島川 祐一 | 日本電気(株)基礎研究所
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概要
関連著者
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島川 祐一
日本電気(株)基礎研究所
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島川 祐一
NEC基礎研
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久保 佳美
NEC基礎研究所
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久保 佳実
NEC基礎研
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真子 隆志
Fundamental Research Laboratories Nec Corporation
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島川 裕一
NEC基礎研
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真子 隆志
NEC基礎研
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久保 佳実
日本電気(株)基礎・環境研究所
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真子 隆志
Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation
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五十嵐 等
日電基礎研
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五十嵐 等
NEC基礎研
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近藤 卓
NEC基礎研
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JRCAT
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今井 英人
NEC基礎研
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泉 富士夫
無機材研
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浅野 肇
筑波大物質工
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今井 英人
日本電気(株)基礎・環境研究所
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今井 英人
NEC基礎研究所
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岡村 英一
神戸大理
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北岡 良雄
阪大基礎工
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朝山 邦輔
阪大基礎工
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難波 孝夫
神戸大院自然
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木村 真一
自然科学研究機構 分子科学研究所 極端紫外光研究施設
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松波 雅治
神戸大院自然
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木村 真一
神戸大院自然
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久保 佳実
日本電気(株)基礎研
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真子 隆志
NEC 基礎研
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島川 祐一
NEC 基礎研
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久保 佳実
NEC 基礎研
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浅野 肇
筑波大学物質工学系
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久保 佳実
日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部 基礎研究所
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神山 崇
高エネルギー加速器研究機構
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毛利 信男
東大物性研
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木村 真一
分子研uvsor:総研大物理
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是常 敬久
神戸大院自然
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Sushko YuV.
NEC基礎研究所
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Y Sushko
NEC基礎研
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J.D Jorgensen
Argonne National Lab.
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浅野 肇
筑波大 物質工
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木村 真一
分子研uvsor:総研大
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浅野 肇
筑波大 物質
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島川 祐一
日本電気(株)
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日本電気(株)基礎研
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高橋 博樹
東大物性研
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鄭 国慶
阪大基礎工
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泉 富士夫
無機材質研究所
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五十嵐 等
NEC 基礎研
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泉 富士夫
物質・材料研究機構物質研究所
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神山 崇
筑波大物質工
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真岸 孝一
阪大基礎工
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浅野 肇
筑波大物質
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泉 冨士夫
無機材研
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吉武 務
NECグリーンイノベーション研究所
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神山 崇
筑波大学
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黒島 貞則
Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation
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田内 裕基
筑波大学物質工学系
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小畑 毅
NECシステムデバイス・基礎研究本部
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眞子 隆志
NECシステムデバイス・基礎研究本部
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中川 裕二
筑波大
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神山 崇
筑波大院数物
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藤原 賢二
北大理
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久保 佳実
日本電気(株)基礎研究所
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藤原 賢二
阪大基礎工
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R Hitterman
アルゴンヌ国立研
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黒島 貞則
Fundamental Research Laboratories Nec Corporation
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Hitterman R.l
Argonne National Laboratory U.s.a.
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真子 隆志
日本電気(株)基礎研究所
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久保 佳実
日本電気(株)
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真子 隆志
日本電気(株)
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松本 武彦
金材技研
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松波 雅治
東大物性研:理研:spring-8
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家 泰弘
東大物性研
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神山 崇
高エネルギー加速器研究機構物質構造科学研究所
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廣沢 一郎
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村山 千寿子
東大物性研
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名大工
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松本 武彦
金材研
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NEC基礎研究所
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阪大極限物質セ
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NEC
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広沢 一郎
NEC基礎研
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NEC基礎研
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Ebbesen T.M
NEC基礎研
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NEC基礎研
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阪大極限セ
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(財)高輝度光科学研究センター利用研究促進部門i
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島川 祐一
Nec基礎研究所
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無機材研
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木村 真一
神戸大学大学院自然科学研究科
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米澤 正智
日本電気(株)環境・材料研究所
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米澤 正智
日本電気(株)基礎研究所
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吉武 務
Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation
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渡辺 秀
Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation
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島川 祐一
Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation
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中村 新
Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation
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久保 佳実
Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation
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神山 崇
高エネ研
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島川 祐一
NECシステムデバイス・基礎研究本部
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久保 佳実
NECシステムデバイス・基礎研究本部
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島川 佑一
NEC基礎研
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D.N Argyriou
Argonne National Lab.
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Yuri Sushko
NEC基礎研
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Jorgensen J.D
Argonne National Laboratory, U.S.A.
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Shaked H
Argonne National Laboratory, U.S.A.
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Hitterman R.L
Argonne National Laboratory, U.S.A.
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廣沢 一郎
NEC基礎研究所
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広沢 一郎
Necデバイス評価技術研究所
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越智 篤
日本電気(株)技術開発センター
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久保 佳実
Necトーキン株式会社研究開発本部
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柳瀬 悦也
阪大基磯工
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鄭 国慶
阪大基磯工
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北岡 良雄
阪大基磯工
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朝山 邦輔
阪大基磯工
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阪大極限セン
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久保 佳実
NEC中央研究所
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柳瀬 悦也
阪大基礎工
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Nec材料開発センター
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山田 裕
金材技研
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遠藤 昭彦
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渡辺 秀
Fundamental Research Laboratories Nec Corporation
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内海 和明
日本電気(株)材料開発センター
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眞子 隆志
Nec基礎研
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Klehe A.-K.
Washington大物理
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Looney C.
Washington大物理
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Schilling J.S.
Washington大物理
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J.D Jorgensen
アルゴンヌ国立研
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Shiyou Pei
アルゴンヌ国立研
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田淵 順次
日本電気(株)基礎研究所
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中村 新
Fundamental Research Laboratories Nec Corporation
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Shaked H
Argonne National Laboratory U.s.a.
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Jorgensen J.d
Argonne National Laboratory U.s.a.
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佐藤 哲朗
環境技術研究所
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五十嵐 等
日本電気(株)(前)人事教育部
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中道 聖
阪大極限セ
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越智 篤
日本電気(株)基礎研究所
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中林 幸信
日本電気(株)基礎研究所
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Igarashi Hitoshi
日本電気(株)基礎研究所
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内海 和明
日本電気(株)基礎研究所
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佐藤 哲朗
日本電気(株)資源研
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佐藤 哲朗
日本電気(株)
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五十嵐 等
日本電気(株)
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島川 祐一
日本電気(株)基礎研
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真子 隆志
日本電気(株)基礎研
著作論文
- 18pPSB-33 CMRを示すパイロクロア型Tl_2Mn_2O_7の赤外磁気円二色性II
- 28pPSB-14 CMRを示すパイロクロア型Tl_2Mn_2O_7の赤外磁気円二色性
- 24pSF-5 CMRを示すパイロクロア型Tl_2Mn_2O_7の光学伝導度II
- 22pZN-10 CMRを示すパイロクロア酸化物Tl_2Mn_2O_7の光学伝導度
- Tl_2Ba_2CuO_5単結晶の合成と評価
- 5a-Y-14 Tl系超伝導体における元素置換と構造の関係
- 27a-J-9 A_B_xC_(A, B=Li, Na, K, Rb, Cs)の構造と超伝導転移温度の関係
- 4a-H-3 TlSr_2(Lu_Ca_x)Cu_2O_yのNMR II
- 28a-L-12 TlSr_2CaCu_2O_のNMR (III)
- 携帯機器への応用を目的とした小型ダイレクトメタノール型燃料電池
- 携帯機器用燃料電池(やさしいハードの話)
- 強誘電体SrBi_2Ta_2O_9の結晶構造解析と誘電特性, 還元劣化機構の解明
- メモリ用強誘電体材料の構造と誘電特性
- 23pYQ-2 強誘電体SrBi_2(Ta_Nb_x)_20_9の結晶構造と強誘電性
- Mnペロブスカイト薄膜を用いたスピントンネル接合
- ペロブスカイト型Mn酸化物スピントンネル接合 (特集 スピンエレクトロニクス) -- (伝導電子-スピン)
- 28a-PS-65 パイロクロア型Mn酸化物Tl_2Mn_2O_7の磁気輸送特性
- 29a-Q-13 ビスマス層状構造強誘電体の構造と誘電特性
- 25a-A-1 Bi層状化合物強誘導体の合成と結晶構造解析
- 5p-PSB-7 Mnパイロクロアの構造と磁気特性
- パイロクロア型酸化物Tl_2Mn_2O_7の巨大磁気抵抗効果
- パイロクロア型酸化物Tl2Mn2O7のCMR (固体物理特集号)
- Tl_2Mn_2O_7の磁気輸送特性と構造変化
- パイロクロア酸化物Tl_2Mn_2_O_7の巨大磁気抵抗効果
- 28p-PSA-29 TlSr_2(R_Ca_x)Cu_2O_(R=Lu又はTl)でのアンダードープ、 最適ドープ、 オーバードープ超伝導体
- 26a-Q-4 TlSr_2CaCu_2O_y系の合成と物性
- 28p-ZC-4 酸化物高温超伝導体の圧力効果(NQR)II
- 27p-APS-83 酸化物高温超伝導体におけるホール係数とT_cの圧力効果とキャリア濃度
- Tl_2Ba_2CuO_のCu-NMR
- 2a-TD-10 Tl系酸化物超伝導体のNMR-(3)
- 27a-PS-51 TlBa_La_CuO_5の輸送特性
- 12p-PSB-50 Tl_2Ba_2CuO_のホール係数とT_cの圧力効果
- 30p-PSA-66 TlSr_2CaCu_2O_y系の合成と物性(II)
- 30p-PSA-18 Tl_2Ba_2CuO_における高ドープ金属
- 27a-PS-53 Tl_2Ba_2CuO_6における正方晶と斜方晶構造
- 27a-PS-52 Tl系超伝導体における逆ホール移動度のT^2依存性
- 28p-APS-75 Tl_2Ba_2CuO_の圧力誘起構造変化
- 28p-APS-29 TlSr_2(Ca_Lu_x)Cu_2O_yの酸素量とTc
- 26p-Y-4 過剰ドープされたTl系超伝導体の輸送現象と磁性
- 25a-PS-77 TlSr_2CaCu_2O_7δの酸素量、構造及び物性
- YBa_2Cu_3O_の微小組成変化が電気的,化学的性質に及ぼす影響
- 巨大磁気抵抗効果 (特集 機能性ペロブスカイト型化合物)
- 28p-APS-28 Tl_2Ba_2CuO_6における正方晶、斜方晶構造(II)
- 28p-APS-27 Tl_2Ba_2CuO_6単結晶の合成と評価(III)
- 25a-PS-76 Tl_2Ba_2CuO_6単結晶の合成と評価(II)
- 25a-PS-75 Ti_2Ba_2Cuo_6における正方晶、斜方晶構造
- Tl_2Ba_2CuO_の中性子線回折
- 31p-PS-64 Tl系超伝導体のキャリア濃度と超伝導特性
- 30p-TD-8 T1系超伝導体の電気的磁気的特性
- 27p-PS-115 0〜8GPaにおける種々の酸化物超伝導体のTcの挙動
- Tl-Ba-Ca-Cu-O系超伝導体の構造と超伝導特性
- 5a-Y-13 Tl_2Ba_2CuO_6の超伝導特性
- 31a-PS-95 Tl-O monolayerを含む酸化物超伝導体の元素置換効果(31p PS 低温(酸化物超伝導))