水木 純一郎 | Nec基礎研
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概要
関連著者
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水木 純一郎
Nec基礎研
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廣沢 一郎
Japan Synchrotron Radiation Research Institute (JASRI)
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広沢 一郎
NEC
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広沢 一郎
Nec分析評価センター
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広沢 一郎
Jasri
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廣沢 一郎
高輝度光科学研究センター(spring-8)
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廣沢 一郎
(財)高輝度光科学研究センター利用研究促進部門i
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広沢 一郎
Necデバイス評価技術研究所
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水木 純一郎
原子力機構放射光
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水木 純一
原子力機構放射光
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遠藤 康夫
原子力機構放射光:国際高等研
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廣沢 一郎
NEC基礎研究所
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廣沢 一郎
財団法人高輝度光科学研究センター
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遠藤 康夫
東北大・理
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遠藤 康夫
東北大理
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谷垣 勝巳
東北大理
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広沢 一郎
NEC基礎研
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谷垣 勝巳
NEC基礎研
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木村 英和
NEC基礎研
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木村 英和
Nec基礎研究所
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石川 義和
東北大.理
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水木 純一郎
東北大理
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水木 純一郎
日本原子力研究所 関西研究所放射光利用研究部
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久保 佳実
NEC基礎研
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遠藤 康夫
東北大 理
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久保 佳実
日本電気(株)基礎研
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水木 純一郎
Nec基礎研究所
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石川 義和
東北大理
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エプソン トーマス
NEC基礎研究所
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黒島 貞則
Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation
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久保 佳実
日本電気(株)基礎研究所
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久保 佳実
Necトーキン株式会社研究開発本部
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久保 佳実
NEC中央研究所
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久保 佳実
日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部 基礎研究所
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黒島 貞則
Fundamental Research Laboratories Nec Corporation
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エブソン トーマス
Nec基礎研究所
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水木 純一郎
JAEA
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谷垣 勝己
Nec基礎研究所
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谷垣 勝己
Nec基礎研
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阿知波 洋次
都立大理
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真庭 豊
都立大理
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池本 勲
都立大院理
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水木 純一郎
東北大 理
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石川 義和
東北大 理
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Prassides K
Sussex大
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溝口 憲治
都立大理
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久米 潔
都立大理
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鈴木 信三
都立大理
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谷垣 勝巳
日本電気基礎研究所
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水木 純一郎
日本電気基礎研究所
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久保 佳実
日本電気基礎研究所
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黒島 貞則
NEC基礎研
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久米 潔
東京都大 理
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エブソン トーマス
日本電気・基礎研
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毛利 信男
東大物性研
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高橋 博樹
日大文理
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水木 純一郎
原研 SPring-8
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西堀 英治
名大工
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渡辺 昇
東北大核理研
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島川 祐一
NEC基礎研
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高田 昌樹
名大工
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坂田 誠
名大工
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小川 信二
電機大工
-
小川 信二
東京電機大工
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久保田 佳基
阪府大院理
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阿知波 洋次
都立大・理
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高橋 博樹
東大物性研
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大友 季哉
高エネ機構
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菊地 耕一
都立大 理
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池本 勲
都立大 理
-
山口 博隆
電総研
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菊地 耕一
都立大理
-
池本 勲
都立大理
-
鈴木 信三
都立大院理
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河村 直巳
JASRI
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新井 正敏
神戸大理
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大柳 宏之
電総研
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圓山 裕
岡山大理
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町田 尚紀
名大工
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谷垣 勝巳
NEC
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久保田 佳基
大女大・学芸
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高田 昌樹
名大・工
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梅田 文太郎
名大・工
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坂田 誠
名大・工
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広沢 一郎
NEC・基礎研
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水木 純一郎
NEC, 基礎研
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谷垣 勝巳
NEC, 基礎研^B
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武田 全康
東北大 理
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上篠 敦
NEC基礎研
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安田 秀樹
東北大理
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武田 全康
東北大理
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渡部 司
東北大理
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上條 篤
NEC基礎研
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佐々木 幸男
東北大理
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小野 一志
東北大理
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遠藤 康夫
東北大理学
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水木 純一郎
東北大理学
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東京電機大工
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Gevaert M
Sussex大
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Lappas A
Sussex大
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Cockroft J.K.
Birkbeck大
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平井 康晴
日立基礎研
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宮尾 正信
日立中研
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川戸 清爾
ソニー中研
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米山 治
JASRI
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大友 季哉
東北大金研
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Christides C
Sussex Univ.
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谷垣 勝己
NEC 基礎研
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広沢 一郎
NEC 基礎研
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水木 純一郎
NEC 基礎研
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エブソン トーマス
NEC 基礎研
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黒島 貞則
NEC 基礎研
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エブソン トーマス
日本電気基礎研究所
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斉藤 晋
日本電気基礎研究所
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蔡 兆伸
日本電気基礎研究所
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Ebbesen T.M
NEC基礎研
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エプソン トーマス
日本電気基礎研究所
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齋藤 晋
日本電気基礎研究所
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祭兆 伸
日本電気基礎研究所
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寺島 孝仁
京大・化研
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寺嶋 孝仁
Kyoto Univ.
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坂東 直周
Kyoto Univ.
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寺島 孝仁
京大化研
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坂東 直周
京大化研
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森 一男
Nec光エレクトロニクス研究所
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山口 博隆
産総研
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平井 康晴
九州シンクロトロン
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島川 祐一
日本電気(株)基礎研究所
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鈴木 信二
新潟大理
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小林 憲司
NECシステムデバイス・基礎研究本部
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蔡 兆伸
Nec基礎研究所
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秋本 晃一
Necマイクロエレ研
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廣沢 一郎
NEC 基礎研
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廣沢 一郎
NEC・基礎研
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廣沢 一郎
Nec
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水木 純一郎
原研
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豊島 秀雄
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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丹羽 隆樹
Necマイクロエレクトロニクス研究所
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小林 憲司
岡山大理
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河村 直巳
岡山大理
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Tweet D
NECマイクロ研
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Bouldin C.E
NIST
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Sorensen L.B
ワシントン大
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松下 正
KFK PF
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町田 尚紀
名古屋大
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川戸 清爾
九州シンクロトロン
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真庭 豊
都立大・理
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梅田 文太郎
名大工
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久米 潔
都立大 理
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溝口 憲治
都立大 (理)
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高橋 博樹
日本大学文理学部
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水木 純一郎
原子力機構量子ビーム
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菊地 耕一
都立大
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池本 勲
都立大
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斉藤 晋
日本電気基礎研
著作論文
- 29p-D-3 MEMによるLi_2CsC_, K_2RbC_, Rb_2CsC_の電子密度分布
- 2a-S-4 X線回折によるアルカリ金属ドープC_60の電子密度
- 29a-PS-19 中性子散乱でみたFe/Cr人工格子の界面の乱れ
- 26a-PS-24 Fe/Cr人工格子による偏極中性子反射と界面の乱れ
- 2a-N-3 高圧力下の構造研究 : Cr合金の相転移(中性子線実験)
- 1a-L-12 Cr合金の相転移
- 2p-S-4 KENS・偏極冷中性子散乱装置
- マイクロボンベを使用した高圧下での中性子回折
- 5a-R-5 希薄Cr合金の高圧下中性子回折
- 3p-LC-5 稀薄Fe-Cr,稀薄Si-Crの圧力効果(中性子回折)
- 11p-B-3 稀薄Fe-Cr合金の中性子回折(圧力効果)
- 4p-L-9 T.O.F.法による高圧下の中性子散乱
- 2a-PS-46 C_超伝導体におけるTcの圧力・磁場効果
- 2a-S-3 Li_2C_sC_60の構造
- 海外放射光施設の動向 - マイクロビームの可能性を探る -
- 28p-N-7 アルカリ金属ドープC_の超伝導と構造
- 28a-YK-4 Rb_3C_超伝導体の分子内振動の温度依存性
- 28a-YK-3 Na2AC60(A=Cs, Rb, K)超伝導体における相転移
- 28a-YK-2 A_2RbC_のEXAFS
- 29a-C-4 Na_xCs_yC_超伝導体の構造と物性
- 27p-J-4 C_化合物のNMR
- 27a-J-9 A_B_xC_(A, B=Li, Na, K, Rb, Cs)の構造と超伝導転移温度の関係
- 27a-A-5 アルカリ金属及びハロゲンをドープしたC_60結晶のNMR
- 28p-PS-77 YBa_2Cu_3O_薄膜の偏光EXAFSの温度変化
- 13p-B-4 A_xB_C_結晶中でのC_分子の方向
- 13p-B-3 アルカリ金属ドープC60物質におけるf.c.c.構造の格子定数
- 14a-DL-11 超格子のDAFS
- 13p-E-4 「回折XAFS」とその有効性
- 3p-F-11 DAFSによるYIGの吸収端近傍の構造
- 28p-N-7 アルカリ金属ドープC_の超伝導と構造
- 29p-ZB-1 回折XAFS-"DAFS"-