メモリ用強誘電体材料の構造と誘電特性
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概要
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FeRAM材料として注目を集めているBi層状構造強誘電体酸化物の結晶構造と誘電特性の相関を報告する。中性子回折を用いた詳細な結晶構造解析の結果、SrBi_2Ta_2O_9系材料では、特にTaO_6八面体から構成されるペロブスカイト層の歪みが誘電特性に大きな影響を与えていることが示された。元素置換による構造歪みの増大により、デバイス開発上の重要な指標である分極の増大やキュリー温度の上昇が実現されている。また、Bi層状構造酸化物の耐還元性における問題も結晶構造上の特徴と大きく関わっていることが明らかになってきた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-03-05
著者
-
島川 祐一
NEC基礎研
-
神山 崇
高エネルギー加速器研究機構物質構造科学研究所
-
久保 佳実
日本電気(株)基礎・環境研究所
-
浅野 肇
筑波大学物質工学系
-
島川 祐一
日本電気(株)基礎研究所
-
浅野 肇
筑波大学物理工学系助教授
-
久保 佳美
NEC基礎研究所
-
田内 裕基
筑波大学物質工学系
-
神山 崇
高エネルギー加速器研究機構
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