Mnペロブスカイト薄膜を用いたスピントンネル接合
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概要
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Magnetic tunnel junctions with barrier thickness of either 1.6 or 2.4 nm are fabricated from epitaxially grown La_0.8Sr_0.2MnO_3/SrTiO_3/La0.8Sr_0.2MnO_3 trilayers, and the spin-dependent tunneling magnetoresistance(TMR)of the junctions are examined. A large TMR of 150% is observed for a junction with 1.6-nm-thick barrier, at 5 K. A small TMR is observed even at 270 K, which is close to the ferromagnetic Curie temperature(290 K)of the La_0.8Sr_0.2MnO_3 film. The TMR ratio and operating temperature are reduced as the barrier thickness increases. The SrTiO_3 barrier thickness is the key to improving TMR characteristics, and fabricating a sufficiently thin and uniform barrier layer is essential for achieving a large TMR and a high operating termperature.
- 社団法人日本磁気学会の論文
- 2000-06-01
著者
-
久保 佳実
日本電気(株)基礎・環境研究所
-
島川 祐一
日本電気(株)基礎研究所
-
久保 佳美
NEC基礎研究所
-
小畑 毅
NECシステムデバイス・基礎研究本部
-
島川 祐一
NECシステムデバイス・基礎研究本部
-
眞子 隆志
NECシステムデバイス・基礎研究本部
-
久保 佳実
NECシステムデバイス・基礎研究本部
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