASRI

• 小嶋 謙一

  横浜市立大学大学院総合理学研究科

• 吉村 博史

  横市大院国総科

• 北田 典央

  横市大院国総科

• 小島 謙一

  横市大院国総科

• 橘 勝

  横市大院国総科

• 水木 純一郎

  JAEA

• 阿知波 洋次

  都立大理

• 荒井 正浩

  住友金属工業(株)総合技術研究所

• Prassides K

  Sussex大

• 谷垣 勝己

  NEC 基礎研

• 水木 純一郎

  NEC 基礎研

• 黒島 貞則

  NEC 基礎研

• 鈴木 信三

  都立大理

• 黒島 貞則

  NEC基礎研

• 荒井 正浩

  住金・総研

• 鈴木 信二

  新潟大理

• 小坂 真由美

  Nec基礎研

• 廣沢 一郎

  NEC 基礎研

• 中井 宏

  株式会社ihi

• 廣沢 一郎

  日電基礎研

• 内田 龍男

  東北大学大学院工学研究科

• 寺本 章伸

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 大見 忠弘

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 山田 重樹

  横市大総合理

• 細野 秀雄

  東工大応セラ研:erato-sorst Jst:東工大フロンティア研究センター

• 細野 秀雄

  東工大応セラ研

• 平野 正浩

  東工大フロンティア

• 井手本 康

  東京理科大学理工学部

• 久保 佳実

  NEC基礎研

• 水木 純一郎

  日本原子力研究所放射光科学研究センター

• 水木 純一郎

  原研 SPring-8

• 西堀 英治

  名大工

• 吉村 昭彦

  横浜市立大学院国総科

• 大見 忠弘

  東北大学

• 大見 忠弘

  東北大学 未来科学技術共同研究センター

• 井川 直樹

  原子力機構

• 島川 祐一

  NEC基礎研

• 神谷 利夫

  東工大応セラ研

• 斉藤 隆二

  徳島大総合科学

• 斎藤 隆仁

  都立大理

• 高田 昌樹

  名大工

• 坂田 誠

  名大工

• 久保田 佳基

  阪府大院理

• 佐藤 真直

  (財)高輝度光科学研究センター

• 宮下 哲哉

  東北大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 齊藤 進

  工学院大学情報通信工学科

• 斎藤 隆仁

  徳島大総合科

• 福田 竜夫

  原子力機構放射光

• 井手本 康

  東理大理工

• 北村 尚斗

  東京理科大学理工学部

• 伊藤 孝憲

  AGCSeimichemical Co., Ltd.

• 白崎 紗央里

  AGCSeimichemical Co., Ltd.

• 藤江 良紀

  AGCSeimichemical Co., Ltd.

• 北村 尚斗

  Department of Pure and Applied Chemistry, Faculty of Science & Technology, Tokyo University of Scien

• 井手本 康

  Department of Pure and Applied Chemistry, Faculty of Science & Technology, Tokyo University of Scien

• 大坂 恵一

  Japan Synchrotron Radiation Research Institute (JASRI)

• 井川 直樹

  Quantum Beam Science Directorate, Japan Atomic Energy Agency

• 山口 拓也

  島根医科大学 第三内科

• 大友 季哉

  高エネ機構

• 伊藤 孝憲

  Agc Seimi Chemical Co. Ltd.

• 伊藤 孝憲

  日産自動車(株)総合研究所第一技術研究所

• 菊地 耕一

  都立大理

• 池本 勲

  都立大理

• 池本 勲

  都立大院理

• 新井 正敏

  神戸大理

• 岩佐 義宏

  北陸先端大

• 久保 佳実

  日本電気(株)基礎研

• 水木 純一郎

  原子力機構放射光:trip(jst)

• 水木 純一郎

  日本原子力研究所

• 町田 尚紀

  名大工

• 谷垣 勝巳

  NEC

• 久保田 佳基

  大女大・学芸

• 高田 昌樹

  名大・工

• 梅田 文太郎

  名大・工

• 坂田 誠

  名大・工

• 広沢 一郎

  NEC・基礎研

• 水木 純一郎

  NEC, 基礎研

• 谷垣 勝巳

  NEC, 基礎研^B

• Gevaert M

  Sussex大

• Lappas A

  Sussex大

• Cockroft J.K.

  Birkbeck大

• 大友 季哉

  東北大金研

• Christides C

  Sussex Univ.

• 木村 英和

  NEC基礎研

• 広沢 一郎

  NEC 基礎研

• エブソン トーマス

  NEC 基礎研

• Ebbesen T.M

  NEC基礎研

• 浜田 貴成

  (株)住友金属小倉

• 北野 彰子

  高輝度光科学研究センター

• 北野 彰子

  (財)高輝度光科学研究センター

• 荒井 正治

  住友金属工業(株)総合技術研究所

• 廣澤 一郎

  高輝度光科学研究センター(SPring-8)

• 福田 竜生

  日本原子力研究所

• 下田 英雄

  北陸先端大

• 下田 英雄

  ノースカロライ大

• 井川 直樹

  Quantum Beam Science Directorate Japan Atomic Energy Agency

• 菊池 耕一

  都立大理

• 木村 英和

  Nec基礎研究所

• 小林 健一

  株式会社日産アーク

• 菊池 耕一

  都立大

• 島川 祐一

  日本電気(株)基礎研究所

• 服部 健雄

  東北大学未来情報産業共同研究センター

• 平野 正浩

  Jst

• 薮田 久人

  キャノン先端融合研

• 高田 一広

  キャノン先端融合研

• 島田 幹夫

  キャノン先端融合研

• 雲見 日出也

  キャノン先端融合研

• 野村 研二

  ERATO-SORST

• 齊藤 進

  工学院大学

• 諏訪 智之

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 井手本 康

  Faculty Of Science & Technology Tokyo University Of Science

• 内田 龍男

  東北大学工学研究科

• 服部 健雄

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 長野 正道

  日電基礎研

• 廣沢 一郎

  NEC・基礎研

• 大見 忠弘

  東北大学未来科学技術共同研究センター:東北大学wpiリサーチセンター

• 服部 健雄

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 福田 竜生

  原子力機構放射光:理研播磨研:trip(jst)

• 水木 純一郎

  日電基礎研

• 伊藤 孝憲

  Agcセイミケミカル株式会社

• Teramoto A

  New Industry Creation Hatchery Center Tohoku University

• 木下 郁雄

  横浜市大院国総科

• 廣沢 一郎

  Nec

• 杉浦 大吾

  都立大理

• 篠谷 桂三

  都立大

• 小田 徹史

  都立大理

• 北村 尚斗

  東京理科大学理工学部工業化学科

• 久保 佳実

  日本電気(株)基礎研究所

• 水木 純一郎

  原研

• 久保 佳実

  Necトーキン株式会社研究開発本部

• 小椋 厚志

  明治大学理工学部電気電子生命学科

• 久保 佳実

  NEC中央研究所

• 浜田 貴成

  (株) 住友金属小倉

• 内田 龍男

  東北大学大学院

• 平野 正浩

  Jst‐erato

• Ohmi Tadahiro

  Department Of Electronic Engineering Tohoku University

• Ohmi Tadahiro

  The New Industry Creation Hatchery Center (niche) Tohoku University

• Ohmi Tadahiro

  Department Of Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Tohoku University:(present Addre

• 水木 純一郎

  原子力機構・放射光科学研究ユニット

• 久保 佳実

  日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部 基礎研究所

• 小瀬村 大亮

  明治大学理工学部

• 藪田 久人

  広大総合科

• 薮田 久人

  広大総合科

• 小竹 生良

  NEC鹿児島

• 岩沢 核

  NEC鹿児島

• 服部 真季

  明治大学理工学部

• 武井 宗久

  明治大学理工学部

• 永田 晃基

  明治大学理工学部

• 赤松 弘彬

  明治大学理工学部

• 富田 基裕

  明治大学理工学部

• 水上 雄輝

  明治大学理工学部

• 橋口 裕樹

  明治大学理工学部

• 山口 拓也

  明治大学理工学部

• 小金澤 智之

  財団法人高輝度光科学センター

• 山田 重樹

  横市大院国総科

• 木下 郁雄

  横市大院国総科

• 中井 宏

  (株)IHI

• 吉村 昭彦

  (株)IHI

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著作論文

• リートベルト, MEM解析による (La_Sr_)MnO_, (Ba_Sr_) (Co_Fe_)O_ の混合伝導に関する研究
• 29p-D-3 MEMによるLi_2CsC_, K_2RbC_, Rb_2CsC_の電子密度分布
• 2a-S-4 X線回折によるアルカリ金属ドープC_60の電子密度
• 2a-S-3 Li_2C_sC_60の構造
• 28a-YK-4 Rb_3C_超伝導体の分子内振動の温度依存性
• 28a-YK-3 Na2AC60(A=Cs, Rb, K)超伝導体における相転移
• 28a-YK-2 A_2RbC_のEXAFS
• 29a-C-4 Na_xCs_yC_超伝導体の構造と物性
• 27a-J-9 A_B_xC_(A, B=Li, Na, K, Rb, Cs)の構造と超伝導転移温度の関係
• PC01 微小角入射X線回折による液晶配向膜の極角方向の分子配向の検討(ディスプレイ)
• 放射光を用いた高炭素鋼線のX線構造解析
• 放射光を用いたその場観察手法によるGA合金化初期反応解析
• 放射光を用いたGA合金化反応のその場観察
• 23aTH-3 アモルファス半導体In-Ga-Zn-O膜の構造と伝導(液体・アモルファス・その他,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
• 23aTA-9 カーボンナノウォールの成長機構と構造(23aTA 領域7,領域10合同 ナノチューブ・グラファイトにおける欠陥,領域7(分子性固体・有機導体))
• PC05 薄膜の屈折率異方性の高速測定方法(トピカルセッション-液晶物性計測の最前線-, 2005年日本液晶学会討論会)
• アルカリ金属をインターカレートしたC_の^C-NMR
• C60超伝導体におけるscおよびfcc相の状態密度
• 29a-J-11 Li2AC60(A=CsおよびRb)の構造と電子物性
• 29a-J-7 A_1C_60(A=Rb, Cs)のNMR
• 29a-WB-8 C_化合物中の分子運動
• 29a-WB-3 アルカリC60(A3C60)固体の電子状態
• 13p-B-4 A_xB_C_結晶中でのC_分子の方向
• 13p-B-3 アルカリ金属ドープC60物質におけるf.c.c.構造の格子定数
• 29a-C-5 A_xB_C_の構造
• 原子スケールで平坦なSiO_2/Si酸化膜界面歪の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
• 23aTG-12 カーボンナノウォールの成長過程と構造(ナノチューブ・グラフェンにおける欠陥,領域7,領域10合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
• 22aTD-4 カーボンナノウォールの成長過程と構造評価(格子欠陥・ナノ構造(炭素・ナノ構造),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 可視および赤外分光エリプソメトリーによる液晶配向膜の異方性測定
• 放射光利用の基礎と SPring-8 : 工業材料への利用を中心にして
• 液晶配向膜の表面異方性
• ラビングしたポリイミド膜のイミド化率と分子配向がネマティック液晶のプレティルト角に与える影響
• 5a-D4-3 電子散乱のfocusing
• 29p-ZB-1 回折XAFS-"DAFS"-
• SR-X線で見た半導体界面の再配列構造
• 5P-E-4 Molecular Beam Deposition SiO_2/Si(111)の再配列構造
• 26a-P-9 a-Si/Si(111)-7x7,a-Si/Ge_Si_(111)-5x5 の界面超構造
• 1p-C-6 A_2B C_のアルカリイオンの位置選択性についての考察
• 29a-J-8 アルカリドープC_602価化合物:NaCsC_60
• 多入射方位による光学異方性物質の反射偏光同時測定
• 3-2b ラビング処理条件による液晶配向膜の膜構造変化とプレチルト角の関係
• 2PC17 偏光計測によるTNセルの平均的TBA測定
• 2PC02 配向膜高速広範囲評価法の検討
• PCb01 透過光偏光解析によるツイスト角及びセルギャップ測定法の検討
• PCa02 TFTパネル1画素以上の空間分解能をもつ液晶配向膜評価技術
• PCa01 実パネル上配向膜の光学的異方性測定成功
• PCb01 赤外エリプソメトリによる配向膜評価の検討
• 3A02 反射光偏光異方性測定によるポリイミド分子配向のラビング強度依存性の測定

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