真子 隆志 | Fundamental Research Laboratories Nec Corporation
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概要
関連著者
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真子 隆志
Fundamental Research Laboratories Nec Corporation
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真子 隆志
NEC基礎研
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久保 佳美
NEC基礎研究所
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島川 裕一
NEC基礎研
-
島川 祐一
日本電気(株)基礎研究所
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久保 佳実
NEC基礎研
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島川 祐一
NEC基礎研
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真子 隆志
Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation
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近藤 卓
NEC基礎研
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久保 佳実
日本電気(株)基礎・環境研究所
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五十嵐 等
日電基礎研
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五十嵐 等
NEC基礎研
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眞子 隆志
JRCAT
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北岡 良雄
阪大基礎工
-
朝山 邦輔
阪大基礎工
-
鄭 国慶
阪大基礎工
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真岸 孝一
阪大基礎工
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真子 隆志
NEC 基礎研
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久保 佳実
NEC 基礎研
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島川 祐一
NEC 基礎研
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毛利 信男
東大物性研
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泉 富士夫
無機材研
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高橋 隆
東北大理
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吉田 博
東北大理
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Sushko YuV.
NEC基礎研究所
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Y Sushko
NEC基礎研
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J.D Jorgensen
Argonne National Lab.
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佐藤 哲朗
日本電気(株)基礎研
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浅野 肇
筑波大物質工
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横谷 尚睦
東北大理
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Ding H.
ボストン大
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高橋 博樹
東大物性研
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五十嵐 等
NEC 基礎研
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Campuzano J.c
Univ. Illinois:anl
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浅野 肇
筑波大物質
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Ding H
Univ. Illinois
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Bellmann A
Univ. Illinois
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Gu C
ANL
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Liu R
ANL
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R Hitterman
アルゴンヌ国立研
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Hitterman R.l
Argonne National Laboratory U.s.a.
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松本 武彦
金材技研
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家 泰弘
東大物性研
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田中 通義
東北大科研
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村山 千寿子
東大物性研
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山田 裕
名大工
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松本 武彦
金材研
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佐藤 哲朗
NEC基礎研究所
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佐藤 哲朗
NEC 資源研
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中道 聖
阪大極限物質セ
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遠藤 将一
阪大極限セ
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寺内 正己
東北大科研
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木村 英和
Fundamental Research Laboratories Nec Corporation
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菅家 康
無機材研
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吉武 務
NECグリーンイノベーション研究所
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吉武 務
Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation
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黒島 貞則
Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation
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渡辺 秀
Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation
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島川 祐一
Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation
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中村 新
Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation
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久保 佳実
Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation
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小畑 毅
NECシステムデバイス・基礎研究本部
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D.N Argyriou
Argonne National Lab.
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Yuri Sushko
NEC基礎研
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Jorgensen J.D
Argonne National Laboratory, U.S.A.
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Shaked H
Argonne National Laboratory, U.S.A.
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Hitterman R.L
Argonne National Laboratory, U.S.A.
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植 寛素
筑波大理工
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元井 雄一
筑波大物理工
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藤原 賢二
北大理
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作道 恒太郎
筑波大物理工
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近藤 卓
NEC基研
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島川 祐一
NEC基研
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真子 隆志
NEC基研
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久保 佳美
NEC基研
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柳瀬 悦也
阪大基磯工
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鄭 国慶
阪大基磯工
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北岡 良雄
阪大基磯工
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朝山 邦輔
阪大基磯工
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中道 聖
阪大極限セン
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柳瀬 悦也
阪大基礎工
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山田 裕
金材技研
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植 寛素
筑波大物理工
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藤原 賢二
阪大基礎工
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渡辺 秀
Fundamental Research Laboratories Nec Corporation
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Klehe A.-K.
Washington大物理
-
Looney C.
Washington大物理
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Schilling J.S.
Washington大物理
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J.D Jorgensen
アルゴンヌ国立研
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Shiyou Pei
アルゴンヌ国立研
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藤元 勝美
筑波大物理工
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作道 恒太郎
筑波大理工
-
中村 新
Fundamental Research Laboratories Nec Corporation
-
黒島 貞則
Fundamental Research Laboratories Nec Corporation
-
Shaked H
Argonne National Laboratory U.s.a.
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Jorgensen J.d
Argonne National Laboratory U.s.a.
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中道 聖
阪大極限セ
著作論文
- Tl_2Ba_2CuO_5単結晶の合成と評価
- 5a-Y-14 Tl系超伝導体における元素置換と構造の関係
- 4a-H-3 TlSr_2(Lu_Ca_x)Cu_2O_yのNMR II
- 28p-YL-15 TlSr_2(Lu_Ca_X)Cu_2O_γのNMR
- 13a-W-5 TISr_2CaCu_2O_ のNMR(V)
- 30p-B-6 TlSr_2CaCu_2O_のNMR (IV)
- 28a-L-12 TlSr_2CaCu_2O_のNMR (III)
- 30p-ZE-1 TlSr_2CaCu_2O_7のNMR(2)
- 携帯機器への応用を目的とした小型ダイレクトメタノール型燃料電池
- ペロブスカイト型Mn酸化物スピントンネル接合 (特集 スピンエレクトロニクス) -- (伝導電子-スピン)
- 5p-PSB-7 Mnパイロクロアの構造と磁気特性
- Tl_2Mn_2O_7の磁気輸送特性と構造変化
- パイロクロア酸化物Tl_2Mn_2_O_7の巨大磁気抵抗効果
- 28p-PSA-29 TlSr_2(R_Ca_x)Cu_2O_(R=Lu又はTl)でのアンダードープ、 最適ドープ、 オーバードープ超伝導体
- 26a-Q-4 TlSr_2CaCu_2O_y系の合成と物性
- 29p-ZC-12 T1Sr_2CaCu_2O_のNMR,NQR
- 28p-ZC-4 酸化物高温超伝導体の圧力効果(NQR)II
- 27p-APS-83 酸化物高温超伝導体におけるホール係数とT_cの圧力効果とキャリア濃度
- Tl_2Ba_2CuO_のCu-NMR
- 5p-YE-2 超高エネルギー分解能光電子分光によるTl2201のフェルミ面
- 4a-F-3 Tl_2Ba_2CuO_6の超高エネルギー分解能角度分解光電子分光
- 13a-T-9 Tl系高温超伝導体の透過型電子エネルギー損失分光
- 12p-PSB-50 Tl_2Ba_2CuO_のホール係数とT_cの圧力効果
- 30p-PSA-66 TlSr_2CaCu_2O_y系の合成と物性(II)
- 30p-PSA-18 Tl_2Ba_2CuO_における高ドープ金属
- 27a-PS-53 Tl_2Ba_2CuO_6における正方晶と斜方晶構造
- 27a-PS-52 Tl系超伝導体における逆ホール移動度のT^2依存性
- 28p-APS-75 Tl_2Ba_2CuO_の圧力誘起構造変化
- 25a-PS-44 c軸配向試料を用いた高温超伝導体の一軸性応力効果
- 28p-APS-29 TlSr_2(Ca_Lu_x)Cu_2O_yの酸素量とTc
- 26p-Y-4 過剰ドープされたTl系超伝導体の輸送現象と磁性
- 25a-PS-77 TlSr_2CaCu_2O_7δの酸素量、構造及び物性
- 28p-APS-28 Tl_2Ba_2CuO_6における正方晶、斜方晶構造(II)
- 28p-APS-27 Tl_2Ba_2CuO_6単結晶の合成と評価(III)
- 25a-PS-76 Tl_2Ba_2CuO_6単結晶の合成と評価(II)
- 25a-PS-75 Ti_2Ba_2Cuo_6における正方晶、斜方晶構造
- Tl_2Ba_2CuO_の中性子線回折
- 31p-PS-64 Tl系超伝導体のキャリア濃度と超伝導特性
- 30p-TD-8 T1系超伝導体の電気的磁気的特性
- 27p-PS-115 0〜8GPaにおける種々の酸化物超伝導体のTcの挙動
- 5a-Y-13 Tl_2Ba_2CuO_6の超伝導特性