真子 隆志 | Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation
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概要
関連著者
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真子 隆志
Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation
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真子 隆志
NEC基礎研
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眞子 隆志
JRCAT
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真子 隆志
Fundamental Research Laboratories Nec Corporation
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久保 佳美
NEC基礎研究所
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久保 佳実
NEC基礎研
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島川 祐一
NEC基礎研
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久保 佳実
日本電気(株)基礎・環境研究所
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島川 祐一
日本電気(株)基礎研究所
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島川 裕一
NEC基礎研
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近藤 卓
NEC基礎研
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眞子 隆志
Nec基礎研
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和泉 真
徳島大工
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泉 真
Jrcat:東大先端研
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十倉 好紀
JRCAT
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川崎 雅司
JRCAT
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北岡 良雄
阪大基礎工
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和泉 真
JRCAT
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朝山 邦輔
阪大基礎工
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鄭 国慶
阪大基礎工
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真岸 孝一
阪大基礎工
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JRCAT
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岡本 博
東大新領域
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岸田 英夫
東大新領域
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高橋 隆
東北大理
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真子 隆志
NEC 基礎研
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久保 佳実
NEC 基礎研
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吉田 博
東北大理
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Sushko YuV.
NEC基礎研究所
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NEC基礎研
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横谷 尚睦
東北大理
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Ding H.
ボストン大
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Univ. Illinois:anl
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東大新領域
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真子 隆志
JRCAT
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東大新領域
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澤 彰仁
CERC
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Ding H
Univ. Illinois
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Univ. Illinois
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ANL
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Liu R
ANL
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小野 円佳
東工大応セラ研:旭硝子中研
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十倉 好紀
東大工
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東大物性研
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十倉 好紀
アトムテクノロジー研究体
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沖本 洋一
JRCAT-ATR(Angstrom Technology Partnership)
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東北大金研
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田中 通義
東北大科研
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高橋 博樹
東大物性研
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島川 祐一
NEC 基礎研
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寺内 正己
東北大科研
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小西 義則
アトムテクノロジー研究体(JRCAT)
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木村 英和
Fundamental Research Laboratories Nec Corporation
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村上 洋一
物構研放射光
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十倉 好紀
CERC
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眞子 隆司
JRCAT
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真子 隆
JRCAT
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高橋 圭
東大工
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和泉 真
アトムテクノロジー研究体(JRCAT)
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真子 隆志
アトムテクノロジー研究体(JRCAT)
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川崎 雅司
アトムテクノロジー研究体(JRCAT)
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吉武 務
NECグリーンイノベーション研究所
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吉武 務
Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation
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黒島 貞則
Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation
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渡辺 秀
Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation
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島川 祐一
Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation
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中村 新
Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation
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久保 佳実
Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation
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小畑 毅
NECシステムデバイス・基礎研究本部
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D.N Argyriou
Argonne National Lab.
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Yuri Sushko
NEC基礎研
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Jorgensen J.D
Argonne National Laboratory, U.S.A.
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Shaked H
Argonne National Laboratory, U.S.A.
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Hitterman R.L
Argonne National Laboratory, U.S.A.
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高橋 圭
理研cmrg
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岩井 伸一郎
PRESTO
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渡辺 秀
Fundamental Research Laboratories Nec Corporation
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真子 隆志
CERC
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Klehe A.-K.
Washington大物理
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Looney C.
Washington大物理
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Schilling J.S.
Washington大物理
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R Hitterman
アルゴンヌ国立研
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中村 新
Fundamental Research Laboratories Nec Corporation
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黒島 貞則
Fundamental Research Laboratories Nec Corporation
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Shaked H
Argonne National Laboratory U.s.a.
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Hitterman R.l
Argonne National Laboratory U.s.a.
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Jorgensen J.d
Argonne National Laboratory U.s.a.
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岸田 英夫
東大新領域:
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十倉 好紀
Univ. of Tokyo
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岡本 博
東大新領域:
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沖本 洋一
JRCAT
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和泉 真
京大化研
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Sushko Y.
NEC基礎研
著作論文
- 4a-H-3 TlSr_2(Lu_Ca_x)Cu_2O_yのNMR II
- 28p-YL-15 TlSr_2(Lu_Ca_X)Cu_2O_γのNMR
- 13a-W-5 TISr_2CaCu_2O_ のNMR(V)
- 30p-B-6 TlSr_2CaCu_2O_のNMR (IV)
- 28a-L-12 TlSr_2CaCu_2O_のNMR (III)
- 26pYT-11 Mnペロブスカイト積層構造の作製とその物理的性質
- 24aJ-10 光学スペクトルから見たLa_Sr_MnO_3薄膜の軌道状態
- 26aYQ-8 Sr_2FeMoO_6を含む多層薄膜の磁気輸送特性
- 28a-C-4 Mnペロブスカイト人工格子の物理的性質
- 26p-YF-15 オーダードペロブスカイトSr_2FeMoO_6薄膜の作製と磁気・輸送特性
- 25a-YF-12 ミスマッチ基板上に作製したLa_Sr_xMnO_3薄膜のストレスによる電気的磁気的特性
- 25a-YF-10 La_Sr_xMnO_3層を含むペロブスカイト人工格子の物理的性質
- 携帯機器への応用を目的とした小型ダイレクトメタノール型燃料電池
- ペロブスカイト型Mn酸化物スピントンネル接合 (特集 スピンエレクトロニクス) -- (伝導電子-スピン)
- 5p-PSB-7 Mnパイロクロアの構造と磁気特性
- Tl_2Mn_2O_7の磁気輸送特性と構造変化
- パイロクロア酸化物Tl_2Mn_2_O_7の巨大磁気抵抗効果
- 28p-PSA-29 TlSr_2(R_Ca_x)Cu_2O_(R=Lu又はTl)でのアンダードープ、 最適ドープ、 オーバードープ超伝導体
- 29aYF-5 一次元モット絶縁体、ハロゲン架橋 Ni 錯体及び銅酸化物の二光子吸収スペクトル
- 26a-Q-4 TlSr_2CaCu_2O_y系の合成と物性
- 18aPS-45 Zスキャン法による低次元銅酸化物薄膜の三次非線形感受率の測定
- 5p-YE-2 超高エネルギー分解能光電子分光によるTl2201のフェルミ面
- 4a-F-3 Tl_2Ba_2CuO_6の超高エネルギー分解能角度分解光電子分光
- 13a-T-9 Tl系高温超伝導体の透過型電子エネルギー損失分光
- 12p-PSB-50 Tl_2Ba_2CuO_のホール係数とT_cの圧力効果
- 30p-PSA-66 TlSr_2CaCu_2O_y系の合成と物性(II)
- 30p-PSA-18 Tl_2Ba_2CuO_における高ドープ金属
- 27a-PS-53 Tl_2Ba_2CuO_6における正方晶と斜方晶構造
- 27a-PS-52 Tl系超伝導体における逆ホール移動度のT^2依存性
- 7aSF-5 モット絶縁体における三次非線形光学応答の次元依存性(超伝導体・強相関系,領域5)
- 3p-YC-13 パイロクロア酸化物Tl_2Mn_2O_7の巨大磁気抵抗効果II(3pYC 低温(高温超伝導・マンガン酸化物),低温)